感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX5055AASA-T	-	询价	3930	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5055	反相	未验证	4V～15V	8-SOIC-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
HIP6604BCR-T	0.8700	询价	5	Intersil	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6604	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
IR2102STRPBF	1.9600	询价	1	国际校正器公司	*	大部分	的积极				IR2102		未验证			下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-IR2102STRPBF-600047			1
2QG010DDC11N	174.6000	询价	30	田村	-	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	2PG010	非反相	未验证	13V~28V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	132-2QG010DDC11N	EAR99	8543.70.9860	20	独立的	半桥	2	IGBT	0.5V、3.3V		500纳秒、500纳秒
TC4422EMF713	2.1000	询价	4098	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4422EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
IR2213STRPBF	6.4900	询价	1	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2213	非反相	未验证	12V~20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A、2.5A	25纳秒、17纳秒	1200伏
TPS28225TDRBRQ1	1.9300	询价	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPS28225	非反相	未验证	4.5V～8.8V	8-SON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	33V
LM25101CSDX/NOPB	1.9800	询价	2027年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	100伏
ISL6605CR	-	询价	6722	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
L6494LDTR	2.7800	询价	10	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6494	CMOS/TTL	未验证	10V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.45V、2V	2A、2.5A	25纳秒, 25纳秒	500V
IRS21851SPBF	-	询价	1060	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21851	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001542848	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒	600伏
2SC0108T2G0-17	53.1800	询价	109	电源集成	规模™-2+	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0108	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1023	EAR99	8473.30.1180	30	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	-	8A, 8A	17纳秒、15纳秒	1700伏
ISL6208CHRZ-TR5675	-	询价	3260	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6208	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
ISL89165FBEAZ	2.9559	询价	4864	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MAX626ESA+T	-	询价	1993年	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX626	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
UCC27423DGNR	0.4800	询价	5579	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27423	反相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
DRV8304HRHAR	2.7300	询价	4937	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	40-VFQFN 裸露焊盘	DRV8304	非反相	未验证	6V~38V	40-VQFN (6x6)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	土耳其	高侧或低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、1.5V	150毫安、300毫安	300纳秒、150纳秒
IR2133J	-	询价	9862	英飞凌科技	-	管子	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2133	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2133J	EAR99	8542.39.0001	27	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	600伏
1SD312F2-CM600HB-90H	-	询价	3798	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD312F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	下载		不适用			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	12A, 12A	100纳秒，100纳秒
UC3710TG3	11.0600	询价	37	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	UC3710	反相、同相	未验证	4.7V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	6A, 6A	85纳秒, 85纳秒
R2J20608NP#G2	17.0700	询价	2	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				R2J20608		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²