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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IRS2003SPBF	1.6500	RFQ	9057	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2003	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
IRS21531DSPBF	0.9233	RFQ	6110	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.4V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
IRS21864SPBF	3.3000	RFQ	18	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21864	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001534900	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	22NS，18NS	600 v
TDA21107	-	RFQ	7266	Infineon技术	CoreControl™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TDA21107	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	30n，40n	30 V
IRS2113PBF	2.7627	RFQ	6793	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	600 v
IRS2304SPBF	1.9800	RFQ	9231	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001546492	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.7V，2.3V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
LM5111-2MY/NOPB	2.9000	RFQ	358	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	LM5111	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
UBA2032T/N2,118	-	RFQ	5254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UBA2032	RC输入电路	未行业行业经验证	10.5v〜13.5V	24-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	2V，4V; 3V，6V	180mA，200mA	-	550 v
PHD33NQ20T，118	-	RFQ	6705	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	38-TFSOP （0.173“，4.40mm宽度）	PHD33	-	未行业行业经验证	-	38-TSSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	-	-		-	-	-	-
TC1411NVOA	1.1100	RFQ	8933	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
TC1411NVUA713	1.2700	RFQ	6693	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
TC1411VUA713	1.2700	RFQ	1023	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
TC4421ESM	4.4800	RFQ	2689	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-soij	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
mcp1407-e/at	2.3500	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	MCP1407	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1407EAT	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
MCP1405-E/p	2.8000	RFQ	200	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP1405	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
MCP1404-E/MF	2.8700	RFQ	9484	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
LTC1982ES6＃TRMPBF	5.3400	RFQ	160	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	LTC1982	反转	未行业行业经验证	1.8V〜5.5V	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	500	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
IRS2108pbf	-	RFQ	8822	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2108	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IRS2453DPBF	4.8000	RFQ	16	Infineon技术	-	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS2453	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
111-4095pbf	-	RFQ	9566	Infineon技术	SmarTrectifier™	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	111-4095	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
IRS2103STRPBF	1.4500	RFQ	372	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
IRS2104SPBF	1.7400	RFQ	11	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
IRS2110SPBF	3.4700	RFQ	6	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2110	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001542768	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	500 v
LM5100BSD/NOPB	1.4595	RFQ	7715	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
max1614eua+t	5.7100	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	Max1614	不转变	未行业行业经验证	5v〜26V	8-umax/usop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，2V	-	-
max15013basa+	8.1400	RFQ	400	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15013	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX15013BASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	175 v
MC33151P	-	RFQ	2045	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
NCV33152DR2G	1.5600	RFQ	9002	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
NCP3418BMNR2G	-	RFQ	4843	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	16ns，11ns	30 V
NCP5351D	-	RFQ	6127	Onmi	-	管子	过时的	-30°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5351	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜6.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	8NS，14NS	25 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²