感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IX2D11P7	-	询价	7334	IXYS	-	盒子	过时的	-	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IX2D11	-	未验证	-	14-PDIP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	275	-	-		-	-	-	-
NCP51810AMNTWG	3.6100	询价	2061	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	15-VFQFN	NCP51810	非反相	未验证	9V~17V	15-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NCP51810AMNTWGTR	EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	半桥	1	N沟道MOSFET	-	1A、2A	2纳秒、1.5纳秒	150伏
ISL6608IR-T	-	询价	7024	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6608	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-QFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
IRS21281SPBF	1.4200	询价	32	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21281	反相	未验证	9V～20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MAX4426CSA+T	3.2700	询价	3710	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ADUM4221BRIZ	8.2700	询价	170	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ADUM4221	非反相	未验证	2.5V～6.5V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	同步化	半桥	2	IGBT	1.5V、3.5V	4A、6A	25纳秒、30纳秒
ISL6614IR-T	-	询价	8410	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2SP0430V2A0C-XXXX (2)(3)(4)	314.2467	询价	2913	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0430V2A0C-XXXX(2)(3)(4)			3
LM25101CMA/NOPB	3.4749	询价	9083	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	100伏
EL7154CNZ	-	询价	8402	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7154	非反相	未验证	4.5V～16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
IXDN630MYI	9.7600	询价	325	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDN630	非反相	未验证	9V～35V	TO-263-5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒
IR2302SPBF	4.5900	询价	4	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2302	非反相	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
风扇7080MX	-	询价	2430	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7080	非反相	未验证	5.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.7V	250毫安、500毫安	40纳秒、25纳秒	600伏
LM5101CSD/NOPB	3.5000	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
AMT49101KJPTR-B-5	3.3298	询价	6435	快板微系统公司	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40℃～150℃（TA）	表面贴装	48-LQFP 裸露焊盘		非反相		5V～80V	48-LQFP-EP (7x7)	下载	符合ROHS3标准			620-AMT49101KJPTR-B-5			4,500	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	2.4A、4.2A	-
IX2113BTR	-	询价	8408	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	6V、9.5V	2A, 2A	9.4纳秒、9.7纳秒	600伏
MIC4421ZM	2.3500	询价	5531	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
PX3511ADDG	-	询价	6074	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	PX3511	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TPS2811DR	2.9200	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2811	反相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
AUIRS2117S	-	询价	8800	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2117	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511752	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、25纳秒	600伏
IRS21853STRPBF	-	询价	4451	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21853	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、3.5V	2A, 2A	15纳秒，15纳秒	600伏
风扇3229TMPX	1.7400	询价	4	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3229	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	1.6A、2.4A	12纳秒、9纳秒
IRS2336JPBF	-	询价	3695	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2336	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001535038	EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MAX15054AUT+T	2.9200	询价	5341	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MAX15054	非反相	未验证	4.6V～5.5V	SOT-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、3.9V	2.5A、2.5A	18纳秒、16纳秒	65V
HIP2101IRT	-	询价	5888	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	16-QFN (5x5)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
UCC27201ADRMR	2.8800	询价	5	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
AUIRS4428S	-	询价	5285	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS4428	反相、同相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001514224	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、25纳秒
2SP0115T2B0-06	105.0000	询价	8970	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-20℃～85℃（TA）	表面贴装	模块	2SP0115	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1040	EAR99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8A、15A	5纳秒、10纳秒	600伏
1SP0335V2M1C-FZ250R65KE3	271.3117	询价	9608	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-FZ250R65KE3	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	6500伏
MP1923GRE-P	-	询价	5480	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装，可湿侧面	10-VFDFN 裸露焊盘		非反相		5V~17V	10-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1923GRE-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	7A、8A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²