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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MIC4605-1YMT-T5	-	RFQ	4682	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-UFDFN暴露垫	MIC4605	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	10-tdfn（2.5x2.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
LM5110-2M	0.4000	RFQ	5007	国家半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
ISL6620ACBZ	-	RFQ	1720年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620ACBZ	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
ISL89163FRTAZ-T	2.9559	RFQ	5795	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
ATA6821-TUQY	-	RFQ	3515	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ATA6821	不转变	未行业行业经验证	16V〜30V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	4a，4a	12n，12ns
MIC4428CM	-	RFQ	3396	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
MP18021HN-A-LF-Z	0.9600	RFQ	2146	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP18021	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-soice	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v
TC4428EPA	2.0000	RFQ	565	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IR25603PBF	-	RFQ	6030	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR25603	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001538192	Ear99	8542.31.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	80ns，45ns	600 v
MP1921HQ-A-LF-Z	1.0050	RFQ	9931	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MP1921	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	120 v
MCP14E5T-E/SN	2.0100	RFQ	6227	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E5	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E5T-E/SNTR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
adp3623arhz-rl	3.4600	RFQ	1	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	ADP3623	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IRS21864pbf	4.3100	RFQ	875	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21864	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
ISL6613CBZR5214	-	RFQ	1241	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2130JPBF	-	RFQ	9818	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2130	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
ISL6625ACRZ-TK	1.8537	RFQ	8759	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6625	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，3a	31ns，18ns	36 V
tps2831pwpr	-	RFQ	1245	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2831	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
adp3635ardz-rl	1.5450	RFQ	6068	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3635	反转，无变形	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IRS2332STRPBF	-	RFQ	8428	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2332	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载		3（168））	到达不受影响	SP001535078	Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
UCC27322DR	2.1500	RFQ	17	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
LM5110-1SDX	-	RFQ	4675	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MCP1401T-E/OT	0.8300	RFQ	59	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1401	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	500mA，500mA	19ns，15ns
IRS2890DSTRPBF	3.0200	RFQ	9253	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS2890	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-14-903	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	220mA，480mA	85ns，30ns	600 v
EL7158ISZ-T13	7.8991	RFQ	9698	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
LM5113SDE/NOPB	6.0000	RFQ	912	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5113	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.76V，1.89V	1.2a，5a	7NS，1.5NS	107 v
NCP81155MNTXG	0.6300	RFQ	3113	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns
ISL89163FBEBZ	4.9700	RFQ	210	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89163fbebz	Ear99	8542.39.0001	980	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
LTC4440ES6＃TRPBF	6.0400	RFQ	5705	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	8v〜15v	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
MCP1403-E/MF	2.7000	RFQ	280	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1403	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
IRS2181pbf	2.8200	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²