感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6613AECBZ-T	-	询价	6242	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6614IRZ-T	-	询价	第2272章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
EL7457CSZ-T13	4.7261	询价	5054	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
MIC4478YME-TR	-	询价	3381	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4478	非反相	未验证	4.5V~32V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2.5A、2.5A	120纳秒、45纳秒
TC4431VOA	3.9200	询价	8952	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4431	反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒、33纳秒
2CG010BBC13N	73.2700	询价	3683	田村	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	模块	2CG010	非反相	未验证	13V~28V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	132-2CG010BBC13N	EAR99	8543.90.8885	30	独立的	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	1.65V、3.85V		500纳秒、500纳秒
MP1911GTL-Z	-	询价	9648	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1911GTL-ZTR			5,000
SC3227CMX	-	询价	5038	onsemi	-	大部分	过时的				SC3227		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
IR2302	-	询价	7256	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2302	非反相	未验证	5V~20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2302	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
ISL6594BCR	-	询价	6802	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDI602PI	1.7100	询价	第724章	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI602	反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
LTC4447IDD#PBF	-	询价	7552	模拟器件公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-WFDFN 裸露焊盘	LTC4447	非反相	未验证	4V～6.5V	12-DFN (3x3)	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	121	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	2.5V、3V	3.2A、3.2A	8纳秒、7纳秒	42V
TC4428AVUA	2.0500	询价	7917	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
UC1708JE883B	33.8800	询价	19号	尤尼罗德	*	大部分	的积极				UC1708		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
IRS2001MTRPBF	1.3379	询价	5145	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-VFQFN 裸露焊盘	国税局2001	非反相	未验证	10V～20V	16-MLPQ (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP001542652	EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	200V
LTC1155CS8#TR	7.5900	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1155	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
LM5100BSDX/NOPB	-	询价	8390	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
TPS2811P	-	询价	3679	国家安全委员会	*	大部分	的积极									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-TPS2811P-14			1
UCC27537DBVT	1.5700	询价	第944章	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	UCC27537	非反相	未验证	10V～32V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.2V	2.5A、5A	15纳秒、7纳秒
ISL6622CRZ-T	3.7100	询价	6	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IX2A11P1	-	询价	7203	IXYS	-	盒子	过时的	-	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IX2A11	-	未验证	-	8-DIP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	300	-	-		-	-	-	-
HIP2121FRTAZ	-	询价	9409	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	HIP2121	反相	未验证	8V~14V	10-TDFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	-HIP2121FRTAZ	EAR99	8541.29.0095	75	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
ISL89401AR3Z-T	-	询价	3185	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	9-VFDFN 裸露焊盘	ISL89401	非反相	未验证	9V~14V	9-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	1.25A、1.25A	16纳秒, 16纳秒	100伏
LM25101BSDX/NOPB	1.9800	询价	9785	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	100伏
PMC41570AUMA1	2.4192	询价	1850年	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极				PMC41570		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				5,000
ISL6614CBZA-T	-	询价	1922年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IRS2128PBF	1.4400	询价	8	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2128	反相	未验证	12V~20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
LM5114BMFX/S7003094	1.6200	询价	5222	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	LM5114	反相、同相	未验证	4V～12.6V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.3A、7.6A	82纳秒、12.5纳秒
LM5101CSDX/NOPB	-	询价	7550	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
RT9624GGQWA	0.6600	询价	2	立锜美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	RT9624	非反相	未验证	4.5V～13.2V	8-WDFN-SL (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	-	-	25纳秒、12纳秒	15V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²