感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC即时
ISL6613BCBZ	2.4000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4224YMME	2.8900	询价	128	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	麦克风4224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
IR2235JPBF	10.1500	询价	1	国际校正器公司	-	大部分	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	红外2235	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1.2V
2EDN8533FXTMA1	1.4500	询价	9973	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN8533	反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
风扇3227CMX	1.0100	询价	第530章	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3227	非反相		4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	第297章	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒		未验证
MAX5075CAUA	-	询价	3456	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX5075	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
风扇7393AM	-	询价	2012年	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7393	非反相	未验证	10V～20V	14-SOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	54	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	600伏
MPQ18024HN-AEC1-LF-Z	1.6987	询价	7001	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘		非反相		9V~16V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行	1589-MPQ18024HN-AEC1-LF-ZTR			2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、4.5A	15纳秒、9纳秒	110V
2EDN7534FXTMA1	1.4500	询价	1614	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN7534	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
MIC4425BWM	-	询价	1862年	微芯片	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
MP1921GQ-BZ	0.8971	询价	2138	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘		非反相		9V~18V	10-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1921GQ-B-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A	12纳秒、9纳秒	120V
IRS26310DJTRPBF	3.5900	询价	第429章	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局26310	非反相	未验证	12V~20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
HIP6603BCB	-	询价	8009	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6603	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
NCV57200DR2G	2.0100	询价	16	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCV57200	非反相	未验证	20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	1	IGBT	0.9V、2.4V	1.9A、2.3A	13纳秒、8纳秒	800V
IRS2108PBF	-	询价	8822	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2108	反相、同相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
IR2085STRPBF	4.1800	询价	9525	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外2085	RC输入电路	未验证	10V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1A、1A	40纳秒、20纳秒	100伏
TPS2814P	2.0800	询价	第427章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TPS2814	反相、同相	未验证	4V~14V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
IXD611S1	-	询价	8650	IXYS	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXD611	非反相	未验证	10V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第470章	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	2.4V、2.7V	600毫安，600毫安	28纳秒、18纳秒	600伏
IXDI602SI	2.6300	询价	908	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI602	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
IR2106	-	询价	6769	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2106	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2106	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
ISL6622AIRZ	-	询价	8209	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IR25607SPBF	4.4400	询价	1	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR25607	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	600伏
NCV5703BDR2G	2.3300	询价	8730	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCV5703	非反相	未验证	20V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	半桥	1	IGBT	0.75V、4.3V	1A、1A	9.2纳秒、7.9纳秒
EAMXXX11XFSA1	-	询价	4293	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产				EAMXXX11		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001102530		0000.00.0000	1
MIC4423YWM	2.1800	询价	4619	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
MAX620CWN+T	-	询价	7572	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MAX620	非反相	未验证	4.5V～16.5V	18-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	-	1.7μs、2.5μs
2SP0320T2C0-17	193.1600	询价	8170	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SP0320	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1050	EAR99	8473.30.1180	3	独立的	半桥	2	IGBT	-	20A、20A	7纳秒、25纳秒	1700伏
ICL7667CPA	-	询价	9070	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～15V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	50	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
SC1302BISTRT	-	询价	8816	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	20纳秒, 20纳秒
MIC4451ABM	-	询价	7153	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4451	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第570章	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²