感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IHD260IC1	-	询价	3266	电源集成	规模™-1	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	36-DIP模块，24引脚	IHD260	反相	未验证	14V~16V	模块	下载				1810-IHD260IC1	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	-	100纳秒、80纳秒
ISL6614ACB-T	1.6200	询价	45	Intersil	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP1416RT-E/OT	0.8800	询价	950	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	MCP1416	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
TC4427AMJA	-	询价	7190	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AMJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
IRS2330DSPBF	-	询价	9476	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2330	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001534850	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
2ED21834S06JXUMA1	3.0500	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED21834	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-14-49	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	2.5A、2.5A	15纳秒，15纳秒	650伏
ZXGD3002E6TA	0.7800	询价	3149	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	ZXGD3002	非反相	未验证	20V（最大）	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	9A, 9A	8.3纳秒、10.8纳秒
RT7027GS	-	询价	8456	立锜美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RT7027	非反相	未验证	10V～20V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	300毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏
MAX5064BATC	-	询价	3609	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	12-WQFN 裸露焊盘	MAX5064	反相、同相	未验证	8V～12.6V	12-TQFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
AUIRS4427STR	-	询价	3418	英飞凌科技	-	大部分	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS4427	非反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人		低侧	2
ISL89164FRTBZ-T	2.9559	询价	6469	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
DGD2190S8-13	0.8204	询价	7416	分散公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2190	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
LTC4440AIMS8E-5#PBF	6.4600	询价	第558章	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4440	非反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4440AIMS8E-5#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.2V、1.6V	1.1A、1.1A	10纳秒、7纳秒	80V
MAX5056AASA-T	-	询价	8567	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5056	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
UCC27425QDRQ1	0.5670	询价	4098	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27425	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
2SB315A-DIM800DDM12-A000	-	询价	1103	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-	安装结构	模块	2SB315	-	未验证	0V～16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	-
ISL6614CRZA-T	-	询价	4546	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TPS2812D	2.2700	询价	第417章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2812	非反相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
IXDI604SITR	3.6300	询价	1	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI604	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
麦克风5014YM	2.9100	询价	2	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风5014	非反相	未验证	2.75V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
NCP5351DR2G	-	询价	8370	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-30°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5351	反相、同相	未验证	4.5V~6.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	8纳秒、14纳秒	25V
MCP14A0051T-E/五月	0.7350	询价	4358	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	MCP14A0051	反相	未验证	4.5V~18V	6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	40纳秒、28纳秒
NCP4429P	0.5300	询价	25	onsemi	*	大部分	的积极				NCP4429		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
UCC27424QDGNRQ1	0.5670	询价	第1659章	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27424	非反相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
MIC4424CWMTR	0.7000	询价	13	微芯片	-	大部分	的积极	0℃～70℃	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
LTC7000IMSE#TRPBF	8.9300	询价	2507	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
2EDN8524FXTMA1	1.4500	询价	6	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	2EDN8524	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-TSSOP-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.9V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
L6390DTR	2.4300	询价	8316	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6390	非反相	未验证	12.5V～20V	16-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.9V	290毫安、430毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
LM5109BQNGTRQ1	0.6750	询价	5442	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
ISL6209CB-T	-	询价	4938	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6209	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、3.1V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²