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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IRS2005MTRPBF	1.8300	RFQ	7627	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-VFQFN暴露垫	IRS2005	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-MLPQ （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70NS，30NS	200 v
DHP0140N08P5AUMA1	2.1240	RFQ	9871	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				DHP0140		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000
TLE7189F	-	RFQ	5825	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	48-VQFN暴露垫	TLE7189	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜28V	PG-VQFN-48-72	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	3	n通道MOSFET	0.75V，2.1V	1.5a，1.5a	150NS，150NS
IRS21962STRPBF	-	RFQ	5527	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21962	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001543072	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
UCC21222DR	3.6700	RFQ	6740	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UCC21222	CMOS/TTL	未行业行业经验证	3v〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.25V，1.6V	4a，6a	5n，6ns
1ED44175N01BXTSA1	1.0100	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	1ED44175	不转变	未行业行业经验证	12.7v〜20V	PG-SOT23-6-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，1.9V	2.6a，2.6a	5n，5ns
ISL6613AIRZ	-	RFQ	7661	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR25602SPBF-INF	-	RFQ	4911	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25602	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	-	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IR4227pbf	-	RFQ	6773	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR4227	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
IGD616IC1	-	RFQ	9052	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IGD616	反转	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载	Rohs符合条件			1810-IGD616IC1	Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方面或低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，80NS
ISL6612ACBZA-TR5214	-	RFQ	4624	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ZL1505ALNFT1S2568	-	RFQ	2778	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的				ZL1505		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件		到达不受影响	20-ZL1505ALNFT1S2568	过时的	0000.00.0000	1
LM27222MX/NOPB	1.4700	RFQ	5	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM27222	不转变		4V〜6.85V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	205	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，4.5a	17ns，12ns	33 V	未行业行业经验证
Adp3110akrz	-	RFQ	9041	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3110	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，11n	35 v
SC1210STRT	-	RFQ	9710	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SC1210	-	未行业行业经验证	9V〜15V	8-SOIC	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		600-SC1210STRTTR	过时的		2,500	同步	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	15ns，10ns
ISL6614CRZ	-	RFQ	7207	Intersil	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
V62/07624-01XE	4.1430	RFQ	7341	Texas Instruments	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件			296-V62/07624-01XETR			2,500
NCP81161MNTWG	-	RFQ	7995	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81161	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
ISL6625ACRZ-T	3.1200	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6625	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，3a	31ns，18ns	36 V
MIC44F20YML-TR	1.3700	RFQ	4843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-VFDFN暴露垫，8-MLF®	MIC44F20	反转	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-MLF®（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
ADP3650JCPZ-RL	2.8100	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFDFN暴露垫，CSP	ADP3650	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-lfcsp-vd（（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，16NS
L6385ED013TR	1.6600	RFQ	2698	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
MIC4452YM	2.9500	RFQ	5749	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
max628csa+t	3.2700	RFQ	5852	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
IRS23364DJPBF	6.7247	RFQ	1694年	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS23364	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001546420	Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
LM5112MY/NOPB	1.8100	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
2ED2109S06FXUMA1	2.2700	RFQ	7	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-53	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	290mA，700mA	100NS，35NS	650 v
MCP14A0455T-E/MNY	1.6200	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0455	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
ISL6207HRZ-T	-	RFQ	4672	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
FAN3228CMX	0.5200	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3228	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²