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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IRS21844MTRPBF Infineon Technologies IRS21844MTRPBF 3.3600
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 ECAD 4140 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-VFQFN 裸露焊盘，14 引脚 国税局21844 非反相 未验证 10V～20V 16-MLPQ (4x4) 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
TC1410NEOA Microchip Technology TC1410NEOA 2.1600
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 ECAD 18 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC1410 非反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC1410NEOA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 500毫安，500毫安 25纳秒, 25纳秒
IR21531D Infineon Technologies IR21531D -
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 ECAD 8202 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IR21531 RC输入电路 未验证 10V～15.6V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 *IR21531D EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - - 80纳秒、45纳秒 600伏
MIC4467BWM TR Microchip Technology MIC4467BWM TR -
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 ECAD 8072 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 麦克风4467 反相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.2A、1.2A 14纳秒、13纳秒
IRS2336JTRPBF Infineon Technologies IRS2336JTRPBF -
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 ECAD 5449 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 44-LCC（J 引脚），32 引脚 国税局2336 反相 未验证 10V～20V 44-PLCC，32端口 (16.58x16.58) 下载 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
ISL6605IRZ Intersil ISL6605IRZ -
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 ECAD 6561 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6605 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-QFN (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 33V
IXDN609PI IXYS Integrated Circuits Division IXDN609PI 2.1300
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 ECAD 第653章 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDN609 非反相 未验证 4.5V～35V 8-DIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 22纳秒、15纳秒
IR2133STR Infineon Technologies IR2133STR -
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 ECAD 9373 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C（太焦） 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR2133 反相 未验证 10V～20V 28-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 90纳秒、40纳秒 600伏
APTRG8A120G Microsemi Corporation APTRG8A120G -
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 ECAD 2427 0.00000000 美高森美公司 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) - - APTRG8 非反相 未验证 14.5V～15.5V - 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V、2V 8A, 8A - 1200伏
IXDN609CI IXYS Integrated Circuits Division IXDN609CI 3.9400
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 ECAD 1 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDN609 非反相 未验证 4.5V～35V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 22纳秒、15纳秒
2EDS8265HXUMA1 Infineon Technologies 2EDS8265HXUMA1 4.3900
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 ECAD 7965 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) SIC停产 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 2EDS8265 非反相 未验证 20V PG-DSO-16-30 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 N沟道、P沟道MOSFET -，1.65V 4A、8A 6.5纳秒、4.5纳秒
2DM150806CM Tamura 2DM150806CM 118.0200
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 ECAD 101 0.00000000 田村 - 托盘 的积极 -30°C ~ 85°C (TA) 通孔 34-DIP模块，31引脚 2DM150806 - 未验证 15V~24V 0502 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT 0.8V、2V - -
TDA21520AUMA1 Infineon Technologies TDA21520AUMA1 3.8100
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 ECAD 5260 0.00000000 英飞凌科技 EiceDRIVER™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 25-PowerTFQFN TDA21520 非反相 未验证 4.25V～16V PG-IQFN-25-1 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 单身的 半桥 2 N沟道MOSFET 2V、0.8V 20A、20A -
MAX5077AUD+T ADI/Maxim Integrated MAX5077AUD+T -
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 ECAD 3411 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘 MAX5077 RC输入电路 未验证 4.5V～15V 14-TSSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 10纳秒，10纳秒
2EDN7424RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7424RXTMA1 1.6500
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 ECAD 7308 0.00000000 英飞凌科技 EiceDRIVER™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 2EDN7424 非反相 未验证 4.5V～20V PG-TSSOP-8 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.2V、1.9V 4A, 4A 6.4纳秒、5.4纳秒
IX2R11M6T/R IXYS IX2R11M6T/R -
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 ECAD 7154 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX2R11 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 8纳秒、7纳秒 500V
ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc ISL89165FBEBZ 4.9700
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 ECAD 第759章 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL89165 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -ISL89165FBEBZ EAR99 8542.39.0001 980 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
ISL6620IRZ Renesas Electronics America Inc ISL6620IRZ -
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 ECAD 7254 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6620 非反相 未验证 4.5V～5.5V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 36V
ADP3625ARHZ-RL ADI ADP3625ARHZ-RL 3.4600
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 ECAD 1 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 ADP3625 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 4A, 4A 10纳秒，10纳秒
DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated DGD0507AFN-7 0.9300
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 ECAD 2 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 DGD0507 CMOS/TTL 未验证 8V~14V W-DFN3030-10 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、2A 16纳秒、18纳秒 50V
IR2104SPBF Infineon Technologies IR2104SPBF 3.0400
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 ECAD 15 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2104 非反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 210毫安、360毫安 100纳秒、50纳秒 600伏
ISL6208CHRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6208CHRZ-T -
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 ECAD 2335 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -10°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 ISL6208 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-DFN (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.5V、2V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 33V
MIC4421ACN Microchip Technology MIC4421ACN -
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 ECAD 6900 0.00000000 微芯片 - 大部分 过时的 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
EL7457CLZ Renesas Electronics America Inc EL7457CLZ 6.5900
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 ECAD 7114 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 EL7457 非反相 未验证 4.5V~18V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 90 独立的 高侧或低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 13.5纳秒、13纳秒
LM25101AMX/NOPB Texas Instruments LM25101AMX/NOPB 1.9800
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 ECAD 3453 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM25101 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 100伏
MIC4104YM Microchip Technology MIC4104YM 2.8300
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 ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4104 非反相 未验证 9V～16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 576-1590 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A、3A 10纳秒、6纳秒 118V
UCC27423PE4 Texas Instruments UCC27423PE4 -
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 ECAD 9289 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 105°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） UCC27423 反相 未验证 4V～15V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 20纳秒、15纳秒
FAN3122TM1X-F085 onsemi FAN3122TM1X-F085 3.2900
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 最后一次购买 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 风扇3122 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET - 10.6A、11.4A 23纳秒、19纳秒
MAX5057AASA ADI/Maxim Integrated MAX5057AASA -
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 ECAD 7401 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 MAX5057 反相、同相 未验证 4V～15V 8-SOIC-EP - 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 32纳秒、26纳秒
LM25101AMR/NOPB Texas Instruments LM25101AMR/NOPB -
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 ECAD 5080 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM25101 非反相 未验证 9V~14V 8-SO电源板 下载 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 100伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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