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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
UCC27322MDEP Texas Instruments UCC27322MDEP 8.7300
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 ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -55°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） UCC27322 非反相 未验证 4V～15V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 9A, 9A 20纳秒, 20纳秒
2EDL8123GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL8123GXUMA1 2.1800
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 ECAD 11 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 2EDL8123 非反相 未验证 8V~17V PG-VDSON-8-4 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 45纳秒, 45纳秒 90V
FAN7171MX onsemi 风扇7171MX -
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 ECAD 9509 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 风扇7171 非反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 25纳秒、15纳秒 600伏
UCC27322MDREP Texas Instruments UCC27322MDREP 4.5855
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 ECAD 6647 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） UCC27322 非反相 未验证 4V～15V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1.1V、2.7V 9A, 9A 20纳秒, 20纳秒
RT7028BGS Richtek USA Inc. RT7028BGS -
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 ECAD 4966 0.00000000 立锜美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） RT7028 非反相 未验证 10V～20V 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 300毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
MC34152DR2 onsemi MC34152DR2 -
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 ECAD 5931 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MC34152 非反相 未验证 6.1V～18V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.6V 1.5A、1.5A 36纳秒、32纳秒
DGD2103AS8-13 Diodes Incorporated DGD2103AS8-13 -
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 ECAD 2581 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） DGD2103 反相、同相 未验证 10V～20V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 100纳秒、50纳秒 600伏
6EDL04N02PRXUMA1 Infineon Technologies 6EDL04N02PRXUMA1 4.3700
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 ECAD 8 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 28-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） 6EDL04 非反相 未验证 10V～17.5V PG-TSSOP-28 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1.1V、1.7V - 60纳秒、26纳秒 200V
ISL6614CRZR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6614CRZR5214 -
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 ECAD 8876 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
RT9624FGQW Richtek USA Inc. RT9624FGQW 0.8200
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 ECAD 1 0.00000000 立锜美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 RT9624 非反相 未验证 4.5V～13.2V 8-WDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 同步化 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET - - 25纳秒、12纳秒 15V
EMB1412MYE/NOPB Texas Instruments EMB1412MYE/NOPB 4.2014
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 ECAD 第1463章 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） EMB1412 反相、同相 未验证 3.5V～14V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.3V 3A、7A 14纳秒、12纳秒
MLX83203KLW-DBA-000-SP Melexis Technologies NV MLX83203KLW-DBA-000-SP 4.4770
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 ECAD 4695 0.00000000 迈来芯科技公司 汽车，AEC-Q100 大部分 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 32-VFQFN 裸露焊盘 MLX83203 - 未验证 4.5V～28V 32-QFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET 0.8V、1.5V 1.4A、1.6A 7纳秒，7纳秒
EL7457CL-T7 Renesas Electronics America Inc EL7457CL-T7 -
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 ECAD 2093 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 EL7457 非反相 未验证 4.5V~18V 16-QFN (4x4) 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 高侧或低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 13.5纳秒、13纳秒
IRS2103PBF Infineon Technologies IRS2103PBF -
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 ECAD 3175 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 SIC停产 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 国税局2103 反相、同相 未验证 10V～20V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 SP001545488 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
MIC4429CM-TR Microchip Technology MIC4429CM-TR -
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 ECAD 2245 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) SIC停产 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4429 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 12纳秒、13纳秒
MCP14E8T-E/MF Microchip Technology MCP14E8T-E/MF 2.1600
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 ECAD 5547 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MCP14E8 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 12纳秒、15纳秒
MAX5078BATT-T ADI/Maxim Integrated MAX5078BATT-T -
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 ECAD 3016 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 MAX5078 反相、同相 未验证 4V～15V 6-TDFN (3x3) - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 32纳秒、26纳秒
ISL6605IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6605IRZ-T -
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 ECAD 5760 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6605 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 33V
ISL89165FBEAZ Intersil ISL89165FBEAZ 2.6300
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 ECAD 5 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL89165 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
MCP14A0602T-E/SN Microchip Technology MCP14A0602T-E/SN 1.2450
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 ECAD 6318 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MCP14A0602 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 6A, 6A 10纳秒，10纳秒
ISL6614IBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614IBZ-T -
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 ECAD 3544 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
ISL6594DCBZ Renesas Electronics America Inc ISL6594DCBZ -
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 ECAD 2289 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6594 非反相 未验证 6.8V～13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
MAX5062AASA ADI/Maxim Integrated MAX5062AASA -
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 ECAD 1979年 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MAX5062 非反相 未验证 8V～12.6V 8-SOIC - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 65纳秒, 65纳秒 125V
FAN3100CMPX onsemi 风扇3100CMPX 1.1900
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 ECAD 5709 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 风扇3100 反相、同相 未验证 4.5V~18V 6-MicroFET (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET - 3A、3A 13纳秒、9纳秒
MP1921HS-A-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1921HS-A-LF-Z 0.8400
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 ECAD 8216 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MP1921 非反相 未验证 9V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.4V 2.5A、2.5A 12纳秒、9纳秒 120V
1SC0450E2A0-65 Power Integrations 1SC0450E2A0-65 172.3133
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 ECAD 3892 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 1SC0450 - 未验证 14.5V～15.5V 模块 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 1810-1005 EAR99 8473.30.1180 12 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 50A、50A 30纳秒、25纳秒 6500伏
UCC27201ADRCR Texas Instruments UCC27201ADRCR 2.3600
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 ECAD 7263 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘，9 引脚 UCC27201 非反相 未验证 8V~17V 9-VSON (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 3A、3A 8纳秒、7纳秒 120V
TC4423COE Microchip Technology TC4423COE 3.4100
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 ECAD 42 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 23纳秒、25纳秒
MAX17605AUA+ ADI/Maxim Integrated MAX17605AUA+ 2.4500
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 ECAD 7590 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 MAX17605 反相、同相 未验证 4V~14V 8-uMAX-EP|8-uSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -4941-MAX17605AUA+ EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、碳化硅MOSFET 2V、4.25V 4A, 4A 40纳秒、25纳秒
IXDI404SI-16 IXYS IXDI404SI-16 -
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 ECAD 9121 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IXDI404 反相 未验证 4.5V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDI404SI-16-NDR EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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