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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC4428CPA	2.0000	RFQ	783	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
NCP81071CMNTXG	1.4700	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	NCP81071	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-wdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.8V	5a，5a	8ns，8ns
MIC4223Y	2.2000	RFQ	4	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4223	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3547-5	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
ISL6609AIRZ-T	2.5384	RFQ	9299	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ZXGD3101N8TC	1.0200	RFQ	7321	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ZXGD3101	不转变	未行业行业经验证	5v〜15V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	-	2.5a，2.5a	305NS，20NS
ISL89166FRTAZ	-	RFQ	3716	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89166	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
ixdi509pi	-	RFQ	7830	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDI509	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
IXDN409SI	-	RFQ	4335	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
FAN7190MX-F085P	-	RFQ	3838	Onmi	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7190	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	8-SOIC	-		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
DGD0590FU-7	-	RFQ	9772	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	DGD0590	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	V-QFN3030-8（TH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，3.3V	1a，3a	27ns，29ns	50 V
IX2120B	-	RFQ	6441	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2120	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	28-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA4171	Ear99	8542.39.0001	28	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	9.4ns，9.7ns	1200 v
UCC27611DRVR	0.9900	RFQ	6881	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27611	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜18V	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.3V，1.85V	4a，6a	5n，5ns
LM5105SD/NOPB	3.3300	RFQ	2748	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5105	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.8a，1.8a	15ns，15ns	118 v
TC1426CUA	-	RFQ	7070	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1426CUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
Fan3100TSX	1.0900	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	Fan3100	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	13ns，9ns
UCC27282QDQ1	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27282	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	296-UCC27282QDQ1	Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.9V，2.4V	2.5a，3.5a	12n，10n	120 v
TC4452VPA	3.2000	RFQ	180	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
UCC27512DRSR	1.1800	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27512	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
MCP14E4-E/p	2.6300	RFQ	5331	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP14E4	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E4EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
tps2814p	2.0800	RFQ	427	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TC4626EPA	5.2300	RFQ	6287	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4626	反转	未行业行业经验证	4V〜6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4626EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
LM5101ASDX	4.6530	RFQ	7762	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
IXK611S1	-	RFQ	3966	ixys	-	盒子	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXK611	-	未行业行业经验证	-	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	470	-	-		-	-	-	-
TC4421AVMF	2.8000	RFQ	37	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
ISL6620ACRZ-T	-	RFQ	1964年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
LM5102SDX	-	RFQ	1373	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IXD611S1	-	RFQ	8650	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	470	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
MIC4451ABM-TR	-	RFQ	8636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
UC3709NG4	-	RFQ	2170	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3709	反转	未行业行业经验证	5V〜40V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	20N，20N
LM5114BMFX/S7003094	1.6200	RFQ	5222	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	LM5114	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²