SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
1SP0635S2M1-25 Power Integrations 1SP0635S2M1-25 370.4117
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ECAD 5081 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40℃~85℃ 安装结构 模块 - 14.5V~15.5V 模块 - 596-1SP0635S2M1-25 6 单身的 - 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 2500伏
EL7222CSE9044-T7 Intersil EL7222CSE9044-T7 1.1600
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ECAD 97 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) EL7222 反相、同相 未验证 16.5V~16.5V 24-SOIC 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 0000.00.0000 1,000 独立的 - 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 7.5纳秒、10纳秒
ADP3414JRZ-REEL7 ADI ADP3414JRZ-REEL7 1.4700
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ECAD 2 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3414 非反相 未验证 4.15V~7.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 高侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.3V - -
DGD2164MS14-13 Diodes Incorporated DGD2164MS14-13 -
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ECAD 6859 0.00000000 分散公司 * 卷带式 (TR) 的积极 DGD2164 未验证 - 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 31-DGD2164MS14-13TR EAR99 8542.39.0001 2,500人
5962-88503012C ADI/Maxim Integrated 5962-88503012C -
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ECAD 2936 0.00000000 ADI/Maxim 集成 * 管子 过时的 5962-8850301 未验证 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 175-5962-88503012C 过时的 50
MAX5057AASA ADI/Maxim Integrated MAX5057AASA -
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ECAD 7401 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 MAX5057 反相、同相 未验证 4V~15V 8-SOIC-EP - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 32纳秒、26纳秒
EL7242CN Intersil EL7242CN -
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ECAD 2047 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) EL7242 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-PDIP - 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒
MPQ6531GV-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ6531GV-AEC1-P 2.7699
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ECAD 9471 0.00000000 单片电力系统公司 汽车、AEC-Q100、MPQ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-VFQFN 裸露焊盘 非反相 5V~60V 28-QFN (4x5) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 1589-MPQ6531GV-AEC1-PTR 500 土耳其 半桥 3 N沟道MOSFET 0.8V、2V 800毫安,1安 -
BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor BD2320EFJ-LAE2 3.0100
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 BD2320 非反相 未验证 7.5V~14.5V 8-HTSOP-J 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET 1.7V、1.5V 3.5A、4.5A 8纳秒、6纳秒 100伏
ISL6209CBZ Renesas Electronics America Inc ISL6209CBZ -
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ECAD 3285 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -10°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6209 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1.8V、3.1V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 33V
IRS21844STRPBF Infineon Technologies IRS21844STRPBF 3.7600
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ECAD 2947 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局21844 非反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
1SD210F2-FX200R65KF2_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-FX200R65KF2_OPT1 -
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ECAD 第1747章 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-FX200R65KF2_OPT1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 1200伏
1SP0635D2S1R-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0635D2S1R-XXXX (2)(3)(4) 230.3767
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ECAD 2973 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SP0635D2S1R-XXXX(2)(3)(4) 6
IR4427PBF International Rectifier IR4427PBF 1.5300
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ECAD 1 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IR4427 非反相 6V~20V 8-PDIP 下载 EAR99 8542.39.0001 197 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 2.3A、3.3A 15纳秒、10纳秒 未验证
2EDL8023GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL8023GXUMA1 2.0700
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ECAD 11 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 2EDL8023 非反相 未验证 8V~17V PG-VDSON-8-4 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 45纳秒, 45纳秒 90V
ZL1505ALNFT Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNFT -
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ECAD 5327 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ZL1505 非反相 未验证 4.5V~7.5V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1.7V、3.4V 3.2A、3.2A 5.3纳秒、4.8纳秒 30V
MAX5075AAUA-T ADI/Maxim Integrated MAX5075AAUA-T -
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ECAD 6115 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 MAX5075 RC输入电路 未验证 4.5V~15V 8-uMAX-EP|8-uSOP-EP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 10纳秒,10纳秒
UCC27800DRMT Texas Instruments UCC27800DRMT -
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ECAD 6277 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 的积极 - 符合ROHS3标准 2(1年) 296-UCC27800DRMT 1
1SP0630V2M1R-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0630V2M1R-XXXX (2)(3)(4) 240.4600
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ECAD 4614 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SP0630V2M1R-XXXX(2)(3)(4) 6
ADP3415LRM-REEL ADI ADP3415LRM-卷盘 -
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ECAD 6051 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 过时的 0℃~100℃(TA) 表面贴装 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) 非反相 7V 10-MSOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-ADP3415LRM-卷轴-505 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒、25纳秒 30V
ADUM4221CRIZ-RL ADI ADUM4221CRIZ-RL 4.9200
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ECAD 1315 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) ADUM4221 非反相 未验证 2.5V~6.5V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 半桥 2 IGBT 1.5V、3.5V 4A、6A 25纳秒、30纳秒
IR2112PBF Infineon Technologies IR2112PBF 5.9100
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ECAD 261 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 红外2112 非反相 未验证 10V~20V 14-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001539968 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
IRS2304STRPBF Infineon Technologies IRS2304STRPBF 1.5600
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ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局2304 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.7V、2.3V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
UCC27423PE4 Texas Instruments UCC27423PE4 -
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ECAD 9289 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 105°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) UCC27423 反相 未验证 4V~15V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 20纳秒、15纳秒
LM5100CMA/NOPB Texas Instruments LM5100CMA/NOPB -
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ECAD 8690 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM5100 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 1A、1A 990纳秒、715纳秒 118V
LM5102SD National Semiconductor LM5102SD 1.2900
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ECAD 1 0.00000000 国家安全委员会 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5102 非反相 未验证 9V~14V 10-WSON (4x4) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1.6A、1.6A 600纳秒, 600纳秒 118V
ISL2100AAR3Z-T Intersil ISL2100AAR3Z-T -
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ECAD 4429 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 9-VFDFN 裸露焊盘 ISL2100 非反相 未验证 9V~14V 9-DFN-EP (3x3) - 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 3.7V、7.4V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
1SD536F2-XXXX (2)(4)(5) Power Integrations 1SD536F2-XXXX (2)(4)(5) 340.1925
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ECAD 9464 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SD536F2-XXXX(2)(4)(5) 4
2SP0115T2A0-06 Power Integrations 2SP0115T2A0-06 95.4500
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ECAD 24 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -20℃~85℃(TA) 表面贴装 模块 2SP0115 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1810-1037 EAR99 8473.30.1180 12 独立的 半桥 2 IGBT - 8A、15A 5纳秒、10纳秒 600伏
2EDL8024G3CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8024G3CXTMA1 1.7900
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ECAD 2 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 2EDL8024 非反相 未验证 8V~17V PG-VDSON-8-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 4A、5A 45纳秒, 45纳秒 120V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库