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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS4130QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4130QAZ 0.0970
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-XDFN暴露垫 PBSS4130 325兆 DFN1010D-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 30 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 245mv @ 50mA，1a 180 @ 1a，2v 190MHz
PBSS4160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4160QAZ 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-XDFN暴露垫 PBSS4160 1 w DFN1010D-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 5,000 60 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 245mv @ 50mA，1a 85 @ 1A，2V 180MHz
PBSS5230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5230QAZ 0.4200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 3-XDFN暴露垫 325兆 DFN1010D-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 30 V 2 a 100NA（ICBO） PNP 210mv @ 50mA，1a 60 @ 2a，2v 170MHz
PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEZ 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMCXB900 MOSFET （金属 o化物） 265MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 n和p通道互补 20V 600mA，500mA 620MOHM @ 600mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 逻辑级别门
PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB600Unez 0.4800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB600 MOSFET （金属 o化物） 265MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2 n 通道（双） 20V 600mA 620MOHM @ 600mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V 逻辑级别门
PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. PMXB120EPEZ 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 3-XDFN暴露垫 PMXB120 MOSFET （金属 o化物） DFN1010D-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 2.4A（TA） 4.5V，10V 120MOHM @ 2.4a，10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 309 pf @ 15 V - 400MW（TA），8.3W（tc）
BC847C-13-F Diodes Incorporated BC847C-13-F 0.2000
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC847 310 MW SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 ma 15NA NPN 600mv @ 5mA，100mA 200 @ 2mA，5V 300MHz
ALD810023SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810023SCL 5.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 高级线性设备公司 SAB™ 管子 积极的 10.6V 超级电容器自动平衡 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD810023 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1257-5 Ear99 8541.21.0095 50 80mA 4 n通道
ALD810025SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810025SCL 5.6500
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 高级线性设备公司 SAB™ 管子 积极的 10.6V 超级电容器自动平衡 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD810025 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1259-5 Ear99 8541.21.0095 50 80mA 4 n通道
ALD910027SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910027SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 高级线性设备公司 SAB™ 管子 积极的 10.6V 超级电容器自动平衡 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD910027 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1267-5 Ear99 8541.21.0095 50 80mA 2 n 通道（双）
ALD910028SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910028SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 3317 0.00000000 高级线性设备公司 SAB™ 管子 积极的 10.6V 超级电容器自动平衡 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD910028 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1268-5 Ear99 8541.21.0095 50 80mA 2 n 通道（双）
MWT-A973 Microwave Technology Inc. MWT-A973 34.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 微波技术公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 5 v SMD 500MHz〜18GHz mesfet 73 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 500 120mA 30 ma 24.5dbm 6.5dB 1.8dB 3 V
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE（TE85L，F） 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2706 100MW ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4902 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B （TE85L，F） 0.1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1C03 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 100mv @ 3mA，30mA 350 @ 4mA，2V 30MHz
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1586 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SC4738-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-gr，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SC4738 100兆 SSM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） NPN 250mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-y te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1A01 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） 2 PNP （双） 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
STD2N95K5 STMicroelectronics STD2N95K5 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD2N95 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 950 v 2A（TC） 10V 5ohm @ 1A，10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 45W（TC）
STD3N80K5 STMicroelectronics STD3N80K5 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD3N80 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 2.5A（TC） 10V 3.5OHM @ 1A，10V 5V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 130 pf @ 100 V - 60W（TC）
STF2N95K5 STMicroelectronics STF2N95K5 1.6800
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 STF2N95 MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 950 v 2A（TC） 10V 5ohm @ 1A，10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 20W（TC）
STF33N60M2 STMicroelectronics STF33N60M2 4.6400
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 STF33 MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 26a（TC） 10V 125MOHM @ 13A，10V 4V @ 250µA 45.5 NC @ 10 V ±25V 1781 PF @ 100 V - 35W（TC）
STF5N60M2 STMicroelectronics STF5N60M2 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 STF5N60 MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 3.7A（TC） 10V 1.4OHM @ 1.85a，10V 4V @ 250µA 4.5 NC @ 10 V ±25V 165 pf @ 100 V - 20W（TC）
STGP15H60DF STMicroelectronics STGP15H60DF 2.1700
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STGP15 标准 115 w TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，15a，10ohm，15V 103 ns 沟渠场停止 600 v 30 a 60 a 2V @ 15V，15a （136µJ）（在），207µJ（OFF） 81 NC 24.5NS/118NS
STP15N95K5 STMicroelectronics STP15N95K5 4.8100
RFQ
 ECAD 9213 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP15 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 950 v 12A（TC） 10V 500mohm @ 6a，10v 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ±30V 900 PF @ 100 V - 170W（TC）
STP26NM60ND STMicroelectronics STP26NM60ND -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP26N MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 21a（TC） 10V 175mohm @ 10.5a，10v 5V @ 250µA 54.6 NC @ 10 V ±25V 1817 PF @ 100 V - 190w（TC）
STP28N60M2 STMicroelectronics STP28N60M2 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP28 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 24A（TC） 10V 150MOHM @ 12A，10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±25V 1370 pf @ 100 V - 170W（TC）
STP2N95K5 STMicroelectronics STP2N95K5 -
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP2N95 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 950 v 2A（TC） 10V 5ohm @ 1A，10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 45W（TC）
STP3N80K5 STMicroelectronics STP3N80K5 1.5700
RFQ
 ECAD 847 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP3N80 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 2.5A（TC） 10V 3.5OHM @ 1A，10V 5V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 130 pf @ 100 V - 60W（TC）
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196-LFBGA裸露的垫子

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