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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ADP3121JCPZ-RL | - | ![]() | 1622 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-VFDFN暴露垫,CSP | ADP3121 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.15v〜13.2V | 8-lfcsp (3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,20N | 35 v | |||
![]() | MCP14A1202T-E/SN | 1.7400 | ![]() | 7151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A1202 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | 12a,12a | 25n,25n | |||
![]() | IRS21271pbf | - | ![]() | 5509 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS21271 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001548692 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | |
ISL89162FRTBZ | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89162 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.15V | 6a,6a | 20N,20N | ||||
![]() | UCC27210DRMT | 2.3500 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | UCC27210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-VSON (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V,5.8V | 4a,4a | 7.2NS,5.5NS | 120 v | ||
![]() | TC4422AVOA713-VAO | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 10a,10a | 38ns,33ns | |||
![]() | IR2011st | - | ![]() | 6668 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2011 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2.2V | 1a,1a | 35NS,20NS | 200 v | ||
![]() | RT9625AZQW | - | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-WQFN暴露垫 | RT9625 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 16-WQFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.7V,3.2V | - | 25ns,12ns | 15 v | ||
![]() | LTC4444HMS8E #PBF | 6.8300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -2735-LTC4444HMS8E #PBF | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | |
![]() | HIP6603BECB | - | ![]() | 9781 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP6603 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC-EP | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N | 15 v | ||
![]() | ISL89162FBEAZ-T | - | ![]() | 8383 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89162 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | |||
![]() | ISL6615ACBZ-T | - | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a,4a | 13ns,10ns | 36 V | ||
![]() | BD2270HFV-LBTR | 1.6100 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | SOT-665 | BD2270 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜5.5V | 5-HVSOF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | 130µs,18µs | |||
![]() | TC427MJA | 40.9000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TC427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | |||
NCD5701BDR2G | 3.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCD5701 | - | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | - | 7.8a,6.8a | 18NS,19NS | ||||
max4429esa+ | 5.4900 | ![]() | 304 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -4941-MAX4429ESA+ | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | |||
![]() | FAN73711MX | 0.9758 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan73711 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 4a,4a | 25ns,15ns | 600 v | ||
TC4427CPA | 2.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | ||||
![]() | IRS10752LTRPBF | 1.2200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | µHVIC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | IRS10752 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜18V | PG-SOT23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 160mA,240mA | 85NS,40NS | 100 v | ||
![]() | RT9624AZQW | 0.8700 | ![]() | 339 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | RT9624 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-wdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,3.2V | - | 25ns,12ns | 15 v | ||
![]() | IXDI604PI | 2.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDI604 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CLA360 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||
NCV5703BDR2G | 2.3300 | ![]() | 8730 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5703 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT | 0.75V,4.3V | 1a,1a | 9.2NS,7.9NS | ||||
MP1921HQE-A-LF-P | - | ![]() | 6320 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | MP1921 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜18V | 9-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 2.5a,2.5a | 12ns,9ns | 120 v | |||
NCV5701BDR2G | 1.0532 | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5701 | 反转 | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2832-NCV5701BDR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | 0.75V,4.3V | 20mA,15mA | 9.2NS,7.9NS | |||
![]() | ISL6612BIBZ | - | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | TC4425VMF713 | 1.9350 | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4425 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4425VMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | ||
![]() | IR21363STRPBF | 7.1800 | ![]() | 819 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR21363 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | TPS2812DG4 | - | ![]() | 3832 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TPS2812 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 1V,4V | 2a,2a | 14ns,15ns | |||
![]() | LTC4446IMS8E #PBF | 6.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4446 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | TDA21462AUMA1 | 5.8200 | ![]() | 9199 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 39-PowerVFQFN | TDA21462 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.25V〜16V | PG-IQFN-39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | - |
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