内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
SST26VF020A-104I/SN	1.0600	询价	2015年	微芯片	SST26 SQI®	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	不锈钢26VF020	闪光	2.7V~3.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0051	100	104兆赫	非活跃性	2兆比特		闪光	256K×8	SPI-四路I/O	1.5毫秒
BR93G46FVT-3AGE2	0.6400	询价	8316	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BR93G46	EEPROM	1.7V～5.5V	8-TSSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	3兆赫	非活跃性	1Kbit		EEPROM	64×16	微丝	5毫秒
70V05S12PFI	-	询价	1870年	瑞萨电子美国公司	-	托盘	最后一次购买	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LQFP		SRAM - 双端口，异步	3V～3.6V	64-TQFP (14x14)	-				800-70V05S12PFI			1		易挥发的	64Kbit	12纳秒	静态随机存储器	8K×8	平行线	12纳秒
UPD44324365BF5-E40-FQ1	57.0300	询价	5	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-LBGA	UPD44324365	SRAM-同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	1	250兆赫	易挥发的	36兆比特		静态随机存储器	1M×36	平行线	4纳秒
STK12C68-SF45ITR	-	询价	4471	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.342英寸，8.69毫米宽）	STK12C68	NVSRAM（非易失性SRAM）	4.5V～5.5V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	1,000		非活跃性	64Kbit	45纳秒	非静态随机仓库	8K×8	平行线	45纳秒
S99KL512SC0BHV000	-	询价	3878	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产								-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				1
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR	-	询价	5153	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～105℃（温控）	表面贴装	200-WFBGA	MT53D384	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866GHz	易挥发的	12Gbit		动态随机存取存储器	384M×32	-	-
M30162040054X0PWAY	42.6518	询价	3621	瑞萨电子美国公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	M30162040054	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	800-M30162040054X0PWAY	EAR99	8542.32.0071	225	54兆赫	非活跃性	16兆比特		内存	4M×4	-	-
W631GG6NB-11 TR	2.9730	询价	7385	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-VFBGA (7.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W631GG6NB-11TR	EAR99	8542.32.0032	3,000	933兆赫	易挥发的	1Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	64米×16	SSTL_15	15纳秒
SM662PED BFST	46.4900	询价	5	慧荣科技	Ferri-eMMC®	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	153-TFBGA	SM662	忆 - NAND (TLC)	-	153-BGA (11.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		1984-SM662PEDBFST	3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非活跃性	1T比特		闪光	128G×8	多媒体卡	-
CS7338AA	-	询价	5484	英飞凌科技	-	托盘	过时的								-			REACH 不出行		过时的		第480章
R0X06A-C	835.0000	询价	2417	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-R0X06A-C	EAR99	8473.30.5100	1
24CW160T-I/MUY	1.1250	询价	2087	微芯片	24CW	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-UFDFN 裸露焊盘	24CW160	EEPROM	1.6V～5.5V	8-UDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,300	1兆赫	非活跃性	16Kbit	450纳秒	EEPROM	2K×8	I²C	5毫秒
S29GL512P10FFCR10	7.9400	询价	8335	赛普拉斯半导体公司	GL-P	托盘	过时的	0℃～85℃（TA）	表面贴装	64-LBGA	S29GL512	或-NOR	2.7V~3.6V	64-FBGA (11x13)	下载	符合ROHS3标准			2832-S29GL512P10FFCR10	3A991B1A	8542.32.0071	180		非活跃性	512兆比特	100纳秒	闪光	32米×16	平行线	100纳秒
CAT24C16VP2E-GT3-LG	-	询价	8268	onsemi	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CAT24C16VP2E-GT3-LG-488			1
CY7C1614KV18-250BZI	253.9800	询价	86	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	CY7C1614	SRAM - 同步，QDR II	1.7V~1.9V	165-FBGA (15x17)	下载							1	250兆赫	易挥发的	144兆比特		静态随机存储器	4M×36	平行线	-	未验证
71V65703S75BQG8	26.1188	询价	6998	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	165-TBGA	71V65703	SRAM - 同步、SDR (ZBT)	3.135V～3.465V	165-CABGA (13x15)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	9兆比特	7.5纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
CAT24C05VP2I-GT3	-	询价	7869	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	CAT24C05	EEPROM	1.8V～5.5V	8-TDFN (2x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	3,000	400kHz	非活跃性	4Kbit	900纳秒	EEPROM	512×8	I²C	5毫秒
CY7C024-25JXI	-	询价	6196	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	84-LCC（J导联）	CY7C024	SRAM - 双端口，异步	4.5V～5.5V	84-PLCC (29.31x29.31)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	15		易挥发的	64Kbit	25纳秒	静态随机存储器	4K×16	平行线	25纳秒
70V25L55PF8	-	询价	5417	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	70V25L	SRAM - 双端口，异步	3V～3.6V	100-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	750		易挥发的	128Kbit	55纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	55纳秒
BR24G256FV-3AGTE2	0.4596	询价	8490	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BR24G256	EEPROM	1.7V～5.5V	8-SSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	2,500人	1兆赫	非活跃性	256Kbit		EEPROM	32K×8	I²C	5毫秒
DS28CN01U-W0E+1T	-	询价	9687	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	DS28C	EEPROM	1.62V～5.5V	8-uMAX/uSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	400kHz	非活跃性	1Kbit		EEPROM	128×8	I²C	10毫秒
23A512-E/ST	2.0550	询价	9898	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	23A512	静态随机存储器	1.7V～2.2V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	100	16兆赫	易挥发的	512Kbit		静态随机存储器	64K×8	SPI-四路I/O	-
IDT71V65602S133PF8	-	询价	9531	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	IDT71V65602	SRAM - 同步、SDR (ZBT)	3.135V～3.465V	100-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行	71V65602S133PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133兆赫	易挥发的	9兆比特	4.2纳秒	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
70V25L55J8	-	询价	4440	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	84-LCC（J导联）	70V25L	SRAM - 双端口，异步	3V～3.6V	84-PLCC (29.31x29.31)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0041	200		易挥发的	128Kbit	55纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	55纳秒
MT41K1G8THE-15E:D	-	询价	4182	美光科技公司	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-TFBGA	MT41K1G8	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (10.5x12)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8542.32.0036	1,000	667兆赫	易挥发的	8Gbit	13.5纳秒	动态随机存取存储器	1G×8	平行线	-
AT24C256C-SSHLEM-T	-	询价	7012	爱特梅尔	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AT24C256C	EEPROM	1.7V～5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.32.0051	1	1兆赫	非活跃性	256Kbit	550纳秒	EEPROM	32K×8	I²C	5毫秒
CYD09S72V-133BBI	-	询价	6939	英飞凌科技	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	484-BGA	CYD09S72	SRAM - 双端口，同步	1.42V～1.58V、1.7V～1.9V	484-FBGA (23x23)	-	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B2A	8542.32.0041	60	133兆赫	易挥发的	9兆比特	4.4纳秒	静态随机存储器	128K×72	平行线	-
MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G	304.1700	询价	3163	美光科技公司	-	盒子	的积极								-				557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF:G			1
CAT24C08ZGI-T3	0.1500	询价	6	onsemi	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	CAT24C08	EEPROM	1.7V～5.5V	8-MSOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-CAT24C08ZGI-T3-488	EAR99	8542.32.0071	1	400kHz	非活跃性	8Kbit	900纳秒	EEPROM	1K×8	I²C	5毫秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²