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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 批准机构 | 频道数量 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 数据速率 | 上升 /秋季t (典型) | 电压 -输出(最大) | 电压 -向前( -vf)(类型) | (dc 向前(如果)()((最大)) | 电压 -隔离 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | 电流 -保持( ih) | 输入 -侧面 -1/侧2 | ((() | tplh / tphl (最大) | ((() | ((() | 打开 /关闭t ty(typ) | (VCE 饱和度(最大) | 零越过电路 | DV/DT (最小) | 电流-LED(IFT)(IFT)) | t |
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VO4256M-X006 | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | Vishay半导体光电部 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) | VO4256 | Cur,Fimko,Ur | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.2V | 60 ma | 5300vrms | 600 v | 300 MA | - | 不 | 5kV/µs | 3MA | - | |||||||||||||||||
VO4257D-X006 | - | ![]() | 2640 | 0.00000000 | Vishay半导体光电部 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) | VO4257 | BSI,Cur,Fimko,Ur | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.2V | 60 ma | 5300vrms | 700 v | 300 MA | - | 不 | 5kV/µs | 1.6mA | - | |||||||||||||||||
4N32VM | 0.8700 | ![]() | 687 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | 4N32 | DC | 1 | 达灵顿与基地 | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | - | 30V | 1.2V | 80 ma | 4170VRM | 500 @ @ 10mA | - | 5µs,100µs (最大) | 1V | ||||||||||||||||
![]() | TLP759(d4-igm,J,f),f) | - | ![]() | 1741年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TLP759 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759(d4-igmjf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 25 @ @ 10mA | 75 @ @ 10mA | - | - | |||||||||||||||||
![]() | tlx9185(kbdgbtlf(o | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 | TLX9185 | DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | - | 264-TLX9185(kbdgbtlf(o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 3µs,5µs | 80V | 1.27V | 30 ma | 3750vrms | 20% @ 5mA | 600 @ 5mA | 5µs,5µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP626 (MAT-LF2,F) | - | ![]() | 9349 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) | TLP626 | AC,DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | 264-TLP626 (MAT-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8µs,8µs | 55V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100% @ 1ma | 1200 @ @ 1mA | 10µs,8µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP3083F(f | 1.7400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6浸入0.400英寸,10.16毫米),5个铅 | CQC,CSA,Cul,Ul,Vde | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | (1 (无限) | 264-TLP3083F(f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 800 v | 100 ma | 600µA | 是的 | 2KV/µS典型(典型) | 5mA | - | |||||||||||||||||
![]() | tlp9121a(mbhagbtlf | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 过时的 | - | 264-TLP9121A (MBHAGBTLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP9148J(psd-tl,f) | - | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 过时的 | - | 264-TLP9148J(PSD-TLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLX9185(ogi-tl,f(o | - | ![]() | 4186 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 过时的 | - | 264-TLX9185(ogi-tlf(o。 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759(d4hitim,J,f | - | ![]() | 2380 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759(d4hitimjf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20% @ 16mA | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | TLP190B(COSTPLUC,f | - | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-SMD(4个铅),鸥翼 | TLP190 | DC | 1 | 光伏 | 6-MFSOP,4领先 | 下载 | 264-TLP190B(costplucf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 12µA | - | 8V | 1.4V | 50 mA | 2500vrms | - | - | 200µs,1ms | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP759 (MBS-IT,J,F) | - | ![]() | 1082 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TLP759 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759 (MBS-ITJF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP358(tp5,f) | - | ![]() | 9877 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 8-SMD,鸥翼 | TLP358 | DC | 1 | 推扣,图腾柱 | 15V〜30V | 8-SMD | 下载 | 264-tp358(TP5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 a | - | 17ns,17ns | 1.57V | 20mA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500NS,500NS | |||||||||||||||||
