SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC即时 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC即时
IR21084SPBF International Rectifier IR21084SPBF -
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ECAD 4471 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR21084 非反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
IRS2117PBF International Rectifier IRS2117PBF 1.6600
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ECAD 10 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局2117 非反相 未验证 10V~20V 8-PDIP 下载 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 290毫安、600毫安 75纳秒、35纳秒 600伏
IR2109PBF International Rectifier IR2109PBF 2.1800
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ECAD 1 0.00000000 国际校正器公司 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8542.39.0001 138 未验证
5962-0051401V2A Texas Instruments 5962-0051401V2A -
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ECAD 4095 0.00000000 Texas Instruments * 管子 的积极 下载 符合ROHS3标准 不适用 296-5962-0051401V2A 1
FAN7190MX-F085P Fairchild Semiconductor FAN7190MX-F085P -
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ECAD 5578 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7190 非反相 未验证 10V~22V 8-SOP - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.2V、2.5V 4.5A、4.5A 25纳秒、20纳秒 600伏
ISL6610AIBZ Intersil ISL6610AIBZ 1.5800
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ECAD 1 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6610 非反相 未验证 4.5V~5.5V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - -, 4A 8纳秒,8纳秒 36V
1SP0340D2S0C-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0340D2S0C-XXXX (2)(3)(4) 204.4400
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ECAD 第1446章 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SP0340D2S0C-XXXX(2)(3)(4) 6
NJW4832KH1-A-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4832KH1-A-TE3 0.6798
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ECAD 6226 0.00000000 日清纺微器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 NJW4832 非反相 未验证 4.6V~40V 6-DFN (1.6x1.6) 下载 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧 1 P沟道MOSFET 0.9V、2.64V - 10μs, 10μs
IR2308STRPBF International Rectifier IR2308STRPBF -
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ECAD 5199 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2308 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
LM5109BMA/NOP National Semiconductor LM5109BMA/NOP -
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ECAD 第1476章 0.00000000 国家安全委员会 * 大部分 的积极 未验证 - 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1
UC2709N Texas Instruments UC2709N 8.8662
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ECAD 4249 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) UC2709 反相 未验证 5V~40V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1.5A、1.5A 20纳秒, 20纳秒
R2J20652ANP#G3 Renesas Electronics America Inc R2J20652ANP#G3 6.8200
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ECAD 29 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 R2J20652 未验证 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人
FAN7191MX-F085 onsemi FAN7191MX-F085 2.9700
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ECAD 4563 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7191 非反相 未验证 10V~22V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4.5A、4.5A 25纳秒, 25纳秒 600伏
IRS2008MPBFAUMA1 Infineon Technologies IRS2008MPBFAUMA1 -
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ECAD 6949 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-VFQFN 裸露焊盘 国税局2008 互补金属O化物半导体 未验证 10V~20V 14-MLPQ (4x4) 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、30纳秒 200V
HR2000GS-Z Monolithic Power Systems Inc. HR2000GS-Z 1.4803
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ECAD 6992 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) HR2000 - 未验证 10V~12V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - - - 600伏
IRS2304SPBF Infineon Technologies IRS2304SPBF 1.9800
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ECAD 9231 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2304 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 SP001546492 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.7V、2.3V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
IXA531S10T/R IXYS IXA531S10T/R -
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ECAD 4030 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 48-TFQFN 裸露焊盘 IXA531 反相 未验证 8V~35V 48-MLP (7x7) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 600毫安,600毫安 125纳秒、50纳秒 650伏
EL7156CN Intersil EL7156CN -
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ECAD 1820 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) EL7156 非反相 未验证 4.5V~16.5V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 高侧或低侧 1 IGBT 0.8V、2.4V 3.5A、3.5A 14.5纳秒、15纳秒
FAN73912AMX onsemi 风扇73912AMX 4.7300
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ECAD 4654 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) 风扇73912 非反相 未验证 12V~20V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 高侧和低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A、3A 25纳秒、15纳秒 1200伏
IXDD415SI IXYS IXDD415SI -
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ECAD 3908 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IXDD415 非反相 未验证 8V~30V 28-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 27号 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 15A, 15A 4.5纳秒、3.5纳秒
TC1411VPA Microchip Technology TC1411VPA 1.4400
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ECAD 2009年 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC1411 反相 未验证 4.5V~16V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 1A、1A 25纳秒, 25纳秒
2ED21824S06JXUMA1 Infineon Technologies 2ED21824S06JXUMA1 3.0500
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ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 2ED21824 非反相 未验证 10V~20V PG-DSO-14-49 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 1 IGBT、N沟道MOSFET 1.1V、1.7V 2.5A、2.5A 15纳秒,15纳秒 650伏
MIC4415YFT-T5 Microchip Technology MIC4415YFT-T5 -
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ECAD 8614 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) SIC停产 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 4-UQFN 麦克风4415 反相 未验证 4.5V~18V 4-TQFN (1.2x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 1.5A、1.5A 12纳秒, 12纳秒
IR2151SPBF Infineon Technologies IR2151SPBF -
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ECAD 4005 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2151 RC输入电路 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 SP001538260 EAR99 8542.39.0001 95 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET - 125毫安、250毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
IRS21814STRPBF Infineon Technologies IRS21814STRPBF 3.3400
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ECAD 4 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局21814 非反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
1SD210F2-5SNA1200G450300_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-5SNA1200G450300_OPT1 -
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ECAD 2961 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-5SNA1200G450300_OPT1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 710伏
IR25604STRPBF Infineon Technologies IR25604STRPBF 2.2700
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ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR25604 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
NCP5104DR2G onsemi NCP5104DR2G 1.3400
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ECAD 6892 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) NCP5104 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.3V 250毫安、500毫安 85纳秒、35纳秒 600伏
MCP14A0304-E/MNY Microchip Technology MCP14A0304-E/MNY 0.9750
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ECAD 8628 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 MCP14A0304 非反相 未验证 4.5V~18V 8-TDFN (2x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 150 独立的 高侧或低侧 2 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 12纳秒, 12纳秒
FAN3224TMX-F085 onsemi FAN3224TMX-F085 2.8800
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ECAD 6250 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3224 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 5A、5A 12纳秒、9纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库