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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IRS2308pbf	2.7375	RFQ	3447	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2308	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
ISL6612CRZR5238	-	RFQ	6942	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5101BMA	-	RFQ	6242	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
IR21141SSPBF	-	RFQ	2675	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR21141	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载		3（168））	到达不受影响	SP001538030	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	600 v
TC4426AEMF713	1.1850	RFQ	4242	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AEMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S	-	RFQ	4431	电源集成	Scale™-2	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	2SP0325	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	请求库存验证			1810-2SP0325V2A1-CM2500DYDYD ODY-24S	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	25a， -	600NS，750NS
SI9976DY-T1-E3	-	RFQ	8261	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI9976	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，4V	500mA，500mA	110NS，50NS	40 V
VLA542-01R	-	RFQ	8028	Powerex Inc.	-	大部分	过时的	-20°C〜70°C（TA）	通过洞	14 sip模块，12条线索	VLA542	不转变	未行业行业经验证	14v〜17V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	IGBT	-	5a，5a	400NS，300NS
IRS21171SPBF	-	RFQ	5257	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21171	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
ISL6613CRZ-T	-	RFQ	8590	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC3710NG4	-	RFQ	1345	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
AUIRS20162STR	-	RFQ	4476	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRS20162	不转变	未行业行业经验证	4.4V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	250mA，250mA	200NS，200NS	150 v
SN75372PG4	-	RFQ	8957	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	SN75372	反转	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，4.75V〜24V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	-
ISL6613BCR-T	-	RFQ	7314	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC2714DP	0.7100	RFQ	2	单位树	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC2714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IR21364SPBF	-	RFQ	7411	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IXDI509D1T/r	-	RFQ	9676	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDI509	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
NCV5701CDR2G	2.3000	RFQ	7663	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV5701	反转	未行业行业经验证	20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.75V，4.3V	20mA，15mA	9.2NS，7.9NS
LM5104M-TI	-	RFQ	6055	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2 V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
IPN10ELSXUMA1	-	RFQ	7070	Infineon技术	汽车	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-lssop （0.154英寸，3.90mm宽）	IPN10	不转变	未行业行业经验证	4V〜40V	PG-SSOP-14	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	独立的	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3.5V	400mA，400mA	380NS，380NS
MIC44F20YMME-TR	1.5400	RFQ	2473	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC44F20	反转	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
LM5101BSDX	-	RFQ	4250	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
EL7457CLZ	6.5900	RFQ	7114	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
ix2r11m6t/r	-	RFQ	7154	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX2R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	8NS，7NS	500 v
CHL8505CRT	-	RFQ	4481	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	CHL8505CRT	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，1V	2a，2a	10n，8ns	35 v
LT1162in ＃PBF	-	RFQ	9481	模拟设备公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-PDIP	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
LTC7000MPMSE-1	-	RFQ	4060	模拟设备公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118英寸，3.00mm宽度），12个铅，裸露的垫子，裸露的垫子	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	-		（1 （无限）		161-LTC7000MPMSE-1	过时的		37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
ISL6615IRZ	-	RFQ	9104	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6615irz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
ISL2111AR4Z-T	3.3567	RFQ	3191	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	ISL2111	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	12-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	3a，4a	9NS，7.5NS	114 v
TC4428AEOA713	1.7800	RFQ	5636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²