SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IXDE509SIA IXYS IXDE509SIA -
RFQ
ECAD 7198 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDE509 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
IXDE514SIA IXYS IXDE514SIA -
RFQ
ECAD 3143 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDE514 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IXDF504D1 IXYS IXDF504D1 -
RFQ
ECAD 4281 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDF504 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
IXDI414YI IXYS IXDI414YI -
RFQ
ECAD 7427 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA IXDI414 反转 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-263-5 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 14a,14a 22ns,20ns
IXDI504D1T/R IXYS IXDI504D1T/r -
RFQ
ECAD 2437 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDI504 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
IXDI504SIA IXYS IXDI504SIA -
RFQ
ECAD 5492 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI504 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 4a,4a 9NS,8NS
IXDI514SIAT/R IXYS ixdi514siat/r -
RFQ
ECAD 9456 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDI514 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IXDN402SI IXYS IXDN402SI -
RFQ
ECAD 4688 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN402 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 8ns,8ns
IXDN414CI IXYS IXDN414CI -
RFQ
ECAD 7777 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 IXDN414 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 14a,14a 22ns,20ns
IXDN430CI IXYS IXDN430CI -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 IXDN430 不转变 未行业行业经验证 8.5V〜35V TO-220-5 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 30a,30a 18NS,16NS
IXDN509D1 IXYS IXDN509D1 -
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDN509 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
IXDN509PI IXYS IXDN509PI -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXDN509 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
IXDN514D1T/R IXYS IXDN514D1T/r。 -
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDN514 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IXDN514SIA IXYS IXDN514SIA -
RFQ
ECAD 5405 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN514 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IXDN514SIAT/R IXYS ixdn514siat/r -
RFQ
ECAD 2307 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN514 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IXE611S1T/R IXYS IXE611S1T/r。 -
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXE611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IXF611S1 IXYS IXF611S1 -
RFQ
ECAD 8653 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXF611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IXH611S1 IXYS IXH611S1 -
RFQ
ECAD 2721 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXH611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IXH611S1T/R IXYS IXH611S1T/r。 -
RFQ
ECAD 8925 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXH611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
IXK611S1T/R IXYS IXK611S1T/r -
RFQ
ECAD 6102 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXK611 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
L6387E STMicroelectronics L6387E -
RFQ
ECAD 4064 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -45°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) L6387 反转 未行业行业经验证 (17V)) 8点 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.5V,3.6V 400mA,650mA 50ns,30ns 600 v
L6388ED STMicroelectronics L6388 1.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6388 不转变 未行业行业经验证 (17V)) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.8V 400mA,650mA 70NS,40NS 600 v
UCC27424MDGNREP Texas Instruments UCC27424MDGNREP 6.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) UCC27424 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
TPIC46L03DBR Texas Instruments TPIC46L03DBR -
RFQ
ECAD 6863 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) TPIC46L03 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28 sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 6 n通道MOSFET - 1.2mA,1.2mA 3.5µs,3µs
TPS2814DG4 Texas Instruments TPS2814DG4 -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2814 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
TPS2814PG4 Texas Instruments TPS2814PG4 -
RFQ
ECAD 8645 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -40°C〜125°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TPS2814 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
TPS28225DR Texas Instruments tps28225dr 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS28225 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜8.8V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 10n,10n 33 V
TPS2830DR Texas Instruments tps2830dr -
RFQ
ECAD 8357 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) TPS2830 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方向 2 n通道MOSFET - 2.7a,2.4a 50n,50n 28 V
TPS2831DR Texas Instruments tps2831dr -
RFQ
ECAD 7039 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) TPS2831 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方向 2 n通道MOSFET - 2.7a,2.4a 50n,50n 28 V
TPS2837DR Texas Instruments tps2837dr 1.8975
RFQ
ECAD 8223 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2837 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2.7a,2.4a 50n,40n 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库