SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
ADP3121JCPZ-RL onsemi ADP3121JCPZ-RL -
RFQ
ECAD 1622 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-VFDFN暴露垫,CSP ADP3121 不转变 未行业行业经验证 4.15v〜13.2V 8-lfcsp (3x3) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,20N 35 v
MCP14A1202T-E/SN Microchip Technology MCP14A1202T-E/SN 1.7400
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCP14A1202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2V 12a,12a 25n,25n
IRS21271PBF Infineon Technologies IRS21271pbf -
RFQ
ECAD 5509 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IRS21271 不转变 未行业行业经验证 9v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001548692 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 80n,40n 600 v
ISL89162FRTBZ Renesas Electronics America Inc ISL89162FRTBZ -
RFQ
ECAD 5076 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89162 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V,3.15V 6a,6a 20N,20N
UCC27210DRMT Texas Instruments UCC27210DRMT 2.3500
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27210 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.4V,5.8V 4a,4a 7.2NS,5.5NS 120 v
TC4422AVOA713-VAO Microchip Technology TC4422AVOA713-VAO -
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 微芯片技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4422 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 10a,10a 38ns,33ns
IR2011STR Infineon Technologies IR2011st -
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2011 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.7V,2.2V 1a,1a 35NS,20NS 200 v
RT9625AZQW Richtek USA Inc. RT9625AZQW -
RFQ
ECAD 3914 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-WQFN暴露垫 RT9625 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 16-WQFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,500 同步 半桥 4 n通道MOSFET 0.7V,3.2V - 25ns,12ns 15 v
LTC4444HMS8E#PBF ADI LTC4444HMS8E #PBF 6.8300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4444 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC4444HMS8E #PBF Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
HIP6603BECB Renesas Electronics America Inc HIP6603BECB -
RFQ
ECAD 9781 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP6603 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 20N,20N 15 v
ISL89162FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89162FBEAZ-T -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89162 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V,2.08V 6a,6a 20N,20N
ISL6615ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6615ACBZ-T -
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6615 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.5a,4a 13ns,10ns 36 V
BD2270HFV-LBTR Rohm Semiconductor BD2270HFV-LBTR 1.6100
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 SOT-665 BD2270 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜5.5V 5-HVSOF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 130µs,18µs
TC427MJA Microchip Technology TC427MJA 40.9000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TC427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 30ns,30ns
NCD5701BDR2G onsemi NCD5701BDR2G 3.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCD5701 - 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 IGBT - 7.8a,6.8a 18NS,19NS
MAX4429ESA+ ADI/Maxim Integrated max4429esa+ 5.4900
RFQ
ECAD 304 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX4429ESA+ Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
FAN73711MX onsemi FAN73711MX 0.9758
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan73711 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 25ns,15ns 600 v
TC4427CPA Microchip Technology TC4427CPA 2.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
IRS10752LTRPBF Infineon Technologies IRS10752LTRPBF 1.2200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 µHVIC™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 IRS10752 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V PG-SOT23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 160mA,240mA 85NS,40NS 100 v
RT9624AZQW Richtek USA Inc. RT9624AZQW 0.8700
RFQ
ECAD 339 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 RT9624 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-wdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,3.2V - 25ns,12ns 15 v
IXDI604PI IXYS Integrated Circuits Division IXDI604PI 2.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXDI604 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA360 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
NCV5703BDR2G onsemi NCV5703BDR2G 2.3300
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCV5703 不转变 未行业行业经验证 20V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 半桥 1 IGBT 0.75V,4.3V 1a,1a 9.2NS,7.9NS
MP1921HQE-A-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1921HQE-A-LF-P -
RFQ
ECAD 6320 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 9-VFDFN暴露垫 MP1921 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 9-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.4V 2.5a,2.5a 12ns,9ns 120 v
NCV5701BDR2G onsemi NCV5701BDR2G 1.0532
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCV5701 反转 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2832-NCV5701BDR2GTR Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.75V,4.3V 20mA,15mA 9.2NS,7.9NS
ISL6612BIBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612BIBZ -
RFQ
ECAD 6525 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TC4425VMF713 Microchip Technology TC4425VMF713 1.9350
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4425 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4425VMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
IR21363STRPBF Infineon Technologies IR21363STRPBF 7.1800
RFQ
ECAD 819 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR21363 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
TPS2812DG4 Texas Instruments TPS2812DG4 -
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2812 不转变 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
LTC4446IMS8E#PBF ADI LTC4446IMS8E #PBF 6.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4446 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
TDA21462AUMA1 Infineon Technologies TDA21462AUMA1 5.8200
RFQ
ECAD 9199 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 39-PowerVFQFN TDA21462 不转变 未行业行业经验证 4.25V〜16V PG-IQFN-39 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库