![]() | tlx9185(toj2gbtf(o | - | ![]() | 3905 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 | TLX9185 | DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | - | 264-TLX9185(toj2gbtf(o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 3µs,5µs | 80V | 1.27V | 30 ma | 3750vrms | 20% @ 5mA | 600 @ 5mA | 5µs,5µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP626(lf5,f) | - | ![]() | 2264 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | TLP626 | AC,DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | 264-TLP626(LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8µs,8µs | 55V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100% @ 1ma | 1200 @ @ 1mA | 10µs,8µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP2958(f) | - | ![]() | 3778 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | DC | 1 | 推扣,图腾柱 | 3v〜20V | 8点 | 下载 | 264-TLP2958(f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5Mbps | 15ns,10ns | 1.55V | 25mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 250NS,250NS | ||||||||||||||||||
![]() | NTE3220 | 1.7700 | ![]() | 6505 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -30°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | DC | 2 | 晶体管 | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE3220 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 4µs,3µs | 35V | 1.2V | 50 mA | 5000vrm | 50% @ 5mA | - | - | 200mv | |||||||||||||||||
![]() | NTE3083 | 3.5500 | ![]() | 127 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | DC | 1 | 晶体管 | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE3083 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 125mA | 80µs,80µs | 30V | 1.15V | 60 ma | 3550VDC | 200 @ @ 10mA | - | 200µs,400µs | 1.2V | |||||||||||||||||
![]() | NTE3097 | 5.6300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | NTE30 | - | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE3097 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.5v (最大) | 60 ma | 7500VPK | 400 v | 100µA | 是的 | 2KV/µS典型(典型) | 15mA | - | |||||||||||||||||
![]() | NTE3085 | 6.1000 | ![]() | 431 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | DC | 1 | MOSFET | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE3085 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.3V | 60 ma | 7500VPK | - | - | 25µs,25µs | - | |||||||||||||||||
![]() | MOC3021 | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | MOC302 | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5300vrms | 400 v | 100µA | 不 | 15mA | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP127 (MAT-M-TPL,f | - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD(4个铅),鸥翼 | TLP127 | DC | 1 | 达灵顿 | 6-MFSOP,4领先 | - | (1 (无限) | 264-TLP127(MAT-M-TPLFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 150mA | 40µs,15µs | 300V | 1.15V | 50 mA | 2500vrms | 1000% @ 1ma | - | 50µs,15µs | 1.2V | ||||||||||||||||
![]() | TLP127(cano-u,f) | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD(4个铅),鸥翼 | TLP127 | DC | 1 | 达灵顿 | 6-MFSOP,4领先 | - | (1 (无限) | 264-tlp127(uno-uf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 40µs,15µs | 300V | 1.15V | 50 mA | 2500vrms | 1000% @ 1ma | - | 50µs,15µs | 1.2V | ||||||||||||||||
![]() | FODM3053R1 | 1.0000 | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | FODM30 | BSI,CSA,UL | 1 | TRIAC | 4-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 ma | 3750vrms | 600 v | 70 MA | 300µA() | 不 | 1kV/µs | 5mA | - | |||||||||||||||||
![]() | FODM3052R3V | 0.5100 | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | FODM30 | BSI,CSA,UL,VDE | 1 | TRIAC | 4-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 2 | 1.2V | 60 ma | 3750vrms | 600 v | 70 MA | 300µA() | 不 | 1kV/µs | 10mA | - | |||||||||||||||||
![]() | FOD2743CSD | 0.3700 | ![]() | 985 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SMD,鸥翼 | DC | 1 | 晶体管 | 8-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mA | - | 70V | 1.07V | 5000vrm | 50% @ 1ma | 100% @ 1ma | - | 400mv | |||||||||||||||||||
![]() | FOD2741C | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SMD,鸥翼 | DC | 1 | 晶体管 | 8-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 833 | 50mA | - | 30V | 1.5v (最大) | 5000vrm | 100 @ @ 10mA | 200 @ @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
![]() | CNX36U | - | ![]() | 8238 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 30V | 1.15V | 100 ma | 5300vrms | 80% @ 10mA | 200 @ @ 10mA | 20µs,20µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | CNY17F4300W | 0.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) | DC | 1 | 晶体管 | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mA | 1µs,2µs | 70V | 1.35V | 100 ma | 5300vrms | 160 @ @ 10mA | 320% @ 10mA | 2µs,3µs | 300mv |
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