感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LM2724AM	-	询价	6537	国家安全委员会	*	大部分	的积极				LM2724		未验证			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
RAJ20660AGNP#HA0	8.5300	询价	6	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				RAJ20660		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
LM5100BSDX	-	询价	9183	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
IXDD430MYI	-	询价	8395	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDD430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-263-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
IR2114SSTRPBF	3.8700	询价	5	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	IR2114	非反相	未验证	11.5V～20V	24-SSOP	-					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	2A、3A	24纳秒、7纳秒	600伏
TD352ID	2.9100	询价	1	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TD352	非反相	未验证	12V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、4.2V	1.3A、1.7A	100ns、100ns（顶部）
MAX15070BEUT+T	-	询价	3449	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MAX15070	反相、同相	未验证	6V~14V	SOT-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.25V	3A、7A	36纳秒、17纳秒
IR2125STRPBF	4.6100	询价	第379章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	红外2125	非反相	未验证	0V～18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、3.3A	43纳秒、26纳秒	500V
MIC4423YWM-TR	2.1800	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
MCP14A0305T-E/SN	1.1400	询价	17号	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0305	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
TPS2813PW	-	询价	6626	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPS2813	反相、同相	未验证	4V~14V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	300	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
IR21363STRPBF	7.1800	询价	819	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21363	反相	未验证	12V~20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
UC3715NG4	1.3600	询价	400	尤尼罗德	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UC3715	非反相	未验证	7V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
MIC4422AZN	3.2800	询价	1208	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
MAX8552EUB	1.1200	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX8552	非反相	未验证	4.5V~6.5V	10-uMAX	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	14纳秒、9纳秒
2SP0115T2B0-12	99.0600	询价	148	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-20℃～85℃（TA）	表面贴装	模块	2SP0115	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1041	EAR99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8A、15A	5纳秒、10纳秒	1200伏
LM5110-2MX/NOPB	2.4200	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5110	反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
UCC37325DR	0.4500	询价	5290	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC37325	反相、同相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
TC4426VMF713	0.9600	询价	5128	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426VMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
IXDN509SIA	-	询价	7037	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN509	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
MIC4424CWM	-	询价	4809	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
RAA2270634GNP#MA0	6.5300	询价	1	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	48-WFQFN 裸露焊盘	RAA2270634	非反相	未验证	4.5V～60V	48-QFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-RAA2270634GNP#MA0TR	EAR99	8542.39.0001	250	土耳其	半桥	3	N沟道MOSFET	-	1A、2A	40纳秒, 40纳秒
ISL89161FRTBZ	-	询价	3827	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89161	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6594ACB	1.3000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
NCP81071CMNTXG	1.4700	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	NCP81071	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-WDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.8V	5A、5A	8纳秒，8纳秒
MP1921HN-A-LF-Z	-	询价	第1582章	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MP1921	非反相	未验证	9V~18V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	120V
风扇3122TMX	2.0600	询价	9664	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3122	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
MIC4421AYN	2.4400	询价	1831年	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3509-5	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
ISL89164FRTAZ	2.6300	询价	第366章	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
UC2724N	4.1300	询价	4	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UC2724		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²