电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           风扇3227TMPX | - | ![]()  |                              3303 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 风扇3227 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MLP (3x3) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 | |||||||
![]()  |                                                           MIC4467BN | - | ![]()  |                              8912 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 麦克风4467 | 反相 | 4.5V~18V | 14-DIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 4 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.2A、1.2A | 14纳秒、13纳秒 | 未验证 | ||||
![]()  |                                                           MCP14E7-E/MF | 2.6700 | ![]()  |                              95 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MCP14E7 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MCP14E7EMF | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 12纳秒、15纳秒 | |||
![]()  |                                                           LTC1154CN8 | - | ![]()  |                              8396 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | LTC1154 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | ||||
![]()  |                                                           UCC27211DDAR | 1.9600 | ![]()  |                              5687 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27211 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 8-SO电源板 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.3V、2.8V | 4A, 4A | 7.2纳秒、5.5纳秒 | 120V | |||
![]()  |                                                           风扇73833M | - | ![]()  |                              2342 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇73833 | 非反相 | 未验证 | 11V~20V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.2V、2.5V | 350毫安、650毫安 | 50纳秒、30纳秒 | 600伏 | ||||
![]()  |                                                           L6385ED013TR | 1.6600 | ![]()  |                              2698 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | L6385 | 反相 | 未验证 | 17V(最大) | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.5V、3.6V | 400毫安、650毫安 | 50纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||
![]()  |                                                           UCC27425DGNR | 0.4800 | ![]()  |                              5425 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | UCC27425 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~15V | 8-HVSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 4A, 4A | 20纳秒、15纳秒 | ||||
![]()  |                                                           EB01-FS150R12KE3G | - | ![]()  |                              2577 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | EB01-FS150 | - | 未验证 | - | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | - | - | IGBT | - | - | - | 800V | ||||||
![]()  |                                                           NCP4414P | 0.4200 | ![]()  |                              27 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | NCP4414 | 未验证 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
| NCV5183DR2G | 2.7500 | ![]()  |                              7582 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | NCV5183 | 非反相 | 未验证 | 9V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.2V、2.5V | 4.3A、4.3A | 12纳秒, 12纳秒 | 600伏 | ||||
![]()  |                                                           IX4340N | 1.2800 | ![]()  |                              2 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IX4340 | CMOS/TTL | 未验证 | 5V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 5A、5A | 7纳秒,7纳秒 | ||||
![]()  |                                                           1SP0635V2M1C-XXXX (2)(3)(4) | 374.8417 | ![]()  |                              6270 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SP0635V2M1C-XXXX(2)(3)(4) | 6 | |||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           UCC27423QDRQ1 | 1.2900 | ![]()  |                              4922 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27423 | 反相 | 未验证 | 4V~15V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 4A, 4A | 20纳秒、15纳秒 | ||||
![]()  |                                                           TC4427AVUA | 2.0500 | ![]()  |                              5406 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | TC4427 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 25纳秒, 25纳秒 | ||||
![]()  |                                                           LM5100CMA/NOPB | - | ![]()  |                              8690 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 1A、1A | 990纳秒、715纳秒 | 118V | |||
![]()  |                                                           1SC0450E2B0C-65 | 170.0600 | ![]()  |                              2260 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SC0450E2B0C-65 | 12 | |||||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           风扇7392MX | - | ![]()  |                              9088 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | * | 大部分 | 的积极 | 风扇7392 | 未验证 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]()  |                                                           IR25607STRPBF | 2.8700 | ![]()  |                              980 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR25607 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 2.5A、2.5A | 25纳秒、17纳秒 | 600伏 | |||
![]()  |                                                           2SC0435T2G1C-17 | 117.4083 | ![]()  |                              8538 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2+ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 2SC0435 | - | 14.5V~15.5V | 模块 | - | 596-2SC0435T2G1C-17 | 24 | 独立的 | - | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | - | 35A, 35A | 20纳秒, 20纳秒 | 1700伏 | ||||||||
![]()  |                                                           SC1301AISTRT | - | ![]()  |                              2613 | 0.00000000 | 森泰克公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | SC-74A、SOT-753 | SC1301 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16.5V | SOT-23-5 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 2A, 2A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||||
![]()  |                                                           MIC4416BM4 TR | - | ![]()  |                              2848 | 0.00000000 | 微芯片 | 伊蒂比蒂® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | TO-253-4、TO-253AA | 麦克风4416 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | SOT-143 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.2A、1.2A | 14纳秒、16纳秒 | ||||
![]()  |                                                           LT8672HDDB#TRPBF | 4.3350 | ![]()  |                              2173 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | LT8672 | 非反相 | 未验证 | 3V~42V | 10-DFN (3x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2156-LT8672HDDB#TRPBF | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | - | - | |||
| TC4431CPA | 3.9600 | ![]()  |                              5991 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC4431 | 反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | TC4431CPA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 25纳秒、33纳秒 | ||||
![]()  |                                                           AUIRS2181S | - | ![]()  |                              6168 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AUIRS2181 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 15纳秒,15纳秒 | 600伏 | ||||
![]()  |                                                           MCZ33198EFR2 | - | ![]()  |                              9466 | 0.00000000 | 飞思卡尔半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCZ33198 | 非反相 | 未验证 | 7V~20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1.5V、3.5V | - | 10μs、280μs | ||||
![]()  |                                                           FAN3226CMX-F085 | 1.3200 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3226 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 | ||||
![]()  |                                                           ICL7667CPA | 4.3400 | ![]()  |                              第559章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | ICL7667 | 反相 | 未验证 | 4.5V~15V | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | - | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒, 20纳秒 | ||||||
![]()  |                                                           1SP0635V2M1-33 | 327.4600 | ![]()  |                              32 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 模块 | 1SP0635 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1020 | EAR99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 3300伏 | |||
| LT8672EMS#PBF | 6.6300 | ![]()  |                              1 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | LT8672 | 非反相 | 未验证 | 3V~42V | 10-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | - | - | 

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库