感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
SM74104SDX/NOPB	1.6695	询价	1943年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	SM74104	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
TC4405EOA713	2.9300	询价	8080	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4405	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	TC4405EOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40ns、40ns（顶部）
UC2710TG3	-	询价	8343	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	UC2710	反相、同相	未验证	4.7V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	6A, 6A	85纳秒, 85纳秒
ADP3120AJRZ	-	询价	第1434章	onsemi	-	管子	过时的	-20°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3120	反相、同相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒、11纳秒	35V
IR21362S	-	询价	3695	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21362S	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
IXDI614SI	4.7900	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI614	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	14A, 14A	25纳秒、18纳秒
MC33152P	-	询价	3032	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MC33152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	MC33152POS	EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
IXDE514SIAT/R	-	询价	3584	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDE514	反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、2.5V	14A, 14A	25纳秒、22纳秒
IRS2113STRPBF	3.7000	询价	4631	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	600伏
TC1412NCPA	1.5600	询价	3007	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC1412	非反相	未验证	4.5V～16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1412NCPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	18纳秒, 18纳秒
TC429EPA	2.3800	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC429	反相	未验证	7V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC429EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	23纳秒、25纳秒
MCP14A0303-E/MNY	1.2200	询价	第430章	微芯片	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0303	反相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	150	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
MIC4425BWM TR	-	询价	1081	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
TC4428ACOA	1.5400	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428ACOA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
LTC1177IN-5	-	询价	7976	模拟器件公司	-	大部分	过时的		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LTC1177I	非反相	未验证	4.75V～5.25V	18-DIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20		高侧	1
EL7212CS-T7	-	询价	8730	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7212	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
HIP2100EIBT	-	询价	4516	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
MC34152D	-	询价	9542	onsemi	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC34152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
AUIRS2191S	-	询价	3629	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2191	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001511856	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3.5A、3.5A	15纳秒，15纳秒	600伏
MAX628MJA/883B	-	询价	5800	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
UC3714D	1.9869	询价	9549	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC3714	非反相	未验证	7V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
DGD05473FNQ-7	0.9200	询价	1	分散公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘	DGD05473	CMOS/TTL	未验证	4.7V~14V	U-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	16纳秒、12纳秒	50V
TPS2828DBVTG4	-	询价	5748	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2828	反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
TPS2834D	2.4882	询价	9990	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2834	非反相	未验证	4.5V～15V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2.7A、2.4A	50纳秒、40纳秒	28V
IXDF602SIATR	1.7100	询价	5	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF602	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
LTC7000JMSE#WPBF	9.8600	询价	第1787章	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒
LF2190NTR	1.9700	询价	15	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LF2190	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1	-	询价	4998	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
MAX15070BAUT+T	-	询价	6018	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MAX15070	反相、同相	未验证	6V~14V	SOT-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.25V	3A、7A	36纳秒、17纳秒
LM25101CSD/NOPB	2.3760	询价	1054	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	100伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²