RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IRS21956SPBF	1.7900	RFQ	16	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	IRS21956	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	20-SOIC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3.5V	500mA，500mA	25ns，15ns	600 v
MCP14700T-E/MF	2.1900	RFQ	10	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14700	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	10n，10n	36 V
NCP51705MNTXG	4.8100	RFQ	9467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	NCP51705	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜22v	24 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	sic mosfet	1.2V，1.6V	6a，6a	8ns，8ns
STSR2PCD-Tr	-	RFQ	1638年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STSR2	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，3.5a	40n，30ns
FAN3180TSX	1.4800	RFQ	5	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	FAN3180	不转变	未行业行业经验证	5v〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	2.5a，2.8a	19ns，13ns
ISL6605IRZ	-	RFQ	6734	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
MCP1405-E/MF	2.8700	RFQ	297	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1405	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
IR2117	-	RFQ	5536	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
M57962L-71R-02	22.6600	RFQ	12	Powerex Inc.	-	大部分	积极的	-20°C〜60°C	通过洞	14 sip模块，12条线索	M57962	不转变	未行业行业经验证	14V〜15V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	IGBT	-	5a，5a	600NS，400NS
TC4428VMF713	1.1700	RFQ	3607	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
FAN3122TM1X-F085	3.2900	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3122	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns
UCC27200AD	1.6800	RFQ	4224	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
IXDF404SIA	-	RFQ	5653	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF404	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
UCC27512MDRSTEP	4.2200	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	UCC27512	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6（3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
MIC4607-1YTS-T5	-	RFQ	7844	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	MIC4607	反转，无变形	未行业行业经验证	5.25V〜16V	28-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
IXDF402SI	-	RFQ	4127	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF402	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q2687800	Ear99	8541.29.0095	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	8ns，8ns
SLG55021-200010V	0.6300	RFQ	337	Renesas设计德国GMBH	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	SLG55021	CMOS	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	8-tdfn（2x2）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.4V，5.5V	32µA，400µA	-
5962-9579801VPA	-	RFQ	6250	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-9579801VPA			1
TC1410NEUA713	1.7600	RFQ	7974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
LF2136BTR	3.6900	RFQ	2	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LF2136	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	212-LF2136BTRDKR	Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	半桥	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	200mA，350mA	90NS，35NS	600 v
MCP14E9-E/p	2.4200	RFQ	231	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E9EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
TC4428AEOA713	1.7800	RFQ	5636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
ISL89410IBZ	2.9800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl89410ibz	Ear99	8542.39.0001	970	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
ADP3419JRM-REEL	-	RFQ	4973	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	ADP3419		未行业行业经验证	4.6V〜6V	10-msop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2					30 V
IR2102STRPBF	3.5300	RFQ	16	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2102	-	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
EL7252CN	-	RFQ	2675	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7252	反转		4.5V〜16V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n		未行业行业经验证
MCP14628-E/MF	2.1000	RFQ	5984	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14628	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	120	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	10n，10n	36 V
IRS24531DSPBF	-	RFQ	1369	Infineon技术	-	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS24531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
L6392DTR	2.3400	RFQ	9315	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6392	不转变	未行业行业经验证	12.5v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
TC4451VOA	2.9900	RFQ	8239	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²