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晶体管（（102018）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 电阻-RDS（（在）
IXGH24N120C3H1 IXYS IXGH24N120C3H1 8.7748
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，20A，5OHM，15V 70 ns pt 1200 v 48 a 96 a 4.2V @ 15V，20A 1.16mj（在）（470µJ）上） 79 NC 16ns/93ns
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11 5.4500
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 136 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V，20A （330µJ）（在300µJ上） 59 NC 33NS/76NS
IRG5K200HF06A Infineon Technologies IRG5K200HF06A -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Powir®34模块 800 w 标准 Powir®34 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001544746 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 - 600 v 340 a 2.1V @ 15V，200a 1 MA 不 11.9 NF @ 25 V
R6024ENZC17 Rohm Semiconductor R6024ENZC17 6.3700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6024 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6024ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 24A（TC） 10V 165mohm @ 11.3a，10v 4V @ 1mA 70 NC @ 10 V ±20V 1650 pf @ 25 V - 120W（TC）
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R048M1HXKSA1 16.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™M1 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IMW65R048 sicfet （碳化硅） pg-to247-3-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 39A（TC） 18V 64mohm @ 20.1a，18v 5.7V @ 6mA 33 NC @ 18 V +23V，-5V 1118 PF @ 400 V - 125W（TC）
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B65BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 F3L11MR12 20兆 标准 Ag-Easy2bm-2 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 三级逆变器 沟 1200 v 100 a 2.1V @ 15V，100a 40 µA 是的 7.36 NF @ 800 V
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680S 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 11.5A（TA） 4.5V，10V 11mohm @ 11.5a，10v 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W（TA）
FDU8878 Fairchild Semiconductor FDU8878 0.3000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V （11a）（ta），40a（tc） 4.5V，10V 15mohm @ 35a，10v 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 880 pf @ 15 V - 40W（TC）
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor FQPF3N80CYDTU 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，形成的线索 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3（Y Y形成） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 3A（TC） 10V 4.8OHM @ 1.5A，10V 5V @ 250µA 16.5 NC @ 10 V ±30V 705 pf @ 25 V - 39W（TC）
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 360 n通道 250 v 11.4A（TC） 10V 270MOHM @ 5.7A，10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 73W（TC）
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA 1 w SOT-223-4 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 - 25 v 500 ma @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3欧姆
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK NTD65 MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 65A（TC） 8.4mohm @ 30a，10v 2V @ 250µA 16 NC @ 5 V 1400 pf @ 20 V -
IRFS4615PBF International Rectifier IRFS4615pbf 0.7100
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 59 n通道 150 v 33A（TC） 10V 42MOHM @ 21a，10v 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ±20V 1750 pf @ 50 V - 144W（TC）
R6030ENZM12C8 Rohm Semiconductor R6030ENZM12C8 -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6030 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6030ENZM12C8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 130MOHM @ 14.5A，10V 4V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 25 V - 120W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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