感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
风扇73611MX	1.2800	询价	220	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73611	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	250毫安、500毫安	70纳秒、30纳秒	600伏
MCP1406T-E/MF	1.4700	询价	5182	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1406T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
TLE9180D32QKXUMA1	-	询价	3106	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	64-LQFP 裸露焊盘	TLE9180	-	未验证	6V～60V	PG-LQFP-64-27	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,900人	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	-	2A	35纳秒, 35纳秒
ISL6620ACBZ-T	-	询价	9515	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6620	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
MAX15025EATB+T	-	询价	2584	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	MAX15025	反相、同相	未验证	4.5V～28V	10-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	2A、4A	48纳秒、32纳秒
FAN3214TMX-F085	-	询价	3583	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3214	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
IX2113BTR	-	询价	8408	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	600伏
AUIRS2117S	-	询价	8800	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2117	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511752	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、25纳秒	600伏
IRS2336JPBF	-	询价	3695	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2336	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001535038	EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
HIP2101IRT	-	询价	5888	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	16-QFN (5x5)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
LM5100MX	-	询价	4279	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
IRS2128SPBF	-	询价	8567	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2128	反相	未验证	12V~20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001534782	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
ADP3415LRMZ-卷轴	-	询价	4111	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	ADP3415	非反相	未验证	4.75V～5.25V	10-MSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000		半桥	2					30V
ISL6612AIB	2.1200	询价	第817章	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2SD316EI-12	-	询价	5491	电源集成	规模™-1	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	2SD316	-	未验证	15V	模块	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8543.70.9860	12	-	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	-
风扇3121CMX	1.6100	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3121	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
HIP6601BCB-T	-	询价	7806	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6601	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
TPS2814DRG4	-	询价	3494	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2814	反相、同相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-Z	2.8500	询价	第1339章	单片电力系统公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MPQ18021	非反相	未验证	9V~18V	8-SOICE	-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ18021HN-A-AEC1-LF-ZTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	115V
MCP14A0153T-E/SN	0.9450	询价	7437	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0153	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
2EDL8124GXUMA1	2.3200	询价	5	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8124	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	-	4A, 4A	45纳秒, 45纳秒	90V
FAN7085MX-GF085	3.0900	询价	7307	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7085	反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	450毫安，450毫安	65纳秒、25纳秒	300伏
IRS21856SPBF	1.1600	询价	4	国际校正器公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21856	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	500毫安，500毫安	30纳秒、20纳秒	600伏
TC4422ESM713	3.3900	询价	3564	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIJ	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
IRS26320C	-	询价	9991	英飞凌科技	-	大部分	过时的				国税局26320		未验证			下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001547138	EAR99	8542.39.0001	1
SC1302AIMSRT	-	询价	3978	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-MSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	20纳秒, 20纳秒
LM5060MM/NOPB	2.4500	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5060	非反相	未验证	5.5V～65V	10-VSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	24微安，2.2毫安	-
TPS51604DSGR	1.6900	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 105°C（太焦）	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	TPS51604	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-WSON (2x2)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.6V、2.65V	-	30纳秒、8纳秒	34V
IRS2302STRPBF	2.1500	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2302	非反相	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
UCC27201AD	2.4800	询价	4423	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²