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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MP18024HN-LF	-	RFQ	9266	Monolithic Power Systems Inc.	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP18024	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	-	15ns，9ns	100 v
max5063aasa+	11.4200	RFQ	4455	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX5063AASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
LTC7062EMSE＃trpbf	3.4300	RFQ	6148	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7062	不转变	未行业行业经验证	5v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	18NS，14NS	115 v
LM5100AM	-	RFQ	6916	Texas Instruments	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IRS2334STRPBF	-	RFQ	1655年	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	IRS2334	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
mp6528gr-p	1.9356	RFQ	7217	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	MP6528	-	未行业行业经验证	5v〜60V	28-qfn （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	800mA，1a	-
IRS2183STRPBF	3.8200	RFQ	7958	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2183	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IXDF504SIA	-	RFQ	9731	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF504	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
MIC4605-1YMT-TR	1.1200	RFQ	6177	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-UFDFN暴露垫	MIC4605	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	10-tdfn（2.5x2.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
MC33153PG	2.5000	RFQ	7863	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33153	反转	未行业行业经验证	11V〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，3.2V	1a，2a	17ns，17ns
LTC4441IMSE ＃PBF	10.0400	RFQ	578	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
MC33151DR2	-	RFQ	5373	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
IRS21531DPBF	4.2000	RFQ	740	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.4V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
IRS2332DJPBF	-	RFQ	1434	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS2332	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响	SP001548800	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
TC4404COA713	2.7900	RFQ	8186	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4404	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	TC4404COA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
FAN3121TMX	1.5600	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3121	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	10.6a，11.4a	23ns，19ns
UC2707DW	7.9406	RFQ	5414	Texas Instruments	-	管子	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
UCC27210DPRR	0.9945	RFQ	6284	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	UCC27210	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.4V，5.8V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
LM5111-2M	-	RFQ	1717年	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
FAN3226CMPX	1.3200	RFQ	2766	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
SN75374N	3.9900	RFQ	7	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	SN75374	反转	未行业行业经验证	4.75V〜28V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	20N，20N
LTC1177IN-5	-	RFQ	7976	模拟设备公司	-	大部分	过时的		通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	LTC1177i	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	18浸	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	20		高方向	1
TC4421VPA	3.5000	RFQ	8567	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
1SD418F2-5SNA1500E330300	-	RFQ	1916年	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
max15202ate+	-	RFQ	5174	ADI/MAXIM集成	*	托盘	过时的				Max15202		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
MCP14A0301T-E/KBA	1.1100	RFQ	235	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
IR2108SPBF	2.9400	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR21844SPBF	4.0700	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
HR2000GS-Z	1.4803	RFQ	6992	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HR2000	-	未行业行业经验证	10v〜12v	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	-	600 v
IR2103	-	RFQ	6662	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2103	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²