感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC即时
TC4627COE713	4.6500	询价	1039	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4627	非反相	未验证	4V~6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4627COE713-NDR	EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	33纳秒、27纳秒
风扇7383MX	1.6600	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	风扇7383	非反相	未验证	15V~20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.9V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
L6387ED	1.6600	询价	9523	意法半导体	-	管子	的积极	-45°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6387	反相	未验证	17V（最大）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
MIC4123YML-TR	2.1600	询价	6421	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	麦克风4123	反相	未验证	4.5V～20V	8-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	11纳秒, 11纳秒
IR2130JPBF	-	询价	9818	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2130	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
ISL89162FBEAZ-T	-	询价	8383	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6612CR-T	-	询价	2934	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
SC1302CISTRT	-	询价	1691	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	20纳秒, 20纳秒
CSD123	-	询价	7294	电源集成	-	大部分	过时的				CSD123		未验证			-		不适用			过时的	0000.00.0000	1
TC1426COA	1.4900	询价	8443	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1426	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
L6743BTR	-	询价	2670	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	L6743	非反相	未验证	5V~12V	8-VFDFPN (3x3)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A，-	-	41V
MIC4425CN	-	询价	4351	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
ISL6594DCRZ	-	询价	2411	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
U6083B-M	-	询价	4855	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	U6083B	非反相	未验证	25V（最大）	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,800	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
TC427IJA	40.9000	询价	8160	微芯片	-	管子	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
TC4428MJA	-	询价	7672	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428MJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MCP14E3T-E/SL	-	询价	7212	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E3	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,600		低侧	2
IR2101SPBF	2.7700	询价	2	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2101	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
LTC1623IS8#PBF	5.1055	询价	2008年	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1623	非反相	未验证	2.7V～5.5V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.6V、1.4V	-	-
UCC27210DPRR	0.9945	询价	6284	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
MIC4427YM	1.4500	询价	7494	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
UCC27322DRG4	-	询价	1834年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27322	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
TC1428CUA713	-	询价	2597	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1428	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1428CUA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
TC4425EPA	2.7800	询价	8409	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4425EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
MIC4102BM-TR	-	询价	4484	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4102	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、3A	330纳秒、200纳秒	118V
ISL89163FRTCZ-T	-	询价	8501	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	ISL89163	非反相		7.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒		未验证
IXDN609SITR	3.2200	询价	13	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDN609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
NCP5106BMNTWG	-	询价	5255	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VDFN 裸露焊盘	NCP5106	非反相	未验证	10V～20V	10-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	600伏
ADP3654ARDZ-RL	2.8500	询价	4	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
LTC1693-2CS8#PBF	5.7300	询价	172	模拟器件公司	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1693	反相、同相	未验证	4.5V～13.2V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	1.7V、2.2V	1.5A、1.5A	16纳秒, 16纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²