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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
ISL6612BCR Renesas Electronics America Inc ISL6612BCR -
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN （3x3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
ISL6622IBZ Renesas Electronics America Inc ISL66222BZ -
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6622 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 980 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
EL7154CS Elantec EL7154CS -
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 ECAD 1474 0.00000000 Elantec - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） EL7154 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.6V，2.4V 4a，4a 4NS，4NS
ISL6615IRZ Renesas Electronics America Inc ISL6615IRZ -
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6615 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 10-DFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 -isl6615irz Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.5a，4a 13ns，10ns 36 V
IRS2117STRPBF Infineon Technologies IRS2117STRPBF 1.0775
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 ECAD 4847 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2117 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 290mA，600mA 75ns，35ns 600 v
IR2136STRPBF International Rectifier IR2136STRPBF -
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 ECAD 1946年 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR2136 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
TPIC46L03DBR Texas Instruments TPIC46L03DBR -
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 ECAD 6863 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm） TPIC46L03 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 6 n通道MOSFET - 1.2mA，1.2mA 3.5µs，3µs
ISL6613IB Renesas Electronics America Inc ISL6613IB -
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 ECAD 1166 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
NCP81071BZR2G onsemi NCP81071BZR2G 1.6500
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 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） NCP81071 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.2V，1.8V 5a，5a 8ns，8ns
IR21362SPBF Infineon Technologies IR21362SPBF -
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 ECAD 8788 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IR21362 反转，无变形 未行业行业经验证 11.5v〜20V 28-Soic 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001547552 Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，3V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
NCP5355DG onsemi NCP5355DG -
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCP5355 反转，无变形 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 2a，2a 15ns，15ns 26 V
IGD616IC1 Power Integrations IGD616IC1 -
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 ECAD 9052 0.00000000 电源集成 Scale™-1 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 36浸，24条线索 IGD616 反转 未行业行业经验证 14V〜16V 模块 下载 Rohs符合条件 1810-IGD616IC1 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方面或低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet - - 100NS，80NS
IR25601STRPBF Infineon Technologies IR25601STRPBF 1.9200
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 ECAD 3696 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR25601 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.3V 60mA，130mA 200NS，100NS 600 v
UCC27517AQDBVRQ1 Texas Instruments UCC27517AQDBVRQ1 1.1500
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 ECAD 47 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 UCC27517 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 8NS，7NS
IX6R11S3T/R IXYS ix6r11s3t/r -
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 ECAD 9842 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IX6R11 不转变 未行业行业经验证 10v〜35V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.6V 6a，6a 25ns，17ns 600 v
TLE9183QKXUMA1 Infineon Technologies TLE9183QKXUMA1 8.2500
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 ECAD 8218 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - TLE9183 - 未行业行业经验证 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 1,900 3相 半桥 3 n通道MOSFET - - -
SG1626T-883B Microchip Technology SG1626T-883B -
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 ECAD 3135 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-STD-883 托盘 积极的 -55°C〜125°C（TJ） 通过洞 TO-99-8金属罐 SG1626 反转 未行业行业经验证 22V 到99 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1626T-883B Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V，2V 3a 30ns，30ns
MIC4224YM Microchip Technology MIC4224YM 2.7800
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4224 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 576-3549-5 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.4V 4a，4a 15ns，15ns
UCC5870QDWJQ1 Texas Instruments UCC5870QDWJQ1 8.5620
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100，FUSA） 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 36-Bessop（0.295英寸，宽度为，7.50mm） UCC5870 反转 未行业行业经验证 3v〜5.5V，15V〜30V 36-SSOP - 不适用 3（168）） 296-UCC5870QDWJQ1 Ear99 8542.39.0001 37 单身的 低侧 1 IGBT，SIC MOSFET 1.5V，3V 15a，15a 150NS，150NS
IXDF602SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDF602SITR 1.2617
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF602 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
TC4426AVOA713 Microchip Technology TC4426AVOA713 1.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 1.5a，1.5a 25n，25n
IX4340UE IXYS Integrated Circuits Division IX4340UE 1.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） IX4340 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 212-ix4340ue Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.5V 5a，5a 7n，7ns
1SD210F2-FZ600R65KF2 Power Integrations 1SD210F2-FZ600R65KF2 -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C 底盘安装 模块 1SD210F2 - 未行业行业经验证 15.5v〜16.8V 模块 - （1 （无限） 1810-1SD210F2-FZ600R65KF2 过时的 20 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 6a，10a 100NS，100NS 1200 v
DGD2106S8-13 Diodes Incorporated DGD2106S8-13 -
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 ECAD 1878年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DGD2106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-so 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.6V，2.5V 290mA，600mA 100NS，35NS 600 v
LM5101SD/NOPB Texas Instruments LM5101SD/NOPB -
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson（4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.6a，1.6a 600NS，600NS 118 v
IXBD4411SI IXYS IXBD4411SI -
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 ECAD 6443 0.00000000 ixys ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IXBD4411 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 （1 （无限） 到达不受影响 IXBD4411SI-NDR Ear99 8542.39.0001 46 单身的 高方向 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 1V，3.65V 2a，2a 15ns，15ns 1200 v
2SP0115T2B0-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 2SP0115T2B0-XXXX（2）（3）（3）（4） 104.6683
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 ECAD 8812 0.00000000 电源集成 - 大部分 积极的 - 596-2SP0115T2B0-XXXX （2）（3）（4）（4） 12
ISL89163FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89163FBEAZ-T 2.9559
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89163 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
LT8672EDDB#TRMPBF ADI LT8672EDDB＃trmpbf 6.6000
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-DFN （3x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - -
TPS2814PWRG4 Texas Instruments TPS2814PWRG4 -
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 ECAD 2026 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） TPS2814 反转，无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 同步 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 1V，4V 2a，2a 14ns，15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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