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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） | sic可编程 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LTC4446EMS8E＃trpbf | 3.1050 |  | 3747 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | LTC4446 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.2v〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V，3.25V | 2.5a，3a | 8NS，5NS | 114 v | |||
 | FAN73833M | - | | 2342 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | Fan73833 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11V〜20V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 1.2V，2.5V | 350mA，650mA | 50ns，30ns | 600 v | ||||
| Fan7842m | - | | 3890 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | Fan7842 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.9V | 350mA，650mA | 60n，30ns | 200 v | ||||
 | PM8834TR | 2.0000 | | 4 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PM8834 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.5V | 4a，4a | 45ns，35ns | ||||
 | NCP3420MNR2G | - | | 5133 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | NCP3420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.6V〜13.2V | 8-DFN （3x3） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | 16ns，11ns | 35 v | ||||
 | isl662222crz | - | | 5554 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL662222ACRZ | - | | 5968 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl6622222 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | ||
| ISL6615IRZ | - | | 9104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6615irz | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | ||
 | ISL6614BCBZ | - | | 6693 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜13.2v | 14-Soic | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6614CBZR5238 | - | | 1590年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | ISL6614 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
 | ISL6612CBZAR5214 | - | | 7881 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6615AIBZ | 4.5500 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl6615aibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | ||
| ISL6615CBZ | - | | 4022 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6615cbz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | ||
| ISL2111Bz | 5.3500 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL2111 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.4V，2.2V | 3a，4a | 9NS，7.5NS | 114 v | |||
| ISL6609AIBZ | 4.1900 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6609aibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V，2V | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
| ISL6615CRZ | - | | 4357 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | |||
| ISL6612CRZR5238 | - | | 6942 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6613IRZR5214 | - | | 2061 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6613 | 不转变 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | 未行业行业经验证 | |||
| PX3511ADDG | - | | 5898 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | PX3511 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
 | ISL83204AIBZ | - | | 1499年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） | ISL83204 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 9.5V〜15V | 20-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | -isl83204aibz | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 1V，2.5V | 2.6a，2.4a | 10n，10n | 75 v | ||
| PX3511ADAG-R3 | - | | 2140 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PX3511 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6612CBZ-TR5238 | - | | 4512 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6612CBZA-TR5214 | - | | 7684 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
| ISL6615AIBZ-T | 2.9726 | | 3054 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a，4a | 13ns，10ns | 36 V | |||
| ISL6622AIBZ-T | - | | 8322 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
 | ISL6208IRZ-T | 1.2525 | | 7817 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V，2V | 2a，2a | 8ns，8ns | 33 V | |||
| ISL89411IBZ-T13 | 1.6366 | | 1893年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89411 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 2a，2a | 7.5NS，10NS | ||||
 | ISL2110AR4Z-T | 3.4736 | | 9042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 12-VFDFN暴露垫 | ISL2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 12-DFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 3.7V，7.4V | 3a，4a | 9NS，7.5NS | 114 v | |||
| ISL662222AIRZ-T | 2.7722 | | 4596 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6622 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |||
 | LTC3900IS8＃trpbf | 4.6800 | | 1231 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LTC3900 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜11V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a，2a | 15ns，15ns |
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