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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IR2111st	-	RFQ	5332	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2111	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	8.3V，12.6V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IXDI502D1T/r	-	RFQ	8818	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDI502	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
adp3625ardz-rl	3.1500	RFQ	1	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3625	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
FAN7380MX	1.4000	RFQ	4154	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7380	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	90mA，180mA	230ns，90ns	600 v
LTC1693-1IS8＃trpbf	6.6000	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1693	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	1.7V，2.2V	1.5a，1.5a	16ns，16ns
LT1158CN ＃PBF	10.2700	RFQ	762	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1158	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜30V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	130ns，120ns	56 v
UCC27200ADRCT	2.8300	RFQ	2097	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫，9条线索	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	9-VSON （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
MIC4224YM-TR	2.7800	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
IXDN409PI	-	RFQ	2898	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
HIP2100IR4ZT	-	RFQ	4101	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	12-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
MIC4421ACM	-	RFQ	9404	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
TC4420CAT	3.9700	RFQ	105	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	tc4420cat-ndr	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MCP14A0304-E/MS	1.1400	RFQ	418	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IR2101pbf	-	RFQ	8416	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2101	不转变		10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v	未行业行业经验证
IRS2308STRPBF	1.6000	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2308	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
LTC1623CMS8 trpbf	3.5250	RFQ	8571	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	LTC1623	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
max15025eatb+t	-	RFQ	2584	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，4a	48ns，32ns
MIC4468ZWM-TR	5.0800	RFQ	164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
MCP14A0303-E/SN	0.9450	RFQ	9114	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
MIC5014BM-TR	-	RFQ	1790年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
max5064batc	-	RFQ	3609	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	12-WQFN暴露垫	Max5064	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	12-TQFN （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
MIC4420CM-TR	-	RFQ	3996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
IRS2301SPBF	0.8143	RFQ	9332	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
lt8672hms＃trpbf	4.3500	RFQ	5925	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	LT8672	不转变	未行业行业经验证	3v〜42v	10-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
NCP3418DR2	-	RFQ	5684	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	18NS，10NS	30 V
ISL6605CBZ	-	RFQ	9153	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6605cbz	Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
LM5100CSD	-	RFQ	8482	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
TPS2814DRG4	-	RFQ	3494	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
ZXGD3003E6TA	0.6000	RFQ	132	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3003	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	5a，5a	8.9NS，8.9NS
IR20153SPBF	-	RFQ	6066	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR20153	反转	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.4V，3V	1.5a，1.5a	200NS，100NS	150 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²