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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MAX5075BAUA	-	RFQ	4526	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max5075	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
UCC27524DSDR	2.1000	RFQ	19	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
IRS21094pbf	-	RFQ	9058	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534414	Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
NCP5351DG	-	RFQ	9625	Onmi	-	管子	过时的	-30°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5351	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜6.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	8NS，14NS	25 v
NCP81071AMNTXG	1.4700	RFQ	4281	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	NCP81071	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-wdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.8V	5a，5a	8ns，8ns
UCC27525DGNR	1.2500	RFQ	1904年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27525	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
TLE7189F	-	RFQ	5825	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	48-VQFN暴露垫	TLE7189	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜28V	PG-VQFN-48-72	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	3	n通道MOSFET	0.75V，2.1V	1.5a，1.5a	150NS，150NS
ISL89165Frtaz-T	-	RFQ	4910	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
LF21064NTR	1.7800	RFQ	4	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LF21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	212-LF21064NTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.5V	290mA，600mA	100ns，25ns	600 v
ix6r11s3t/r	-	RFQ	9842	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	6a，6a	25ns，17ns	600 v
LTC7000JMSE＃wtrpbf	5.8650	RFQ	6544	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS
MCP14A1202-E/MS	1.7400	RFQ	4736	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A1202	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
IRS4426STRPBF	1.7300	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS4426	反转	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
1SD210F2-CM600HG-130H	-	RFQ	1352	电源集成	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD210F2-CM600HG-130H	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	6a，10a	100NS，100NS	1200 v
Max25615AUT/V+	-	RFQ	6854	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	条	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	Max25615	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜15.5V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	10	同步	高方面或低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，7a	36ns，17ns
HV9901NG-G	4.8900	RFQ	2575	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.154“，3.90mm宽），14个铅	HV9901	不转变	未行业行业经验证	10V〜450V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	45	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	-	30ns，30ns
SLG55021-200010V	0.6300	RFQ	337	Renesas设计德国GMBH	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	SLG55021	CMOS	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	8-tdfn（2x2）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.4V，5.5V	32µA，400µA	-
IRS21064pbf	-	RFQ	3715	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
ISL6610ACBZ	1.4400	RFQ	2	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
max5062aasa+t	2.9900	RFQ	4	ADI/MAXIM集成	-	（CT）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5062	不转变	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	65ns，65ns	125 v
TLF11251LDXUMA1	3.0900	RFQ	14	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	10-TFDFN暴露垫	TLF11251	不转变	未行业行业经验证	2.35V〜7V	PG-TSON-10-2	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	2.31V，4.69V	2.5a，2.5a	60n，60n
IRS2118STRPBF	2.0900	RFQ	3948	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
max5075caua-t	-	RFQ	4417	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max5075	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
MP1907AGQ-Z	1.0050	RFQ	5023	Monolithic Power Systems Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	MP1907	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	10-qfn （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	2.5a，2.5a	12ns，9ns	100 v
L6498L	-	RFQ	9647	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6498	CMOS/TTL	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1.45V，2V	2a，2.5a	25n，25n	500 v
LT1162CSW＃trpbf	9.4950	RFQ	4517	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
2SB315B-2MBI800U4G-1220	-	RFQ	9123	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
max17605aua+	2.4500	RFQ	7590	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17605AUA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ISL89166FRTAZ-T	-	RFQ	3720	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89166	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
LM5109SD	-	RFQ	8219	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²