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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 年级 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) | 资格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | E-103 | 0.8900 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | e | 大部分 | 积极的 | -30°C〜150°C | 电池充电器 | 通过洞 | E-10 | 300MW | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4316-E-103 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | - | 100V | 12.4mA | 3.5V | - | ||||
![]() | CDLL5309/TR | 25.2900 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5309/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||||
![]() | 1N5299-1 | 18.6000 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||
![]() | 1N5299E3/tr | 18.9900 | ![]() | 1814年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5299 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5299E3/tr | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||||
![]() | SST508 SOT-23 3L | 4.1911 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST508 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 1.5V | |||||||
![]() | JANTX1N5287UR-1 | 38.2650 | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5287 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||
![]() | 1N5283UR-1 | 21.8250 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5283 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||||
![]() | 1N5304ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 9121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5304 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5304ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||||
![]() | 1N7048-1 | 7.1700 | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N7048 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
![]() | CD5296 | 19.2450 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD529 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5296 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||||||
![]() | CDLL5283 | 25.0950 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||||
![]() | JANTXV1N5314-1/TR | 60.9300 | ![]() | 5903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5314-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | ||||
![]() | Jan1n5296-1/tr | 31.6650 | ![]() | 7215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5296-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||||
![]() | 1N5294-1 | 18.6000 | ![]() | 3210 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5294 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825µA | 1.2V | |||||
![]() | 1N5287ur-1/tr | 22.1800 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 363µA | 1V | ||||||||
![]() | JANS1N5296UR-1 | 130.1550 | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5296 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | |||||
![]() | 1N5313-1 | 21.6600 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5313-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | ||||
![]() | 1N5284ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 8107 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5284ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||||
![]() | JANTXV1N5305UR-1 | 40.2450 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5305 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||||
![]() | Jan1n5308ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5308UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||||
![]() | CD5305 | 19.2450 | ![]() | 1823年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5305 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||||||
![]() | JANTXV1N5290-1/TR | 36.5700 | ![]() | 6931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5290-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||||
![]() | SST510 SOT-23 3L | 7.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST510 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 1.9V | |||||||
![]() | Jan1n5310-1/tr | 27.1650 | ![]() | 1693年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5310 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5310-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | ||||
![]() | Jan1n5284ur-1 | 36.6900 | ![]() | 8897 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264µA | 1V |
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