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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SP0635S2M1-25 | 370.4117 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | - | 14.5V~15.5V | 模块 | - | 596-1SP0635S2M1-25 | 6 | 单身的 | - | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 2500伏 | |||||||||
![]() | EL7222CSE9044-T7 | 1.1600 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | EL7222 | 反相、同相 | 未验证 | 16.5V~16.5V | 24-SOIC | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1,000 | 独立的 | - | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 7.5纳秒、10纳秒 | |||||
![]() | ADP3414JRZ-REEL7 | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3414 | 非反相 | 未验证 | 4.15V~7.5V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步化 | 高侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.3V | - | - | ||||
![]() | DGD2164MS14-13 | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | DGD2164 | 未验证 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 31-DGD2164MS14-13TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | ||||||||||||||||
![]() | 5962-88503012C | - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | * | 管子 | 过时的 | 5962-8850301 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 175-5962-88503012C | 过时的 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | MAX5057AASA | - | ![]() | 7401 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | MAX5057 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~15V | 8-SOIC-EP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.1V | 4A, 4A | 32纳秒、26纳秒 | |||||
![]() | EL7242CN | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | EL7242 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-PDIP | - | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | ||||||
![]() | MPQ6531GV-AEC1-P | 2.7699 | ![]() | 9471 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | 汽车、AEC-Q100、MPQ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-VFQFN 裸露焊盘 | 非反相 | 5V~60V | 28-QFN (4x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 1589-MPQ6531GV-AEC1-PTR | 500 | 土耳其 | 半桥 | 3 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 800毫安,1安 | - | |||||||
![]() | BD2320EFJ-LAE2 | 3.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | BD2320 | 非反相 | 未验证 | 7.5V~14.5V | 8-HTSOP-J | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.7V、1.5V | 3.5A、4.5A | 8纳秒、6纳秒 | 100伏 | |||
![]() | ISL6209CBZ | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -10°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6209 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.8V、3.1V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 33V | |||
![]() | IRS21844STRPBF | 3.7600 | ![]() | 2947 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局21844 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | |||
![]() | 1SD210F2-FX200R65KF2_OPT1 | - | ![]() | 第1747章 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-FX200R65KF2_OPT1 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 1200伏 | |||||
![]() | 1SP0635D2S1R-XXXX (2)(3)(4) | 230.3767 | ![]() | 2973 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SP0635D2S1R-XXXX(2)(3)(4) | 6 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IR4427PBF | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IR4427 | 非反相 | 6V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 197 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.7V | 2.3A、3.3A | 15纳秒、10纳秒 | 未验证 | |||||||
![]() | 2EDL8023GXUMA1 | 2.0700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 2EDL8023 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | PG-VDSON-8-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 3A、3A | 45纳秒, 45纳秒 | 90V | |||
![]() | ZL1505ALNFT | - | ![]() | 5327 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | ZL1505 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~7.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.7V、3.4V | 3.2A、3.2A | 5.3纳秒、4.8纳秒 | 30V | |||
![]() | MAX5075AAUA-T | - | ![]() | 6115 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | MAX5075 | RC输入电路 | 未验证 | 4.5V~15V | 8-uMAX-EP|8-uSOP-EP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 3A、3A | 10纳秒,10纳秒 | ||||
![]() | UCC27800DRMT | - | ![]() | 6277 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 296-UCC27800DRMT | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1SP0630V2M1R-XXXX (2)(3)(4) | 240.4600 | ![]() | 4614 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SP0630V2M1R-XXXX(2)(3)(4) | 6 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ADP3415LRM-卷盘 | - | ![]() | 6051 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~100℃(TA) | 表面贴装 | 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 非反相 | 7V | 10-MSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-ADP3415LRM-卷轴-505 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒、25纳秒 | 30V | |||||||
![]() | ADUM4221CRIZ-RL | 4.9200 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ADUM4221 | 非反相 | 未验证 | 2.5V~6.5V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V、3.5V | 4A、6A | 25纳秒、30纳秒 | ||||
![]() | IR2112PBF | 5.9100 | ![]() | 261 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 红外2112 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001539968 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]() | IRS2304STRPBF | 1.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2304 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.7V、2.3V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||
![]() | UCC27423PE4 | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 105°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | UCC27423 | 反相 | 未验证 | 4V~15V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 4A, 4A | 20纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | LM5100CMA/NOPB | - | ![]() | 8690 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 1A、1A | 990纳秒、715纳秒 | 118V | |||
![]() | LM5102SD | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WDFN 裸露焊盘 | LM5102 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 10-WSON (4x4) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 1.6A、1.6A | 600纳秒, 600纳秒 | 118V | |||
![]() | ISL2100AAR3Z-T | - | ![]() | 4429 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 9-VFDFN 裸露焊盘 | ISL2100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 9-DFN-EP (3x3) | - | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 3.7V、7.4V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | |||||||
![]() | 1SD536F2-XXXX (2)(4)(5) | 340.1925 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SD536F2-XXXX(2)(4)(5) | 4 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SP0115T2A0-06 | 95.4500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -20℃~85℃(TA) | 表面贴装 | 模块 | 2SP0115 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1037 | EAR99 | 8473.30.1180 | 12 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 8A、15A | 5纳秒、10纳秒 | 600伏 | |||
![]() | 2EDL8024G3CXTMA1 | 1.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 2EDL8024 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | PG-VDSON-8-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 4A、5A | 45纳秒, 45纳秒 | 120V |
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