感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
1SD210F2-5SNA1200G450300_OPT1	-	询价	2961	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-5SNA1200G450300_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	710伏
IR25604STRPBF	2.2700	询价	1	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25604	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
NCP5104DR2G	1.3400	询价	6892	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5104	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	600伏
MCP14A0304-E/MNY	0.9750	询价	8628	微芯片	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0304	非反相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	150	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
FAN3224TMX-F085	2.8800	询价	6250	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
MIC4605-2YMT-TR	1.1200	询价	6897	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘	麦克风4605	非反相	未验证	5.5V～16V	10-TDFN (2.5x2.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
MAX5077AUD	-	询价	2933	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	MAX5077	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	14-TSSOP-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
MCP14A0453-E/MS	1.2900	询价	6939	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0453	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
UCC27212DPRT	4.8300	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27212	非反相	未验证	7V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.6V、2.3V	4A, 4A	7.8纳秒、6纳秒	100伏
2SD300C17A4	133.8700	询价	59	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	模块	2SD300	-	未验证	14V~16V	-	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8543.70.9860	12	-	半桥	2	IGBT	-	30A、30A	-
MAX4429ESA+	5.4900	询价	304	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4429ESA+	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MIC4424YWM-TR	2.8900	询价	第475章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
LM5111-2M	-	询价	1717	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5111	反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
MCP1403-E/MF	2.7000	询价	280	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1403	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
TPS28225TDRQ1	1.9300	询价	16	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS28225	非反相	未验证	4.5V～8.8V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	33V
FAN3224TUMX-F085	2.8800	询价	3749	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3224	非反相	未验证	9.5V～18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
MIC4469ZWM	5.0800	询价	2387	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
ISL6209CB	0.5500	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6209	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、3.1V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
MP6539BGF-Z	1.5450	询价	3884	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	MP6539	非反相	未验证	8.5V~14V	28-TSSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行	1589-MP6539BGF-ZTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-	100伏
HIP6604BCRZ	-	询价	第1383章	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6604	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,125	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
MAX15018BASA+	3.6660	询价	8435	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX15018	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15018BASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	50纳秒、40纳秒	125V
1SD312F2-CM900HB-90H	-	询价	4881	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD312F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	下载		不适用			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	12A, 12A	100纳秒，100纳秒
UCC27200ADRCR	1.2000年	询价	6494	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘，9 引脚	UCC27200	非反相	未验证	8V~17V	9-VSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
IX21844N	-	询价	8558	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX21844	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	共增值税亚油酸409	EAR99	8542.39.0001	25	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.4A、1.8A	23纳秒、14纳秒	600伏
LTC7003EMSE#PBF	7.0100	询价	8692	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7003	非反相	未验证	3.5V～15V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	60V
MP1917AGR-Z	0.9300	询价	3957	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VDFN 裸露焊盘	MP1917	非反相	未验证	8V~15V	10-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1917AGR-ZTR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、6A	15纳秒，15纳秒	2V
LM2726MX	-	询价	4359	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM2726	非反相	未验证	4V~7V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.25V、2.4V	3A、3.2A	17纳秒、12纳秒	42V
1EDN7146GXTMA1	1.5900	询价	8	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	1EDN7146	非反相	未验证	4.2V～11V	PG-VSON-10-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	11纳秒, 11纳秒
IRS2183PBF	2.8800	询价	12	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2183	反相、同相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
LT8672IMS#TRPBF	3.9000	询价	1944年	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LT8672	非反相	未验证	3V～42V	10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²