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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
LMG1020YFFT Texas Instruments LMG1020YFFT 5.7600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 6-ufbga，DSBGA LMG1020 反转，无变形 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V 6-DSBGA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 1.8V，1.7V 7a，5a 375ps，350ps
MCP14A0303T-E/MS Microchip Technology MCP14A0303T-E/MS 1.1400
RFQ
 ECAD 1751年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） MCP14A0303 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT 0.8V，2V 3a，3a 12n，12ns
RT7028BGS Richtek USA Inc. RT7028BG -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RT7028 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 300mA，600mA 70ns，35ns 600 v
RT7027GN Richtek USA Inc. RT7027GN -
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 Richtek USA Inc. - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RT7027 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 300mA，600mA 70ns，35ns 600 v
MAX4426C/D ADI/Maxim Integrated max4426c/d -
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 大部分 过时的 Max4426 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 140
MAX8552ETB+TG24 ADI/Maxim Integrated MAX8552ETB+TG24 -
RFQ
 ECAD 1946年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 MAX8552 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
ISL78444AVEZ-T7A Renesas Electronics America Inc ISL78444444VAVEZ-T7A 5.5100
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽） ISL78444 不转变 未行业行业经验证 8v〜18V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.1V 3a，4a 10n，10n 100 v
MCP14A0452T-E/SN Microchip Technology MCP14A0452T-E/SN 1.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14A0452 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 4.5a，4.5a 9.5NS，9NS
MCP14A0602T-E/MS Microchip Technology MCP14A0602T-E/MS 1.2450
RFQ
 ECAD 1698年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） MCP14A0602 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 6a，6a 10n，10n
MCP14A0602T-E/SN Microchip Technology MCP14A0602T-E/SN 1.2450
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14A0602 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 6a，6a 10n，10n
6EDL04I06NTXUMA1 Infineon Technologies 6EDL04I06NTXUMA1 4.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 6EDL04 不转变 未行业行业经验证 13v〜17.5V PG-DSO-28-17 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 3相 半桥 6 Igbt，n通道，p通道Mosfet 1.1V，1.7V - 60ns，26ns 600 v
RT7020GS Richtek USA Inc. RT7020GS 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RT7020 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 300mA，600mA 70ns，35ns 600 v
RT7021BGS Richtek USA Inc. RT7021BGS -
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 Richtek USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RT7021 不转变 未行业行业经验证 13v〜20V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 300mA，600mA 70ns，35ns 600 v
UCC27211ADRMR Texas Instruments UCC27211ADRMR 1.9600
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27211 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.3V，2.7V 4a，4a 7.2NS，5.5NS 120 v
MLX83203KLW-DBA-000-SP Melexis Technologies NV MLX83203KLW-DBA-000-SP 4.4770
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Melexis Technologies NV 汽车，AEC-Q100 大部分 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 32-VFQFN暴露垫 MLX83203 - 未行业行业经验证 4.5V〜28V 32-qfn （5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V，1.5V 1.4a，1.6a 7n，7ns
NCV5183DR2G onsemi NCV5183DR2G 2.7500
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCV5183 不转变 未行业行业经验证 9v〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.2V，2.5V 4.3a，4.3a 12n，12ns 600 v
MCP14A0601T-E/MNY Microchip Technology MCP14A0601T-E/MNY 1.3350
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MCP14A0601 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-tdfn （2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 6a，6a 10n，10n
NCP81063MNTXG onsemi NCP81063MNTXG -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP81063 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-DFN （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 高方面或低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.7V，3.4V 2.5a，1.6a 30ns，27ns
NCV5106ADR2G onsemi NCV5106ADR2G 3.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NCV5106 反转，无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.3V 250mA，500mA 85ns，35ns 600 v
BS2101F-E2 Rohm Semiconductor BS2101F-E2 1.6000
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） BS2101 不转变 未行业行业经验证 10v〜18V 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方面或低侧 2 IGBT，N通道MOSFET 1V，2.6V 60mA，130mA 60ns，20ns 600 v
MP1924HR-LF-P Monolithic Power Systems Inc. MP1924HR-LF-P 1.7808
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 MP1924 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 10-qfn （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 15ns，12ns 118 v
MP1924HR-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1924HR-LF-Z 1.2150
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 MP1924 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 10-qfn （4x4） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 15ns，12ns 118 v
MP1924HS-LF Monolithic Power Systems Inc. MP1924HS-LF -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MP1924 不转变 未行业行业经验证 9V〜16V 8-SOIC - rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2.4V 4a，4a 15ns，12ns 118 v
LTC7004HMSE#TRPBF ADI LTC7004HMSE＃trpbf 8.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC7004 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS，40NS 60 V
1EDN7511BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7511BXTSA1 -
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 1EDN7511 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜20V PG-SOT23-6-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001462484 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT，N通道MOSFET 1.2V，1.9V 4a，8a
5962-8877002PA ADI/Maxim Integrated 5962-8877002PA -
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -55°C〜125°C（TA） 通过洞 8-CDIP （0.300英寸，7.62mm） 5962-8877002 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 0000.00.0000 50 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2.4V 6a，6a 25n，25n
LTC7003HMSE#TRPBF ADI LTC7003HMSE＃trpbf 5.2350
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-tfsop （0.118，3.00mm宽） LTC7003 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS，40NS 60 V
IRS2890DSPBF Infineon Technologies IRS2890DSPBF 1.5577
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） IRS2890 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 220mA，480mA 85ns，30ns 600 v
6EDM2003L06F06X1SA1 Infineon Technologies 6EDM2003L06F06X1SA1 -
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 6EDM2003 未行业行业经验证 - （1 （无限） 到达不受影响 SP000723092 Ear99 8542.39.0001 1
LTC7000MPMSE#TRPBF ADI LTC7000MPMSE＃trpbf 20.9900
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-tfsop （0.118，3.00mm宽） LTC7000 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜135V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.8V，1.7V - 90NS，40NS 135 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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