感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
MAX5055AASA	-	询价	9234	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5055	反相	未验证	4V～15V	8-SOIC-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
ISL89163FBEAZ	2.5600	询价	9	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89163	非反相		4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载					EAR99	8542.39.0001	118	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒		未验证
MIC4479YM-T5	-	询价	1952年	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4479	反相	未验证	4.5V~32V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2.5A、2.5A	120纳秒、45纳秒
1SP0340V2M0C-XXXX (2)(3)(4)	273.0783	询价	8758	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0340V2M0C-XXXX(2)(3)(4)			6
ISL6207CB-T	-	询价	4159	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
2EDL8114GXUMA1	1.1954年	询价	7699	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8114	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	5A、6A	-	120V
风扇7393M	-	询价	3342	仙童	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7393	非反相	未验证	10V～20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	54	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.5A、2.5A	40纳秒、20纳秒	600伏
ISL89412IP	-	询价	9059	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ISL89412	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
DGD1003FTA-13	0.2225	询价	4638	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-偏氟苯	DGD1003	非反相	未验证	10V～20V	V-DFN3035-8	下载			REACH 不出行	31-DGD1003FTA-13TR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	150伏
IXDI509D1T/R	-	询价	9676	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	IXDI509	反相	未验证	4.5V～30V	6-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
MIC4425ZWM	2.4900	询价	23	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
IR2151	-	询价	4056	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2151	RC输入电路	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2151	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	125毫安、250毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
LTC4441IS8-1#TRPBF	3.6450	询价	3738	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
ISL6625ACRZ-T	3.1200	询价	4	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6625	非反相	未验证	5.5V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 3A	31纳秒、18纳秒	36V
MAX628EPA	-	询价	3086	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
ISL6207CB	1.4600	询价	第285章	Intersil	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
2EDL05I06PJXUMA1	2.2900	询价	9	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDL05	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-14	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、1.7V	250毫安、500毫安	48纳秒、24纳秒	600伏
IRS21956SPBF	1.7900	询价	16	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局21956	非反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	500毫安，500毫安	25纳秒、15纳秒	600伏
ISL6614BCB	1.8200	询价	第933章	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	7V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
SG1626T-883B	-	询价	3135	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-99-8 金属罐	SG1626	反相	未验证	22V	TO-99	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1626T-883B	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	3A	30纳秒、30纳秒
UCC27221PWPG4	-	询价	5158	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C ~ 115°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCC27221	反相	未验证	3.7V～20V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	90	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.6V	4A, 4A	17纳秒, 17纳秒
LM5100CMAX	-	询价	第1783章	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
TD351IDT	2.9100	询价	10	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TD351	非反相	未验证	12V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、4.2V	1.3A、1.7A	100ns、100ns（顶部）
LT1162IN#PBF	-	询价	9481	模拟器件公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-PDIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
UCC27538DBVR	1.3100	询价	8385	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27538	非反相	未验证	10V～32V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.2V	2.5A、5A	15纳秒、7纳秒
LF21064NTR	1.7800	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LF21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	212-LF21064NTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、25纳秒	600伏
ADP3120AJRZ-RL	0.8000	询价	7593	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3120	反相、同相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒、11纳秒	35V
ISL6605CRZA-T	-	询价	1634	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
MAX8552EUB+	3.3700	询价	2	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX8552	非反相	未验证	4.5V~6.5V	10-uMAX/uSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	14纳秒、9纳秒
MAX5062CASA+T	-	询价	4000	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5062	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²