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内存（（70838）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S71K512SC0BHB000	25.0200	RFQ	4992	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，HyperFlash™ + HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S71K512	闪光，Dram	1.7V〜1.95V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	676	166 MHz	非易失性，挥发性	512mbit（flash），64mbit（ram）		闪光，ram	-	平行线	-
MT55V512V36FT-10	17.3600	RFQ	620	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
70261L12PFI	-	RFQ	8981	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-70261L12PFI			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	12ns
BR93L56RFV-WE2	0.4600	RFQ	2	Rohm半导体	-	（CT）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BR93L56	EEPROM	1.8V〜5.5V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	5ms
CYD09S72V-133BBI	-	RFQ	6939	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	484-BGA	CYD09S72	sram-双端口，同步	1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	484-fbga（23x23）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	60	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.4 ns	SRAM	128K x 72	平行线	-
M58WR064KU70ZA6F TR	-	RFQ	7982	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	88-VFBGA	M58WR064	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	88-vfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS
71421LA55J8	-	RFQ	9436	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	71421LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
7007S20PFI8	-	RFQ	5107	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7007S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR	-	RFQ	3551	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 32 lpdram）	平行线	-
UPD44165184BF5-E40-EQ3-A	37.1700	RFQ	8779	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
MT40A1G8AG-062E AUT：R TR	-	RFQ	7620	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-			到达不受影响	557-MT40A1G8AG-062EAUT：RTR			1
S25FL032P0XMFI013	3.5900	RFQ	8797	赛普拉斯半导体公司	fl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	S25FL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	70	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
70261S20PF8	-	RFQ	7876	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	16k x 16	平行线	20NS
SM662PAE-BDSS	-	RFQ	7521	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	过时的	-40°C〜105°C	表面安装	153-TFBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM662PAE-BDSS	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	640Gbit		闪光	80g x 8	EMMC	-
MT29F4G01ABBFD12-AATE：f tr	-	RFQ	7691	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	24-TBGA	MT29F4G01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	4G x 1	spi	-
SST39VF800A-70-4C-B3KE	1.9600	RFQ	42	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF800	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF800A704CB3KE	Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	20µs
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D	-	RFQ	9010	微米技术公司	-	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MT29RZ4C8	flash -nand，dram -lpddr2	1.8V	-	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	533 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），4GBIT（LPDDR2）		闪光，ram	256m x 16 nand），128m x 32 lpddr2）	平行线	-
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR	-	RFQ	8393	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	55 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS46R16160F-6BLA1	5.2943	RFQ	1772年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	190	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
71V3557S80PFGI	9.2351	RFQ	8286	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
PC28F640P30BF65B	8.3900	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	Axcell™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-PC28F640P30BF65BTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	非易失性	64mbit	65 ns	闪光	4m x 16	平行线	65ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²