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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NCV7512FTR2G | - | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100,FlexMos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 32-LQFP | NCV7512 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜5.25V | 32-LQFP (7x7) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 1.4µs,1.4µs (最大) | |||||
![]() | MCP14A0451-E/SN | 1.4300 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A0451 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 4.5a,4.5a | 9.5NS,9NS | ||||
![]() | IHD260 | - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 盒子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | - | 未行业行业经验证 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8543.70.9860 | 30 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | ||||||
![]() | IR2112PBF | 5.9100 | ![]() | 261 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR2112 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539968 | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | ||
![]() | DGD2003S8-13 | 0.9200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DGD2003 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-so类型th | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 200 v | |||
![]() | MI4427BM | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Micrel Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MI4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-sop | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,29NS | ||||||||
![]() | MIC4422ACM-TR | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,3V | 9a,9a | 20N,24NS | ||||
![]() | L6386AD | 1.7700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | L6386 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 14件事 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | |||
UCC27517ADBVT | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | UCC27517 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.4V | 4a,4a | 8NS,7NS | |||||
![]() | UCC27532QDBVRQ1 | 0.7020 | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | UCC27532 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜32v | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 7.9V,8.8V | 2.5a,5a | 15ns,7ns | ||||
![]() | 5962-0051401QEA | - | ![]() | 5473 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-5962-0051401QEA | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | ISL6613IRZ-T | 2.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | |||||
![]() | IRS26320JPBF | - | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | IRS26320 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 44-PLCC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001540932 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | - | 200mA,350mA | - | 600 v | ||||
![]() | MCP14E5-E/SN | 2.4500 | ![]() | 9477 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E5 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP14E5ESN | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4a,4a | 15NS,18NS | |||
![]() | IHD260NC1 | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 电源集成 | Scale™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 36浸,24条线索 | IHD260 | 不转变 | 14V〜16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260NC1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | - | - | 100NS,80NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | ixdd614pi | 2.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDD614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 14a,14a | 25NS,18NS | ||||
2EDF7275FXUMA1 | 3.3900 | ![]() | 3752 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2EDF7275 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-11 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | |||||
![]() | UCC27524AQDGNRQ1 | 2.7600 | ![]() | 5952 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | UCC27524 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1V,2.3V | 5a,5a | 7NS,6NS | ||||
![]() | AUIR3242STRXUMA1 | 3.6100 | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AUIR3242 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜36V | PG-DSO-8-907 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 350mA,350mA | 6µs,6µs | ||||
![]() | MCP14A0304T-E/MS | 1.1400 | ![]() | 472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | MCP14A0304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT | 0.8V,2V | 3a,3a | 12n,12ns | ||||
![]() | LM5110-3MX/NOPB | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5110 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | ||||
![]() | El7243cm | 3.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | EL7243 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 20-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 10n,10ns (最大) | ||||
ISL6625ACRZ-T | 3.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | ISL6625 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜13.2V | 8-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - ,3a | 31ns,18ns | 36 V | ||||
![]() | MPQ6531GVE-AEC1-Z | 1.9551 | ![]() | 9412 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | 汽车,AEC-Q100,MPQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-VFQFN暴露垫 | 不转变 | 5v〜60V | 28-qfn (4x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 1589-MPQ6531GVE-AEC1-ZTR | 5,000 | 3相 | 半桥 | 3 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 800mA,1a | - | |||||||
![]() | UCC37322DGN | 1.5600 | ![]() | 9133 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | UCC37322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N | ||||
![]() | ISL89168FBEAZ | - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89168 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | ||||
![]() | IR7304STRPBF-IR | - | ![]() | 5242 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR7304 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.3V | 60mA,130mA | 200NS,100NS | 700 v | |||
![]() | Fan7842m | - | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7842 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 350mA,650mA | 60n,30ns | 200 v | ||||
![]() | DGD0506AFN-7 | 0.8700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | DGD0506 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | W-DFN3030-10 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,2a | 17ns,12ns | 50 V | |||
![]() | EL7457CU-T7 | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-qsop | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns |
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