感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LM5100BMA/NOPB	2.1608	询价	8300	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
LM5101AMX/NOPB	3.5000	询价	6560	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
IXDN414PI	-	询价	4230	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN414	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	14A, 14A	22纳秒、20纳秒
PX3511ADDG-RA	-	询价	7918	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	PX3511	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IRS2332DJPBF	-	询价	第1434章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2332	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001548800	EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
IRS2003SPBF	1.6500	询价	9057	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2003	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	200V
L6569D	-	询价	6044	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6569	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
IXDI614YI	6.2700	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDI614	反相	未验证	4.5V～35V	TO-263-5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	14A, 14A	25纳秒、18纳秒
TC4429EMF	1.3350	询价	3496	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4429EMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MCP14E10-E/P	2.5600	询价	209	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP14E10	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E10EP	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	25纳秒, 25纳秒
风扇3268TMX	1.6300	询价	3767	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3268	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
IVCR2401DPR	1.5700	询价	3	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IVCR2401	非反相	未验证	8V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）			EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1.7V、1.6V	4A, 4A	13纳秒, 13纳秒
TC4420CAT	3.9700	询价	105	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	TC4420	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	TC4420CAT-NDR	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
SM74104MA/NOPB	3.5400	询价	68	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SM74104	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
TC1413NEUA713	1.5400	询价	8720	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1413	非反相	未验证	4.5V～16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1413NEUA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	20纳秒, 20纳秒
RT9624AZS	0.8000	询价	7	立锜美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RT9624	反相、同相	未验证	4.5V～13.2V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、3.2V	-	25纳秒、12纳秒	15V
UCC27211DR	1.9600	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27211	非反相	未验证	8V~17V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.7V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
IXDI504PI	-	询价	6562	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI504	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
TC4429EOA713	1.6200	询价	6538	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4429EOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
SC1205CSTRT	-	询价	8894	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SC1205	非反相	未验证	4.15V~6V	8-SO	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	14纳秒、12纳秒	25V
2SD106AI-17 UL	102.3400	询价	182	电源集成	规模™-1	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SD106	-	未验证	15V	模块	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1000	EAR99	8473.30.1180	35	-	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	6A, 6A	100纳秒、80纳秒
6SD106EI-17	-	询价	2263	电源集成	规模™-1	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C（太焦）	通孔	68-DIP模块，58引脚	6SD106	反相	未验证	0V～16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8543.70.9860	10	同步化	低侧	6	IGBT、N沟道MOSFET	-	-	100纳秒、80纳秒
UBA2032T/N2,118	-	询价	5254	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UBA2032	RC输入电路	未验证	10.5V～13.5V	24-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	2V、4V；3V、6V	180毫安、200毫安	-	550伏
IXDE509PI	-	询价	1276	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDE509	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
MAX5063AASA	-	询价	6478	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
ISL6615IRZ-T	3.0060	询价	2010年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6615	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A、4A	13纳秒、10纳秒	36V
EB01-FS450R17KE3	-	询价	5404	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS450	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	1200伏
UCC27511DBVT	1.4200	询价	第497章	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27511	反相、同相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、8A	8纳秒、7纳秒
IXDI514PI	-	询价	1887年	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI514	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、2.5V	14A, 14A	25纳秒、22纳秒
UCC27425DGN	1.6700	询价	134	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27425	反相、同相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²