感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IXDD504D2	-	询价	7330	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	IXDD504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
DGD2106S8-13	-	询价	1878年	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2106	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
ISL89411IBZ-T13	1.6366	询价	1893年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL89411	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
MAX17605ASA+	2.4500	询价	20	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX17605	反相、同相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、碳化硅MOSFET	2V、4.25V	4A, 4A	40纳秒、25纳秒
ISL89168FBEAZ	-	询价	第1189章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89168	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
TC4428AEMF713	1.0950	询价	9734	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428AEMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
IR2153	-	询价	第1151章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2153	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2153	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	80纳秒、40纳秒	600伏
MAX5062DASA	-	询价	5850	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5062	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
TC4425AVOA713	1.8300	询价	9387	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
AUIRS20162STR	-	询价	4476	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 155°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS20162	非反相	未验证	4.4V～20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	250毫安，250毫安	200纳秒、200纳秒	150伏
HIP6601BCB-T	1.0000	询价	2	Intersil	-	大部分	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6601	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
风扇3226CMX	1.1900	询价	8786	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3226	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
HIP2101IBZT	-	询价	4382	Intersil	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
风扇3121CMPX	-	询价	9273	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3121	反相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
1SP0335V2M1C-CM900HG-90H	271.3117	询价	9881	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-CM900HG-90H	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	4500伏
ISL6612BCB	-	询价	3322	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4428VMF713	1.1700	询价	3607	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428VMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MCP14A0451-E/SN	1.4300	询价	340	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0451	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	4.5A、4.5A	9.5纳秒、9纳秒
LM25101BMA/NOPB	-	询价	6935	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	100伏
IRS2007MTRPBFXUMA1	1.8300	询价	9043	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-VFQFN 裸露焊盘	国税局2007	非反相	未验证	10V～20V	14-MLPQ (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、30纳秒	200V
MAX5075AAUA+	10.3000	询价	2	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX5075	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX5075AAUA+	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
ISL6210CRZ	-	询价	5165	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6210	非反相	未验证	4.5V～5.5V	16-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
IPN10ELSXUMA1	-	询价	7070	英飞凌科技	汽车	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-LSSOP（0.154"，3.90mm宽）裸露焊盘	IPN10	非反相	未验证	4V～40V	PG-SSOP-14	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	400毫安、400毫安	380纳秒, 380纳秒
EL7154CS	-	询价	第1474章	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
MCP14A0152T-E/CH	0.9100	询价	7	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MCP14A0152	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
HIP2101EIB	-	询价	5851	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC-EP	下载	不符合 RoHS 指令	2（1年）	REACH 不出行	-HIP2101EIB	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
2SP0115T2C0-XXXX (2)(3)(4)	104.6683	询价	6355	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0115T2C0-XXXX(2)(3)(4)			12
风扇3225CMPX	0.5600	询价	1	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
ICL7667CBAZA-T	-	询价	4703	Intersil	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
MIC4128YME-TR	1.2200	询价	3	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4128	反相、同相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、18纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²