感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IXDD609PI	2.1300	询价	3	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDD609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA362	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
EL7457CSZ-T13	-	询价	2149	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
ISL83204AIBZT	-	询价	第1345章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ISL83204	反相、同相	未验证	9.5V～15V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	2.6A、2.4A	10纳秒，10纳秒	75V
LM5105SD/NOPB	3.3300	询价	2748	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5105	非反相	未验证	8V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.8A、1.8A	15纳秒，15纳秒	118V
LTC1177CN-5	-	询价	9829	模拟器件公司	-	大部分	过时的		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LTC1177C	非反相	未验证	4.75V～5.25V	18-DIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20		高侧	1
IR1167BSPBF	-	询价	9276	英飞凌科技	智能调节器™	管子	过时的	-25°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外1167	非反相	未验证	12V~18V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	2V、2.15V	2A、7A	18纳秒、10纳秒
IR21363JPBF	-	询价	1306	英飞凌科技	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR21363	反相	未验证	12V~20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,134	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
IR2130SPBF	13.0600	询价	3	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2130	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
UCC27322DR	2.1500	询价	17号	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27322	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
UC3709DW	10.4300	询价	1430	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC3709	反相	未验证	5V～40V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ATA6821-TUQ	-	询价	5955	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ATA6821	非反相	未验证	16V~30V	14-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	620	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	4A, 4A	12纳秒, 12纳秒
LM5100M/NOPB	-	询价	5654	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
TC1410NEOA713	1.6500	询价	2235	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1410	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1410NEOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒
TC429CPA	2.8100	询价	29	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC429	反相	未验证	7V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	23纳秒、25纳秒
风扇73832M	-	询价	2976	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73832	非反相	未验证	15V~20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	90	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.9V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
IXDD604SI	3.5300	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD604	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA332	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IRS2607DSTRPBF	-	询价	8595	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2607	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
MIC4467ZWM	5.0800	询价	172	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4467	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
IXDD430MCI	-	询价	4520	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDD430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
AUIR3240STR	4.6000	询价	2	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIR3240	非反相	未验证	4V～36V	PG-DSO-8-903	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.9V、2.5V	-	-
ISL89163FBEBZ	4.9700	询价	210	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89163	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89163FBEBZ	EAR99	8542.39.0001	980	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
TC4426ACPA	1.7000	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426ACPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
MAX626ESA+	6.3500	询价	625	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX626	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX626ESA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
TDA21462AUMA1	5.8200	询价	9199	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	39电源VFQFN	TDA21462	非反相	未验证	4.25V～16V	PG-IQFN-39	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V		-
TC4404MJA	-	询价	第1772章	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4404	反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4404MJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40ns、40ns（顶部）
TPS2818DBVRG4	-	询价	7421	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2818	反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
TPS2811QPWRQ1	1.9470	询价	3185	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPS2811	反相	未验证	4V~14V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
LM5104SD	-	询价	5135	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5104	反相、同相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
IX4424MTR	-	询价	6886	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）			IX4424	非反相	未验证	4.5V～30V		下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	3A、3A	18纳秒, 18纳秒
ADP3654ARHZ-RL	2.5600	询价	7	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²