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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LMG1025QDEETQ1	6.6200	RFQ	5977	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-WDFN暴露垫	LMG1025	反转，无变形	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.8V，1.7V	7a，5a	650ps，850ps
HPFM-00117	376.1200	RFQ	2	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	HPFM-00117	不转变	未行业行业经验证	14.5v〜16v	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-HPFM-00117	Ear99	8543.70.9860	1	独立的	半桥	1	IGBT	-	30a，30a	600NS，350NS
MCP14A0901-E/SN	1.8500	RFQ	508	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0901	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	9a，9a	22ns，22ns
DGD0215WT-7	0.7700	RFQ	57	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	DGD0215	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TSOT-25（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.9a，1.8a	15ns，15ns
LM25101CMYE/NOPB	4.2000	RFQ	112	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	100 v
LM25101CSD/NOPB	2.3760	RFQ	1054	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	100 v
IX2113B	-	RFQ	6814	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA404	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	6V，9.5V	2a，2a	9.4ns，9.7ns	600 v
ix2113btr	-	RFQ	8408	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	6V，9.5V	2a，2a	9.4ns，9.7ns	600 v
UCC27201ATDA3	4.6298	RFQ	8613	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	-	-	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	120	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
UCC27524Adgn	1.5700	RFQ	4925	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
LTC4440AIMS8E-5＃pbf	6.4600	RFQ	558	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4440AIMS8E-5 pbf	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.2V，1.6V	1.1a，1.1a	10n，7ns	80 V
LM25101ASDX/NOPB	1.9800	RFQ	1146	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
2ED020I12FIXUMA1	5.4700	RFQ	11	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	2ED020	反转	未行业行业经验证	14v〜18V	PG-DSO-18-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	1a，2a	20N，20N	1200 v
UCC27516DRSR	0.8900	RFQ	38	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27516	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	8NS，7NS
UCC27523DSDR	0.5700	RFQ	6914	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
max17602aua+	2.9200	RFQ	397	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17602	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17602AUA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
max17604aua+t	1.2450	RFQ	2101	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17604	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
IR25603SPBF	-	RFQ	5481	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25603	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	80ns，45ns	600 v
IR25604SPBF	-	RFQ	9432	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25604	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001547306	Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR25604STRPBF	2.2700	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25604	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IR25607SPBF	4.4400	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR25607	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	600 v
LM5110-3M	-	RFQ	5626	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LM5111-1M	-	RFQ	6675	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LM5114BSDX/NOPB	0.7350	RFQ	2784	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	LM5114	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜12.6V	6-wson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	82ns，12.5ns
LM5109BSD	-	RFQ	3005	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
LM5112SD	2.4100	RFQ	1257	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	6-wson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
LM5105SDX	-	RFQ	5042	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5105	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.8a，1.8a	15ns，15ns	118 v
LM5110-2MX	-	RFQ	1785年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LMD18400N	-	RFQ	3811	Texas Instruments	-	管子	过时的	-25°C〜150°C（TJ）	通过洞	20 DIP（0.300英寸，7.62mm）	LMD18400	不转变	未行业行业经验证	7v〜28V	20-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	18	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	-
FAN3223TMX-F085	1.3182	RFQ	9080	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3223	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²