感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
风扇73711MX	0.9758	询价	8527	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73711	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	25纳秒、15纳秒	600伏
MIC4423BWM	-	询价	7345	微芯片	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
FAN7083M-GF085	-	询价	1981年	onsemi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7083	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	9,500	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	200毫安、400毫安	200纳秒、25纳秒	600伏
1SD418F2-FZ2400R17KF6	-	询价	7513	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	100纳秒，100纳秒
LTC4440EMS8E-5	-	询价	4741	模拟器件公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4440	非反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-EP	-		1（无限制）		161-LTC4440EMS8E-5	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.6V、1.2V	1.1A、1.1A	100纳秒、70纳秒	80V
1SP0351V2A0C-XXXX (2)(3)(4)	391.2200	询价	9781	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0351V2A0C-XXXX(2)(3)(4)			2
LTC7000JMSE-1#WTRPBF	5.5050	询价	1969年	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-TFSOP（0.118英寸，3.00毫米宽），12引脚，裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	161-LTC7000JMSE-1#WTRPBFTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒
MAX5063CASA+T	7.1700	询价	4029	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
SMC0717	-	询价	3324	onsemi	-	大部分	过时的				SMC0717		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
1SD210F2-CM900HG-90H_OPT1	-	询价	2244	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-CM900HG-90H_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	680伏
IR3519STRPBF	-	询价	2602	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR3519	非反相	未验证	6.5V～7.5V	8-SON	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	5纳秒，5纳秒	35V
ISL6208FHRZ-TS2378	-	询价	3338	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6208	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-DFN (2x2)	-				20-ISL6208FHRZ-TS2378	过时的		1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
EL7457CU-T13	-	询价	8975	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-QSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
IRS4426SPBF	-	询价	9345	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局4426	反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.3A、3.3A	25纳秒, 25纳秒
UCC27284QDRQ1	1.6800	询价	8691	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27284	非反相	未验证	5.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	296-UCC27284QDRQ1CT	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.4V	2.5A、3.5A	12纳秒、10纳秒	120V
MIC4102YM-TR	2.6500	询价	19号	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4102	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、3A	330纳秒、200纳秒	118V
IRS2334STRPBF	2.3616	询价	9254	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2334	非反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MP6539GV-Z	1.3122	询价	5134	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘		非反相		8V～100V	28-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP6539GV-ZTR			5,000	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-	120V
ISL6613BCB	1.0000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2ED21814S06JXUMA1	3.0500	询价	7893	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED21814	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-14	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧和低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	2.5A、2.5A	15纳秒，15纳秒	675伏
2EDF8275FXUMA1	3.3400	询价	6598	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDF8275	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-11	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
A4919GETTR-5-T	3.0600	询价	3899	快板微系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘	A4919	TTL	未验证	5.5V～50V	28-QFN (5x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,500人	土耳其	高侧或低侧	6	N沟道MOSFET	0.8V、1.5V	-	35纳秒、20纳秒
ISL6610CBZ-T	-	询价	2727	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6610	非反相	未验证	4.5V~5.5V	14-SOIC	-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
EB01-6MBI225U4-120	-	询价	3446	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-6MBI225	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-	6	IGBT	-	-	-	800V
ISL6612BCRZ	-	询价	4838	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
1SD210F2-CM600HG-130H_OPT1	-	询价	第1465章	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-CM600HG-130H_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
HIP6601BECB	-	询价	1599	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP6601	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
MCP14E7T-E/MF	2.1600	询价	6232	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E7	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	12纳秒、15纳秒
1SP0335V2M1-5SNA0600G650100	202.2083	询价	第1392章	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1-5SNA0600G650100	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
ISL6622ACBZ	-	询价	6014	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6622ACBZ	EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²