感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LTC7000JMSE#WPBF	9.8600	询价	第1787章	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒
LF2190NTR	1.9700	询价	15	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LF2190	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1	-	询价	4998	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
MAX15070BAUT+T	-	询价	6018	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MAX15070	反相、同相	未验证	6V~14V	SOT-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.25V	3A、7A	36纳秒、17纳秒
LM25101CSD/NOPB	2.3760	询价	1054	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	100伏
TC4427AVMF713	1.3050	询价	4256	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AVMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
NCV5701BDR2G	1.0532	询价	8218	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCV5701	反相	未验证	20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-NCV5701BDR2GTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.75V、4.3V	20毫安、15毫安	9.2纳秒、7.9纳秒
HIP2100IR4ZT	-	询价	4101	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
LM5101AMX/NOPB	3.5000	询价	6560	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
TC4426CPA	2.0000	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
HIP2122FRTAZ	3.3600	询价	4	Intersil	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	HIP2122	反相	未验证	8V~14V	10-TDFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3.7V、7.93V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
风扇3268TMX	1.6300	询价	3767	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3268	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
HIP6603BCBZ-T	-	询价	9063	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6603	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
NCP5106AMNTWG	-	询价	1004	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VDFN 裸露焊盘	NCP5106	非反相	未验证	10V～20V	10-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	600伏
UCC27211DR	1.9600	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27211	非反相	未验证	8V~17V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.7V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
PX3511ADDG-RA	-	询价	7918	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	PX3511	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MP6528GR-P	1.9356	询价	7217	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘	MP6528	-	未验证	5V～60V	28-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-
LTC3900ES8#TRPBF	7.6200	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC3900	反相、同相	未验证	4.5V～11V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	15纳秒，15纳秒
TC4429EOA713	1.6200	询价	6538	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4429EOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MCP14700-E/MF	2.1900	询价	3	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14700	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14700EMF	EAR99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	36V
IRS2332DJPBF	-	询价	第1434章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2332	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001548800	EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
TC4420EMF	1.3350	询价	4518	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4420EMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
UCC27210DRMT	2.3500	询价	4271	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
R2J20604NP#13	10.2400	询价	109	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				R2J20604		未验证			下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
PX3511DDDG-RA	-	询价	7936	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	PX3511	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LM5100BMA/NOPB	2.1608	询价	8300	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
TC4420CAT	3.9700	询价	105	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	TC4420	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	TC4420CAT-NDR	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
IR4426SPBF	2.8700	询价	4	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR4426	反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP001547422	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、10纳秒
L9856-LF	-	询价	2735	意法半导体	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L9856	反相	未验证	4.4V~6.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	100纳秒，100纳秒	150伏
IRS2330DJTRPBF	3.7600	询价	91	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2330	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、0.8V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²