感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC即时
EL7156CSZ-T13	4.9800	询价	88	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7156	非反相		4.5V～16.5V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-EL7156CSZ-T13-600010	EAR99	8542.39.0001	61	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒		未验证
2EDS8265HXUMA3	4.3900	询价	1196	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2EDS8265	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-30	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
MIC4127YMME-TR	1.2200	询价	3	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	麦克风4127	非反相	未验证	4.5V～20V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、18纳秒
LM5101M	-	询价	1128	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
L6385E	-	询价	5085	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	L6385	反相	未验证	17V（最大）	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
LTC1623CMS8#PBF	4.8575	询价	第1277章	模拟器件公司	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LTC1623	非反相	未验证	2.7V～5.5V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.6V、1.4V	-	-
LM5100CMYE/NOPB	-	询价	7519	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-MSOP电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
NCP303150MNTWG	-	询价	9765	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	39电源VFQFN	NCP303150	非反相	未验证	4.5V~5.5V	39-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥，低侧	2	N沟道MOSFET	0.65V、2.7V	100毫安，100毫安	17纳秒、26纳秒	30V
ISL6614ACBZ-TR5214	-	询价	9602	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6620IBZ-T	-	询价	6264	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6620	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
E-L6569D	-	询价	9854	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	E-L6569	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
IXDI604PI	2.2100	询价	3	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI604	反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	克拉360	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
风扇3227CMPX	-	询价	3213	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3227	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
UCC27523DGNR	0.5700	询价	3260	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27523	反相	未验证	4.5V~18V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.3V	5A、5A	7纳秒、6纳秒
MAX5062BASA	-	询价	8944	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5062	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
MAX15019BASA+	6.0700	询价	140	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX15019	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15019BASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	50纳秒、40纳秒	125V
ISL89160FBEAZ	3.2600	询价	124	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89160	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
IRS2128SPBF	1.4400	询价	1	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2128	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MC33153DR2	-	询价	6275	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC33153	反相	未验证	11V~20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、3.2V	1A、2A	17纳秒, 17纳秒
R2J20658NP#G0	7.0100	询价	505	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极				R2J20658		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
TC4420CPA	2.3800	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
UCC37324DGNR	0.4500	询价	2713	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC37324	非反相	未验证	4.5V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
HIP6602BCBZ	-	询价	4827	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6602	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
IR2133JTRPBF	7.0523	询价	500	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2133	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	600伏
MIC4426CMTR	0.4200	询价	8297	微芯片	-	大部分	的积极	0°C ~ 70°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	18纳秒、15纳秒
MIC5013BN	-	询价	9586	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风5013	非反相	未验证	7V~32V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	2V、4.5V	-	-
ISL6700IR-T	-	询价	1589	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	12-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
LTC7001EMSE#PBF	7.3200	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7001	非反相	未验证	3.5V～15V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	135V
IR2233JPBF	5.9600	询价	3	国际校正器公司	-	大部分	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2233	非反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-IR2233JPBF-600047	EAR99	8542.31.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、420毫安	90纳秒、40纳秒	1200伏
RT7021AGS	-	询价	1050	立锜美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RT7021	非反相	未验证	13V~20V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	300毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²