感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC即时
ISL89167FBEAZ	3.2600	询价	4	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89167	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MCP14A0451-E/MS	1.4300	询价	978	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0451	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	4.5A、4.5A	9.5纳秒、9纳秒
风扇7361M	-	询价	6650	仙童	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7361	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	8,100	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、3.6V	250毫安、500毫安	70纳秒、30纳秒	600伏
NCP3418PDR2	0.2400	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极				NCP3418		未验证			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人
TC4425AVPA	2.5300	询价	149	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
MPQ1922GVE-AEC1-Z	4.1000	询价	4	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 165°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	22-VFQFN 裸露焊盘	MPQ1922	非反相	未验证	0V～100V	22-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ1922GVE-AEC1-ZTR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、4A	-	115V
1SD210F2-MBN1200H45E2-H	-	询价	6254	电源集成	-	托盘	过时的	-	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	-	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	-	-	6500伏
EL7154CN	5.9600	询价	6	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7154	非反相	未验证	4.5V～16V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	50	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
HIP2211FR8Z-T7A	-	询价	5187	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	HIP2211	非反相	未验证	6V~18V	8-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-HIP2211FR8Z-T7ATR	过时的		250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.47V、1.84V	3A、4A	20纳秒, 20纳秒	115V
UC1711L/883B	41.2600	询价	309	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-55℃～125℃	-	-	UC1711	非反相	未验证	5V～35V	-	-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40纳秒, 40纳秒
1SP0635D2S1-25	149.9283	询价	3876	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		14.5V～15.5V	模块	-				596-1SP0635D2S1-25			6	单身的	-	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	2500伏
MAX1614EUA+T	5.7100	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX1614	非反相	未验证	5V~26V	8-uMAX/uSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.6V、2V	-	-
ISL6605CB	0.7100	询价	4	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6605	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
SG1644Y	-	询价	2048	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	SG1644	非反相	未验证	4.5V～20V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1644Y	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	500毫安，500毫安	35纳秒、30纳秒
BD6562FV-LBE2	-	询价	2503	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-25°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BD6562	非反相	未验证	10V～25V	16-SSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	600毫安，600毫安	-
IR2135JPBF	6.6700	询价	1	国际校正器公司	-	大部分	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2135	反相		10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载					EAR99	8542.39.0001	46	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	600伏	未验证
TLE918021QKXUMA1	-	询价	4461	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的				TLE918021		未验证			-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	448-TLE918021QKXUMA1TR	EAR99	8542.39.0001	1,900人
UCC27321PE4	1.0074	询价	4777	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		反相		4V～15V	8-PDIP	-	符合ROHS3标准			296-UCC27321PE4	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
ADP3635ARDZ-RL	1.5450	询价	6068	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3635	反相、同相	未验证	9.5V～18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
1SP0335V2M1-FZ600R65KE3	202.2083	询价	4820	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1-FZ600R65KE3	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
ISL6612ECB	1.8500	询价	2	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
UCC27322DG4	-	询价	1881年	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27322	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
2DUC51008CXE1	77.8500	询价	113	田村	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	2DUC51008	非反相	未验证	13V~28V	模块	-	符合RoHS标准	不适用		132-2DUC51008CXE1	EAR99	8542.39.0001	30	同步化	半桥	2	IGBT	-	-	-	1200伏
LM5110-1MX/NOPB	2.4200	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5110	非反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
IR2113SPBF	2.5400	询价	1	国际校正器公司	*	大部分	的积极									下载					EAR99	8542.39.0001	119									未验证
MAX4420CSA-T	2.3100	询价	2	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MAX5057BASA-T	-	询价	9653	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5057	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
IX4340UETR	1.2800	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	IX4340	非反相	未验证	5V~20V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	212-IX4340UETR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	5A、5A	7纳秒，7纳秒
风扇7371M	-	询价	8121	仙童	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7371	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	90	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	25纳秒、15纳秒	600伏
MCP14E3-E/P	2.5000	询价	37	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP14E3	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²