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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
max8703etp	1.0700	RFQ	3	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	-40°C〜100°C	表面安装	20-WFQFN暴露垫	Max8703	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	20-TQFN-EP（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	16ns，14ns
ADP36110091RMZR	0.1800	RFQ	28	Onmi	*	大部分	积极的				ADP36110091		未行业行业经验证			-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
UC2724N	4.1300	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC2724		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
HIP5011IS	4.0000	RFQ	340	Intersil	Synchrofet™	大部分	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	HIP5011	不转变	未行业行业经验证	9.6v〜14.4V	7鸥翼饮	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	17a，17a	20N，20N
ISL6622CRZ-TR5453	-	RFQ	7674	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	-		（1 （无限）		20-isl6622crz-Tr5453tr	过时的		6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
HDC1100-03P	12.5000	RFQ	2	SMSC	*	大部分	积极的				HDC1100		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
adp3417jr	0.7000	RFQ	11	模拟设备公司	ADP3417	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3417	反转，无变形	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	-
HIP6602ACR	2.1500	RFQ	960	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	1.8v〜13.2V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	全桥	4	n通道MOSFET	-	730ma， -	20N，20N
R2J20652ANP ＃G3	6.8200	RFQ	29	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				R2J20652		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NCP4429DR2	0.4800	RFQ	28	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4429		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
UC2714DPTR	0.7100	RFQ	2	单位树	*	大部分	积极的				UC2714		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500
NCP4421P	1.3600	RFQ	14	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4421		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
R2J20604NP ＃13	10.2400	RFQ	109	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				R2J20604		未行业行业经验证			下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
R2J20651NP ＃G3	6.8200	RFQ	337	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				R2J20651		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
NCP3418D	0.2400	RFQ	5	Onmi	*	大部分	积极的				NCP3418		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
HIP2211FBZ-T7A	2.1800	RFQ	250	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2211	不转变	未行业行业经验证	6v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.47V，1.84V	3a，4a	435ns，365ns	115 v
2EDF9275FXUMA1	3.4000	RFQ	7	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	2EDF9275	不转变	未行业行业经验证	20V	PG-DSO-16-11	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	- ，1.65V	4a，8a	6.5NS，4.5NS	650 v
Fan7083m	1.1200	RFQ	18	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7083	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	8V，12.6V	200mA，400mA	200NS，25NS	600 v
FAN7080MX	-	RFQ	2430	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.7V	250mA，500mA	40ns，25ns	600 v
Fan7080cm	1.0700	RFQ	6	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.7V	250mA，500mA	40ns，25ns	600 v
max4420csa-t	2.3100	RFQ	2	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
max4428esa	-	RFQ	2403	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
max4428cpa	1.7800	RFQ	2	ADI/MAXIM集成	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
IR21091SPBF	-	RFQ	4356	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LM5109ASD	-	RFQ	2860	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
IRS2128pbf	1.4400	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2128	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
IR21084SPBF	-	RFQ	4471	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21084	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
CA3252M	1.8700	RFQ	28	哈里斯公司	汽车	大部分	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	CA3252	反转，无变形	未行业行业经验证	5V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	600mA，600mA	-	35 v
HIP5015IS1	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	7-SSIP形成的铅	HIP5015	不转变	未行业行业经验证	9.6v〜14.4V	7-sip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	1	n通道MOSFET	-	5a，5a	20N，20N
IRS2123SPBF	-	RFQ	5330	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2123	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	500mA，500mA	80n，80n	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²