感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
MI4427BM	-	询价	9338	麦克雷尔公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	米4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOP	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
UC3705N	6.8400	询价	129	尤尼罗德	*	大部分	的积极				UC3705					下载					EAR99	8542.39.0001	44									未验证
ISL2100AAR3Z-T	-	询价	4429	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	9-VFDFN 裸露焊盘	ISL2100	非反相	未验证	9V~14V	9-DFN-EP (3x3)	-						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3.7V、7.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
IR21141SSPBF	-	询价	2675	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	IR21141	非反相	未验证	11.5V～20V	24-SSOP	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001538030	EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	2A、3A	24纳秒、7纳秒	600伏
ISL6614CRZ-TR5214	-	询价	6221	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6700IR-T	0.6800	询价	5	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	12-QFN (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
2ED2304S06FXLLA1	0.7858	询价	7949	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED2304	互补金属O化物半导体	未验证	10V～17.5V	PG-DSO-8-910	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	360毫安、700毫安	48纳秒、24纳秒	650伏
MC34152DR2G	1.7300	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC34152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
NCP4414P	0.4200	询价	27	onsemi	*	大部分	的积极				NCP4414		未验证			下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
98-0036	-	询价	9035	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2132	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	27	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
EB01-FS150R12KE3G	-	询价	2577	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS150	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	800V
SI9913DY-T1-E3	-	询价	8044	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI9913	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1A、1A	30纳秒、20纳秒	30V
ISL89162FRTBZ-T	-	询价	2495	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
麦克风4422YN	3.2100	询价	第1282章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1195	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
IX4340N	1.2800	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX4340	CMOS/TTL	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	5A、5A	7纳秒，7纳秒
风扇3229CMX	1.7200	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3229	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
IR21362SPBF	-	询价	8788	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001547552	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
LM5114ASD/NOPB	0.8820	询价	9151	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	LM5114	反相、同相	未验证	4V～12.6V	6-WSON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	1.3A、7.6A	82纳秒、12.5纳秒
FAN3228CMX-F085	-	询价	7001	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3228	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
UBA2032TS/N2,118	-	询价	4981	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	UBA2032	RC输入电路	未验证	10.5V～13.5V	28-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	2V、4V；3V、6V	180毫安、200毫安	-	550伏
ISL6208CB-T	-	询价	9060	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6208	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
UCC27211ADRMR	1.9600	询价	7054	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27211	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.7V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
UCC27423P	1.2200	询价	第1172章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UCC27423	反相	未验证	4V～15V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
MP1924HS-LF	-	询价	9706	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MP1924	非反相	未验证	9V～16V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、12纳秒	118V
UC2715DP	1.5300	询价	3	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC2715	非反相	未验证	7V~20V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
LM5109BSDX	-	询价	4216	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
ISL6613CBZ-T	-	询价	2956	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
5962-9579801M2A	-	询价	3460	Texas Instruments	*	管子	的积极									下载	符合ROHS3标准	不适用		296-5962-9579801M2A			1
LM5109BMA	1.6180	询价	9359	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
UC2705N	7.5000	询价	500	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UC2705	反相、同相	未验证	5V～40V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	60纳秒, 60纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²