感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LTC7000ARMSE-1#TRPBF	7.4200	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118英寸，3.00毫米宽），12引脚，裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	14V
UCC27324DR	1.9100	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27324	非反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
UCC27611DRVT	2.4600	询价	10	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	UCC27611	反相、同相	未验证	4V~18V	6-WSON (2x2)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.3V、1.85V	4A、6A	5纳秒，5纳秒
风扇7080M	1.0700	询价	5	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7080	非反相	未验证	5.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.7V	250毫安、500毫安	40纳秒、25纳秒	600伏
HDC1100-03P	12.5000	询价	2	短信服务中心	*	大部分	的积极				HDC1100		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
MPQ1923GRE-AEC1-P	-	询价	3134	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装，可湿侧面	10-VFDFN 裸露焊盘		非反相		5V~17V	10-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MPQ1923GRE-AEC1-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	7A、8A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
ISL6612BECB-T	-	询价	2417	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IRS2103STRPBF	1.4500	询价	第372章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏
HIP0063AB	1.1900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	HIP0063	反相	未验证	4.5V~5.5V	28-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	6	N沟道、P沟道MOSFET	1.5V、3.5V	-	-
MP1924HS-LF-P	1.4780	询价	2325	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		非反相		9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP1924HS-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A, 4A	15纳秒、9纳秒	118V
EL7156CS	-	询价	3619	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	97	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
LM25101ASD/NOPB	2.3760	询价	5356	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	100伏
2EDL8034G4BXTMA1	1.4103	询价	5157	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极						未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				5,000
MD1820K6-G	1.4850	询价	4483	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VFQFN 裸露焊盘	MD1820	非反相	未验证	5V～10V	16-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.3V、1.7V	2A, 2A	7纳秒，7纳秒
ISL6605CBZR5168	-	询价	8769	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6605	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
ISL6612ACBZA	-	询价	7089	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4606-1YML-TR	2.1450	询价	9412	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	麦克风4606	非反相	未验证	5.25V～16V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	全桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
FL73293MX	-	询价	5384	onsemi	-	大部分	过时的				FL73293		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	488-FL73293MX	过时的		1
1SD210F2-FZ400R65KE3	-	询价	2346	电源集成	规模™-1	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-FZ400R65KE3	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
MAX5057BASA+	10.4200	询价	第882章	ADI/Maxim 集成	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5057	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
LTC7001MPMSE#TR	-	询价	5855	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7001	非反相	未验证	3.5V～15V	10-MSOP-EP	-		1（无限制）		161-LTC7001MPMSE#TR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
2SP0115T2A0-XXXX (2)(3)(4)	95.1558	询价	9784	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0115T2A0-XXXX(2)(3)(4)			12
1SD418F2-FZ1200R33KF1	-	询价	5187	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	100纳秒，100纳秒
HT0440K6-G	2.4600	询价	8372	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	HT0440	非反相	未验证	3.15V～5.5V	10-DFN (3x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.5V、3.15V	-	650μs，3ms（顶部）	400V
NCD5703CDR2G	1.2285	询价	9554	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCD5703	非反相	未验证	20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	半桥	1	IGBT	0.75V、4.3V	7.8A、6.8A	9.2纳秒、7.9纳秒
LM5106SD	-	询价	9113	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5106	非反相	未验证	8V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.2A、1.8A	15纳秒、10纳秒	118V
TDA21475AUMA1	7.5300	询价	7870	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	41-PowerWFQFN	TDA21475	非反相	未验证	4.25V～16V	41-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	同步化	-	4	-	-	-	-
L6498LTR	-	询价	6043	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6498	CMOS/TTL	未验证	10V～20V	14-SO	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.45V、2V	2A、2.5A	25纳秒, 25纳秒	500V
MCP1404-E/MF	2.8700	询价	9484	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
MAX5063BASA	-	询价	7113	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²