感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
1SP0335V2M1-5SNA1200G450300	202.2083	询价	3972	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1-5SNA1200G450300	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	4500伏
MC33152VDR2	-	询价	2050年	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC33152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
UCC27423DGN	1.2700	询价	3000	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27423	反相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ISL6613IRZR5214	-	询价	2061	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相		10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V	未验证
AUIRS2123S	-	询价	7008	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2123	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001512204	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	500毫安，500毫安	80纳秒, 80纳秒	600伏
麦克风4452YN	3.9100	询价	9886	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1211	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
1SD418F2-CM800E2C-66H	-	询价	3124	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
IX4427N	1.2400	询价	813	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX4427	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA400	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	10纳秒、8纳秒
MCP1405T-E/SNVAO	-	询价	8181	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
MIC4469ZWM-TR	3.8300	询价	1835年	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
UCC27525DR	2.1000	询价	4	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27525	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.3V	5A、5A	7纳秒、6纳秒
2EDL8024G3CXTMA1	1.7900	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8024	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5A	45纳秒, 45纳秒	120V
UCC37322DGN	1.5600	询价	9133	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC37322	非反相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
UCC27323PE4	-	询价	2088	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UCC27323		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
L6384	-	询价	3367	意法半导体	-	管子	过时的	-45°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	L6384	反相	未验证	14.6V～16.6V	8-迷你 DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
IXH611S1T/R	-	询价	8925	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXH611	-	未验证	-	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
PDRV8305NEPHPRQ1	-	询价	4620	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	48-PowerTQFP	PDRV8305	非反相	未验证	4.4V～45V	48-HTQFP (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	-
IXH611S1	-	询价	2721	IXYS	-	盒子	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXH611	-	未验证	-	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第470章	-	-		-	-	-	-
MAX5064BATC-T	-	询价	第1454章	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	12-WQFN 裸露焊盘	MAX5064	反相、同相	未验证	8V～12.6V	12-TQFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
ISL83204AIPZ	-	询价	3603	瑞萨	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	20-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		反相、同相		9.5V～15V	20-PDIP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ISL83204AIPZ-1833			1	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	2.6A、2.4A	10纳秒，10纳秒	75V
FAN3225TMX-F085	2.7200	询价	1066	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
LT1161CSW#TRPBF	11.1800	询价	1	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LT1161	非反相	未验证	8V~48V	20-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
TPS28225D	1.9600	询价	31	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS28225	非反相	未验证	4.5V～8.8V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	10纳秒，10纳秒	33V
MIC4424CN	-	询价	2955	微芯片	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
UCC37323D	0.8820	询价	8191	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC37323	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ICL7667CBAZA-T	-	询价	4703	Intersil	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
2SP0115T2C0-XXXX (2)(3)(4)	104.6683	询价	6355	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0115T2C0-XXXX(2)(3)(4)			12
ISL89163FBEAZ	2.5600	询价	9	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89163	非反相		4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载					EAR99	8542.39.0001	118	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒		未验证
风扇3225CMPX	0.5600	询价	1	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
MIC4479YM-T5	-	询价	1952年	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4479	反相	未验证	4.5V~32V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2.5A、2.5A	120纳秒、45纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²