感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IXDF604SI	3.6300	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDF604	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA334	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
风扇3183MX	0.7300	询价	32	仙童	-	大部分	的积极	-			风扇3183	-	未验证	-		-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
IXDF604SITR	1.9382	询价	2707	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDF604	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
ISL6620ACBZ	-	询价	1720	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6620	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6620ACBZ	EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
1SP0635S2M1C-XXXX (2)(3)(4)	435.3283	询价	3429	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0635S2M1C-XXXX(2)(3)(4)			6
MIC4429BM-TR	-	询价	2034	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
MAX5055BASA-T	-	询价	8425	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5055	反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
MIC4101BM-TR	-	询价	5111	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4101	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	400纳秒, 400纳秒	118V
2EDN7533FXTMA1	1.4500	询价	6987	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN7533	反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
IR25604SPBF	-	询价	9432	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25604	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP001547306	EAR99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
MCP14E4-E/SN	2.4500	询价	660	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E4	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E4ESN	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
ISL6613IRZ-T	-	询价	2338	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4424AVOA713	2.2300	询价	6389	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
MCP14A0154T-E/MS	0.9450	询价	8944	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0154	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
IR25603SPBF	-	询价	5481	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25603	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,800	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	180毫安、260毫安	80纳秒、45纳秒	600伏
ISL6612BCB-T	-	询价	4738	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6622CRZ-TR5453	-	询价	7674	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	-		1（无限制）		20-ISL6622CRZ-TR5453TR	过时的		6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
1SP0635D2S1-12	150.4150	询价	4468	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	1SP0635	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1014	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	1200伏
PX3511BDAG	-	询价	6387	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PX3511	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
SM72482MAE-4/NOPB	1.3600	询价	500	国家安全委员会	*	大部分	的积极				SM72482		未验证			下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-SM72482MAE-4/NOPB-14			1
MIC4422ACN	-	询价	第1684章	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
EL7156CS-T7	-	询价	7885	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
ISL89165FRTCZ-T	-	询价	8424	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
UC2706DW	4.7600	询价	707	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC2706	反相、同相	未验证	5V～40V	16-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	40纳秒、30纳秒
FBS-GAM02P-R-PSE	779.2000	询价	8807	EPC空间有限责任公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 130°C（太焦）	表面贴装	18-SMD模块		非反相		4.5V～5.5V、5V～50V	-	-		1（无限制）		4107-FBS-GAM02P-R-PSE		8541.29.0095	1	独立的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	-	35纳秒、22纳秒	100伏
FAD7191M1X	4.1000	询价	2635	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FAD7191	非反相	未验证	10V~22V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒, 25纳秒	600伏
MIC4223YM	2.2000年	询价	4	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4223	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3547-5	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
MCP14E6-E/MF	2.5100	询价	98	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E6	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E6EMF	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	12纳秒、15纳秒
LM25101AM/NOPB	4.2000年	询价	7108	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	100伏
ISL6209CR	0.8900	询价	1	Intersil	-	大部分	的积极	-10℃～100℃（TA）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6209	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-QFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、3.1V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²