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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCP1403-E/SO | 2.5350 |  | 3242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | MCP1403 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 4.5a，4.5a | 15NS，18NS | |||
 | MIC4104YM-TR | 2.3100 | | 3745 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MIC4104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 2a，3a | 10n，6ns | 118 v | ||
| MIC4422AZM | 2.3100 | | 2336 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，3V | 9a，9a | 20N，24NS | |||
 | MIC44F18YMME-TR | 1.3700 | | 17 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | MIC44F18 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | P通道MOSFET | 1.607V，1.615V | 6a，6a | 10n，10n | |||
| MIC44F19MME-TR | 1.3700 | | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | MIC44F19 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | P通道MOSFET | 1.607V，1.615V | 6a，6a | 10n，10n | |||
 | MIC44F20YML-TR | 1.3700 | | 4843 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-VFDFN暴露垫，8-MLF® | MIC44F20 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-MLF®（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 1.607V，1.615V | 6a，6a | 10n，10n | |||
 | LTC4440EMS8E-5 PBF | 5.9800 | | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | LTC4440 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -2735-LTC4440EMS8E-5 pbf | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.3V，1.6V | 2.4a，2.4a | 10n，7ns | 80 V | |
| MCP1403T-E/SO | 2.5350 | | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | MCP1403 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 4.5a，4.5a | 15NS，18NS | |||
 | ISL6210CRZ | - | | 5165 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -10°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6210 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 2a，2a | 8ns，8ns | 36 V | ||
| ISL6597CRZ | - | | 3468 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6597 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
| ISL6610ACRZ-T | - | | 3882 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
 | ISL6610AIBZ | - | | 3364 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
| ISL6610AIRZ | - | | 2959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
 | ISL83202IBZ | 4.3500 | | 5282 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL83202 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜15V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl83202ibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 960 | 独立的 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 1V，2.5V | 1a，1a | 9NS，9NS | 70 v | |
 | IX2R11S3 | - | | 8645 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IX2R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 276 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.6V | 2a，2a | 8NS，7NS | 500 v | |||
| IX4R11S3 | - | | 3495 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IX4R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 230 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，7V | 4a，4a | 23ns，22ns | 650 v | |||
 | ix6r11m6t/r | - | | 9046 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 16-vdfn暴露垫 | IX6R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-MLP（7x6） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | - | 25ns，17ns | 600 v | |||
| ix6r11s3t/r | - | | 9842 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IX6R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.6V | 6a，6a | 25ns，17ns | 600 v | |||
 | ix6r11s6t/r | - | | 1255 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 18-SOIC（0.295（7.50mm） | IX6R11 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 18-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.6V | 6a，6a | 25ns，17ns | 600 v | |||
 | IXA531L4T/r | - | | 2734 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 44-LCC（j-lead） | IXA531 | 反转 | 未行业行业经验证 | 8v〜35V | 44-PLCC （16.54x16.54） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 3相 | 半桥 | 6 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 600mA，600mA | 125ns，50ns | 650 v | |||
| IXA611P7 | - | | 7471 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | IXA611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 14-PDIP | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 375 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，7V | 600mA，600mA | 23ns，22ns | 650 v | |||
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 | IXB611S1 | - | | 1234 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXB611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | |||||
| IXD611P7 | - | | 8646 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | IXD611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 14-PDIP | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 400 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 2.4V，2.7V | 600mA，600mA | 28NS，18NS | 600 v | |||
| ixdd414si | - | | 5034 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | IXDD414 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 14-Soic | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3.5V | 14a，14a | 25ns，22ns | ||||
 | IXDD504PI | - | | 2055 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXDD504 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 4a，4a | 9NS，8NS | ||||
| IXDD509PI | - | | 5143 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXDD509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 9a，9a | 25ns，23ns | ||||
| ixdd509siat/r | - | | 6072 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXDD509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，2.4V | 9a，9a | 25ns，23ns | ||||
| ixdd514pi | - | | 9692 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXDD514 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 1V，2.5V | 14a，14a | 25ns，22ns | ||||
| ixde504pi | - | | 7673 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IXDE504 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 4a，4a | 9NS，8NS |
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