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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
VO4256M-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4256M-X006 -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) VO4256 Cur,Fimko,Ur 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 ma 5300vrms 600 v 300 MA - 5kV/µs 3MA -
VO4257D-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4257D-X006 -
RFQ
ECAD 2640 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) VO4257 BSI,Cur,Fimko,Ur 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 1.2V 60 ma 5300vrms 700 v 300 MA - 5kV/µs 1.6mA -
4N32VM onsemi 4N32VM 0.8700
RFQ
ECAD 687 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) 4N32 DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 150mA - 30V 1.2V 80 ma 4170VRM 500 @ @ 10mA - 5µs,100µs (最大) 1V
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4-igm,J,f),f) -
RFQ
ECAD 1741年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(d4-igmjf) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9185(kbdgbtlf(o -
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLX9185 DC 1 晶体管 6 sop - 264-TLX9185(kbdgbtlf(o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs,5µs 80V 1.27V 30 ma 3750vrms 20% @ 5mA 600 @ 5mA 5µs,5µs 400mv
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2,F) -
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP626 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 (MAT-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(f 1.7400
RFQ
ECAD 44 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6浸入0.400英寸,10.16毫米),5个铅 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 TRIAC 6浸 下载 (1 (无限) 264-TLP3083F(f Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型(典型) 5mA -
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a(mbhagbtlf -
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(psd-tl,f) -
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLX9185(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(ogi-tl,f(o -
RFQ
ECAD 4186 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLX9185(ogi-tlf(o。 Ear99 8541.49.8000 1
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4hitim,J,f -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(d4hitimjf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(COSTPLUC,f -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 264-TLP190B(costplucf Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,1ms -
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT,J,F) -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759 (MBS-ITJF) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(tp5,f) -
RFQ
ECAD 9877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358(TP5F) Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns,17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9185(toj2gbtf(o -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLX9185 DC 1 晶体管 6 sop - 264-TLX9185(toj2gbtf(o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs,5µs 80V 1.27V 30 ma 3750vrms 20% @ 5mA 600 @ 5mA 5µs,5µs 400mv
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(lf5,f) -
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP626 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626(LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(f) -
RFQ
ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2958(f) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns,10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
NTE3220 NTE Electronics, Inc NTE3220 1.7700
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -30°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 2 晶体管 8点 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3220 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 4µs,3µs 35V 1.2V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA - - 200mv
NTE3083 NTE Electronics, Inc NTE3083 3.5500
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3083 Ear99 8541.49.8000 1 125mA 80µs,80µs 30V 1.15V 60 ma 3550VDC 200 @ @ 10mA - 200µs,400µs 1.2V
NTE3097 NTE Electronics, Inc NTE3097 5.6300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) NTE30 - 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3097 Ear99 8541.49.8000 1 1.5v (最大) 60 ma 7500VPK 400 v 100µA 是的 2KV/µS典型(典型) 15mA -
NTE3085 NTE Electronics, Inc NTE3085 6.1000
RFQ
ECAD 431 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 MOSFET 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3085 Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.3V 60 ma 7500VPK - - 25µs,25µs -
MOC3021 Texas Instruments MOC3021 0.2700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) MOC302 1 TRIAC 6浸 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 5300vrms 400 v 100µA 15mA
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL,f -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(cano-u,f) -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-tlp127(uno-uf) Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
FODM3053R1 Fairchild Semiconductor FODM3053R1 1.0000
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 ma 3750vrms 600 v 70 MA 300µA() 1kV/µs 5mA -
FODM3052R3V Fairchild Semiconductor FODM3052R3V 0.5100
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL,VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2 1.2V 60 ma 3750vrms 600 v 70 MA 300µA() 1kV/µs 10mA -
FOD2743CSD Fairchild Semiconductor FOD2743CSD 0.3700
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 8-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 70V 1.07V 5000vrm 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400mv
FOD2741CS Fairchild Semiconductor FOD2741C 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 8-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 833 50mA - 30V 1.5v (最大) 5000vrm 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
CNX36U Fairchild Semiconductor CNX36U -
RFQ
ECAD 8238 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 80% @ 10mA 200 @ @ 10mA 20µs,20µs 400mv
CNY17F4300W Fairchild Semiconductor CNY17F4300W 0.2000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库