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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UC2707DW | 6.4500 | ![]() | 960 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC2707 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 47 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||
![]() | ISL6613AIBZ-T | - | ![]() | 9708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||
![]() | UCC27211ADRMT | 2.3500 | ![]() | 4910 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | UCC27211 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 8-VSON (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,2.7V | 4a,4a | 7.2NS,5.5NS | 120 v | |||
![]() | 5962-0151201VPA | - | ![]() | 2323 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-5962-0151201VPA | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2EDF7275KXUMA1 | 3.6300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 13-tflga | 2EDF7275 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-TFLGA-13-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | ||||
![]() | UCC37322DGN | 1.5600 | ![]() | 9133 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | UCC37322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N | ||||
![]() | 2ED2106S06FXUMA1 | 2.2700 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2106 | CMOS,TTL | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 100NS,35NS | 675 v | |||
![]() | 2ED2104S06FXUMA1 | 1.4100 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 2ED2104 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 290mA,700mA | 70ns,35ns | 650 v | |||
NCV5705BDR2G | 1.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV5705 | 反转 | 未行业行业经验证 | (20V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NCV5705BDR2GTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT | 0.5V,4.5V | 4a,6a | 9.2NS,7.9NS | ||||
![]() | max1492222ate+t | 4.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-WFQFN暴露垫 | 不转变 | 9V〜70V | 16-TQFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.65V,3.65V | - | - | ||||||
![]() | ISL6615CBZ | - | ![]() | 4022 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -isl6615cbz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a,4a | 13ns,10ns | 36 V | ||
![]() | Fan7842m | - | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7842 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 350mA,650mA | 60n,30ns | 200 v | ||||
![]() | TDA21535AUMA1 | 4.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 25-POWERTFQFN | TDA21535 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.25V〜16V | PG-IQFN-25-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2V,0.8V | 20a,20a | - | ||||
![]() | MCP1403T-E/SO | 2.5350 | ![]() | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MCP1403 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4.5a,4.5a | 15NS,18NS | ||||
![]() | AUIRS20302S | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | Auirs20302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 24V〜150V | 28-Soic | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | SP001513658 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.7V,2.5V | 200mA,350mA | 100NS,35NS | 200 v | |||
![]() | VLA531-01R | 12.3359 | ![]() | 5588 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | 14 sip模块,12条线索 | VLA531 | - | 未行业行业经验证 | - | - | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | max15070beut+ | 6.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | Max15070 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 6v〜14V | SOT-23-6 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2V,4.25V | 3a,7a | 6NS,4NS | ||||
![]() | ISL6605CB | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | |||
![]() | RT7020GN | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | Richtek USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | RT7020 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8点 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 300mA,600mA | 70ns,35ns | 600 v | |||
![]() | ISL6540AIRZR5359 | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | * | 大部分 | 积极的 | ISL6540 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | LM5109MAX | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 118 v | ||||
![]() | 1SP0335V2M1C-CM900HG-90H | 271.3117 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 1Sp0335 | - | 未行业行业经验证 | 23.5v〜26.5V | 模块 | - | (1 (无限) | 1810-1SP0335V2M1C-CM900HG-90H | Ear99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 35a,35a | 9ns,30ns | 4500 v | ||||
![]() | BD2310G-Tr | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | BD2310 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 5-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 4a,4a | 10n,10n | ||||
![]() | IRS2111SPBF | 1.0400 | ![]() | 6182 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 8.3V,12.6V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||||||
![]() | MAX5055AASA | - | ![]() | 9234 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max5055 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC-EP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 32ns,26ns | |||||
![]() | IR25600STRPBF | - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR25600 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 2.3a,3.3a | 15ns,10ns | ||||||||
![]() | MCP14E8T-E/MF | 2.1600 | ![]() | 5547 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MCP14E8 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 12n,15ns | ||||
![]() | TC4424VMF | 1.9350 | ![]() | 3454 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4424VMF-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | |||
![]() | LM5109BSDX | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-wson(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | |||
![]() | MXT429CPA | 2.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | MXT429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n |
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