感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX17605ASA+	2.4500	询价	20	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX17605	反相、同相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、碳化硅MOSFET	2V、4.25V	4A, 4A	40纳秒、25纳秒
IXDD504D2	-	询价	7330	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	IXDD504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
HIP6601BCBZ-T	-	询价	3766	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6601	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
MCP1416T-E/MC	-	询价	9028	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	MCP1416	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
UCC21222QDQ1	5.0700	询价	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC21222	CMOS/TTL	未验证	3V～5.5V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	296-48847	EAR99	8542.39.0001	40	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.25V、1.6V	4A、6A	5纳秒、6纳秒
2PG010DDC11N	150.5200	询价	9397	田村	-	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	2PG010	非反相	未验证	13V~28V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	132-2PG010DDC11N	EAR99	8543.70.9860	20	独立的	半桥	2	IGBT	0.5V、3.3V		500纳秒、500纳秒
ICL7667CBAZA	1.8100	询价	2479	Intersil	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
MIC4224YM	2.7800	询价	219	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3549-5	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
MIC4429YMM	2.0600	询价	180	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
IXDD409CI	-	询价	8339	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDD409	非反相	未验证	4.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	9A, 9A	10纳秒，10纳秒
ISL6608CBZ-T	-	询价	8302	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6608	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
TC1411VOA	1.1100	询价	4259	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1411	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
RT7020GN	-	询价	7963	立锜美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	RT7020	非反相	未验证	10V～20V	8-DIP	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	300毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏
MPQ6531GV-AEC1-Z	4.1300	询价	4270	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘	MPQ6531	非反相	未验证	5V～60V	28-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1589-MPQ6531GV-AEC1-ZTR	EAR99	8542.39.0001	5,000	土耳其	高侧	6	N沟道MOSFET	0.8V、2V	800毫安，1安	-	1.4V
IXDF404SIA	-	询价	5653	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF404	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
MC33151DG	1.5800	询价	9404	onsemi	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC33151	反相	未验证	6.5V～18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	31纳秒、32纳秒
EL7457CUZ	6.5900	询价	9371	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-QSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	97	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
LTC4444MPMS8E-5#PBF	8.7300	询价	第589章	模拟器件公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	4.5V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
HIP6604BCRZ-T	-	询价	2018年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6604	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
2SP0115T2A0-06	95.4500	询价	24	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-20℃～85℃（TA）	表面贴装	模块	2SP0115	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1037	EAR99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8A、15A	5纳秒、10纳秒	600伏
IRS2890DSPBF	1.5577	询价	9794	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2890	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	220毫安、480毫安	85纳秒、30纳秒	600伏
TC4428AVOA	1.7800	询价	700	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428AVOA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
ADP3414JRZ-卷轴	-	询价	1140	模拟器件公司	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ADP3414JRZ-卷轴-505			1
MCP14A0151T-E/五月	0.9900	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	MCP14A0151	反相	未验证	4.5V~18V	6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
MAX15024DATB+T	-	询价	7250	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	MAX15024	反相、同相	未验证	6.5V～28V	10-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	4A、8A	24纳秒、16纳秒
MCP14E8-E/P	2.5900	询价	270	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP14E8	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E8EP	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	12纳秒、15纳秒
UCD7100PWP	-	询价	4837	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 105°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCD7100	非反相	未验证	4.25V～15V	14-高温SSOP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.16V、2.08V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
NCP303151AMNTWG	-	询价	7681	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	39-电源VFQFN	NCP303151	非反相	未验证	4.5V～5.5V	39-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.65V、2.7V	80A、80A	-	32V
LM5114AMF/NOPB	1.7300	询价	119	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	LM5114	反相、同相	未验证	4V～12.6V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	1.3A、7.6A	82纳秒、12.5纳秒
MP18024HN-LF-Z	1.3650	询价	5290	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MP18024	非反相	未验证	9V～16V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	-	15纳秒、9纳秒	100伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²