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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSC426MJA/883B | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 军事,MIL-STD-883 | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | TSC426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25n,25n | |||
![]() | 2EDL8013GXUMA1 | 1.0675 | ![]() | 7762 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8013 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 5a,6a | - | 120 v | |||
![]() | ISL6605IBZ | 1.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | 2a,4a | 8ns,8ns | 33 V | ||
![]() | ISL6594ACR | 0.7500 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||||
![]() | BM60212FV-CE2 | 5.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 20ssop (0.240英寸,6.10mm宽度) | BM60212 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜24V | 20SSOP-BW | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 同步 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 4.5a,3.9a | 50n,50n | 1200 v | ||
![]() | MIC4609YWM | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 150-MIC4609YWM | 过时的 | 27 | 3相 | 半桥 | 6 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 20N,20N | 600 v | |||
![]() | LT8672JDDB#trpbf | 4.0650 | ![]() | 3731 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | LT8672 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3v〜42v | 10-DFN (3x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | - | |||
![]() | SC531ULTRT | - | ![]() | 4557 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜115°C(TA) | 表面安装 | 28-UFQFN暴露垫 | SC531 | 反转 | 未行业行业经验证 | 3.15v〜3.46V | 28-mlpq-ut (4x4) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 600-SC531ULTRTTR | 过时的 | 3,000 | 3相 | 低侧 | 3 | P通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 2a,4a | 10n,5ns | ||||
![]() | MCP14A0901T-E/MNY | 1.6350 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MCP14A0901 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 9a,9a | 22ns,22ns | |||
![]() | TSC427CPA | 1.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TSC427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 1.5a,1.5a | 20N,20N | |||
MC33GD3100A3EKR2 | 7.7301 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-bessop (0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MC33GD3100 | - | 未行业行业经验证 | 3.3V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 15a,15a | - | ||||
![]() | NCP4424P | 0.7300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4424 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
UCC27518DBVR | 0.9900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | UCC27518 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 4a,4a | 8NS,7NS | ||||
![]() | El7158is | - | ![]() | 9745 | 0.00000000 | Elantec | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7158 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜12V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 97 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V,2.4V | 12a,12a | 12ns,12.2ns | |||||
![]() | 5962-9579801VPA | - | ![]() | 6250 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 296-5962-9579801VPA | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | max15492gta/v+t | - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | Max15492 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.2V〜5.5V | 8-TDFN-EP(2x2) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 175-MAX15492GTA/V+TTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.2a,2.7a | 14ns,7ns | 30 V | |
![]() | IXDF402SI | - | ![]() | 4127 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDF402 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q2687800 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 8ns,8ns | |||
![]() | 2DUC51008DXE1 | 77.8500 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 塔穆拉 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 底盘安装 | 模块 | 2DUC51008 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 13v〜28V | 模块 | - | Rohs符合条件 | 不适用 | 132-2DUC51008DXE1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 30 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT | - | - | - | |||
![]() | 2EDL7125GXUMA1 | 1.1247 | ![]() | 3662 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 2EDL7125 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | |||||||||||||||||
![]() | Max8791GTA+TG51 | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | Max8791 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 175-MAX8791GTA+TG51TR | 过时的 | 2,500 | |||||||||||||||||
![]() | IX4427MTR | 1.3200 | ![]() | 122 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | IX4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 10n,8ns | |||
![]() | IRS2001pbf-Inf | 1.7900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2001 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 70ns,35ns | 200 v | ||
![]() | ISL6609IBZ | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | SG1626J | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 14-Cerdip | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626J | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | |||
![]() | LM5109BMA | 1.6180 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | ||
![]() | ISL6612BCR-T | - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 10-DFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | MPQ1923GR-AEC1-Z | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | 汽车,AEC-Q100,MPQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 不转变 | 5v〜17V | 8-qfn (4x4) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MPQ1923GR-AEC1-ZTR | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 7a,8a | 7.2NS,5.5NS | 120 v | |||||
![]() | DGD0216WT-7 | 0.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | DGD0216 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | TSOT-25(TH) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.9a,1.8a | 15ns,15ns | |||
NCP5359DR2G | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCP5359 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - | 16ns,11ns | 35 v | ||||
![]() | ucc27211dprt | 2.8300 | ![]() | 703 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | UCC27211 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | 10-wson(4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,2.7V | 4a,4a | 7.2NS,5.5NS | 120 v |
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