SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
TSC426MJA/883B ADI/Maxim Integrated TSC426MJA/883B -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TSC426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
2EDL8013GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL8013GXUMA1 1.0675
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 2EDL8013 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V PG-VDSON-8-4 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 5a,6a - 120 v
ISL6605IBZ Intersil ISL6605IBZ 1.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,4a 8ns,8ns 33 V
ISL6594ACR Intersil ISL6594ACR 0.7500
RFQ
ECAD 6500 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
BM60212FV-CE2 Rohm Semiconductor BM60212FV-CE2 5.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 20ssop (0.240英寸,6.10mm宽度) BM60212 不转变 未行业行业经验证 10v〜24V 20SSOP-BW 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 同步 高侧和低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 4.5a,3.9a 50n,50n 1200 v
MIC4609YWM Microchip Technology MIC4609YWM -
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4609 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 150-MIC4609YWM 过时的 27 3相 半桥 6 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 600 v
LT8672JDDB#TRPBF ADI LT8672JDDB#trpbf 4.0650
RFQ
ECAD 3731 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-WFDFN暴露垫 LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-DFN (3x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - -
SC531ULTRT Semtech Corporation SC531ULTRT -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜115°C(TA) 表面安装 28-UFQFN暴露垫 SC531 反转 未行业行业经验证 3.15v〜3.46V 28-mlpq-ut (4x4) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 600-SC531ULTRTTR 过时的 3,000 3相 低侧 3 P通道MOSFET 0.8V,2.1V 2a,4a 10n,5ns
MCP14A0901T-E/MNY Microchip Technology MCP14A0901T-E/MNY 1.6350
RFQ
ECAD 9567 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MCP14A0901 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-tdfn (2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 同步 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 9a,9a 22ns,22ns
TSC427CPA ADI/Maxim Integrated TSC427CPA 1.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 积极的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TSC427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 1.5a,1.5a 20N,20N
MC33GD3100A3EKR2 NXP USA Inc. MC33GD3100A3EKR2 7.7301
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 32-bessop (0.295英寸,宽度为,7.50mm) MC33GD3100 - 未行业行业经验证 3.3V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 半桥 1 IGBT,N通道MOSFET - 15a,15a -
NCP4424P onsemi NCP4424P 0.7300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NCP4424 未行业行业经验证 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
UCC27518DBVR Texas Instruments UCC27518DBVR 0.9900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 UCC27518 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - 4a,4a 8NS,7NS
EL7158IS Elantec El7158is -
RFQ
ECAD 9745 0.00000000 Elantec - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7158 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜12V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 97 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V,2.4V 12a,12a 12ns,12.2ns
5962-9579801VPA Texas Instruments 5962-9579801VPA -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Texas Instruments * 管子 积极的 下载 rohs3符合条件 不适用 296-5962-9579801VPA 1
MAX15492GTA/V+T ADI/Maxim Integrated max15492gta/v+t -
RFQ
ECAD 6858 0.00000000 ADI/MAXIM集成 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 Max15492 不转变 未行业行业经验证 4.2V〜5.5V 8-TDFN-EP(2x2) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 175-MAX15492GTA/V+TTR Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.2a,2.7a 14ns,7ns 30 V
IXDF402SI IXYS IXDF402SI -
RFQ
ECAD 4127 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDF402 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Q2687800 Ear99 8541.29.0095 50 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 8ns,8ns
2DUC51008DXE1 Tamura 2DUC51008DXE1 77.8500
RFQ
ECAD 87 0.00000000 塔穆拉 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 底盘安装 模块 2DUC51008 不转变 未行业行业经验证 13v〜28V 模块 - Rohs符合条件 不适用 132-2DUC51008DXE1 Ear99 8542.39.0001 30 同步 半桥 2 IGBT - - -
2EDL7125GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL7125GXUMA1 1.1247
RFQ
ECAD 3662 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 2EDL7125 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000
MAX8791GTA+TG51 ADI/Maxim Integrated Max8791GTA+TG51 -
RFQ
ECAD 2348 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 Max8791 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 175-MAX8791GTA+TG51TR 过时的 2,500
IX4427MTR IXYS Integrated Circuits Division IX4427MTR 1.3200
RFQ
ECAD 122 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 IX4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 10n,8ns
IRS2001PBF-INF Infineon Technologies IRS2001pbf-Inf 1.7900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IRS2001 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8点 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 70ns,35ns 200 v
ISL6609IBZ Renesas Electronics America Inc ISL6609IBZ -
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6609 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 980 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - ,4A 8ns,8ns 36 V
SG1626J Microchip Technology SG1626J -
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) SG1626 反转 未行业行业经验证 22V 14-Cerdip - rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG1626J Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2V 3a 30ns,30ns
LM5109BMA Texas Instruments LM5109BMA 1.6180
RFQ
ECAD 9359 0.00000000 Texas Instruments - 管子 不适合新设计 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 15ns,15ns 108 v
ISL6612BCR-T Renesas Electronics America Inc ISL6612BCR-T -
RFQ
ECAD 6436 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6612 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
MPQ1923GR-AEC1-Z Monolithic Power Systems Inc. MPQ1923GR-AEC1-Z -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 汽车,AEC-Q100,MPQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 不转变 5v〜17V 8-qfn (4x4) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1589-MPQ1923GR-AEC1-ZTR 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 7a,8a 7.2NS,5.5NS 120 v
DGD0216WT-7 Diodes Incorporated DGD0216WT-7 0.7700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SOT-23-5薄,TSOT-23-5 DGD0216 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V TSOT-25(TH) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.9a,1.8a 15ns,15ns
NCP5359DR2G onsemi NCP5359DR2G -
RFQ
ECAD 6980 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCP5359 不转变 未行业行业经验证 10v〜13.2V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - 16ns,11ns 35 v
UCC27211DPRT Texas Instruments ucc27211dprt 2.8300
RFQ
ECAD 703 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 UCC27211 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 10-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.3V,2.7V 4a,4a 7.2NS,5.5NS 120 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库