SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
AUIRS4426S Infineon Technologies Auirs4426s -
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Auirs4426 反转 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001515056 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.7V 2.3a,3.3a 15ns,25ns
AUIRS4427S Infineon Technologies AUIRS4427 -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIRS4427 不转变 未行业行业经验证 6v〜20V 8-SOIC 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001513318 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.5V 2.3a,3.3a 25n,25n
LTC4441MPMSE#PBF ADI LTC4441MPMSE #PBF 14.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4441 不转变 未行业行业经验证 5v〜25V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC4441MPMSE #PBF Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1.8V,2V 6a,6a 13ns,8ns
L6398DTR STMicroelectronics L6398DTR 2.1100
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6398 反转,无变形 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.1V,1.9V 290mA,430mA 75ns,35ns 600 v
SIP41103DM-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41103DM-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 POWERPAK®MLP33-10 SIP41103 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V POWERPAK®MLP33-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.5V,4V 900mA,1.1a 32ns,36ns 50 V
SIP41111DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41111DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SIP41111 不转变 未行业行业经验证 9v〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 4V,7V 2a,2a 13ns,15ns 75 v
FAN7190M-F085 onsemi FAN7190M-F085 -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7190 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8-SOIC - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
FAN7389M onsemi Fan7389m -
RFQ
ECAD 3005 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) Fan7389 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 24分 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 30 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 350mA,650mA 50ns,30ns 600 v
UCC27511DBVT Texas Instruments UCC27511DBVT 1.4200
RFQ
ECAD 497 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 UCC27511 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.4V 4a,8a 8NS,7NS
UCC27517DBVT Texas Instruments UCC27517DBVT 1.1900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 UCC27517 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.4V 4a,4a 8NS,7NS
ZXGD3104N8TC Diodes Incorporated ZXGD3104N8TC 1.0200
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ZXGD3104 不转变 未行业行业经验证 5v〜25V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 n通道MOSFET - 2.5a,7a 480NS,50NS
IRS2334SPBF Infineon Technologies IRS2334SPBF 2.3616
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) IRS2334 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,880 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
HIP2120FRTAZ Renesas Electronics America Inc HIP2120FRTAZ -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 HIP2120 反转 未行业行业经验证 8v〜14V 10-tdfn (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 -Hip2120frtaz Ear99 8541.29.0095 75 同步 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V,7.93V 2a,2a 10n,10n 114 v
HIP2122FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc HIP2122FRTBZ-T -
RFQ
ECAD 1683年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 9-WDFN暴露垫 HIP2122 反转 未行业行业经验证 8v〜14V 9-TDFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.4V,2.2V 2a,2a 10n,10n 114 v
IRS21867STRPBF Infineon Technologies IRS21867STRPBF 2.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS21867 CMOS,TTL 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 22NS,18NS 600 v
UCC27200ADRMT Texas Instruments UCC27200ADRMT 2.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27200 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3V,8V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
LTC3900MPS8#TRPBF ADI LTC3900MPS8#trpbf 12.4650
RFQ
ECAD 2154 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC3900 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜11V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 2a,2a 15ns,15ns
FAN73832MX_WS onsemi FAN73832MX_WS -
RFQ
ECAD 2486 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan73832 不转变 未行业行业经验证 15v〜20V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.9V 350mA,650mA 50ns,30ns 600 v
FAN7393AM onsemi Fan7393am -
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7393 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14分 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 54 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 2.5a,2.5a 25ns,15ns 600 v
FAN7393AMX onsemi FAN7393AMX 3.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7393 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14分 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 2.5a,2.5a 25ns,15ns 600 v
UCC27210DRMR Texas Instruments UCC27210DRMR 0.9945
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27210 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.4V,5.8V 4a,4a 7.2NS,5.5NS 120 v
UCC27201AD Texas Instruments UCC27201AD 2.4800
RFQ
ECAD 4423 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
UCC27201ADRMR Texas Instruments UCC27201ADRMR 2.8800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V 8-VSON (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
AUIRS20161S Infineon Technologies AUIRS20161S -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIRS20161S 反转 未行业行业经验证 4.4V〜6.5V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001515292 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET - 500mA,500mA 200NS,200NS 150 v
2ED020I12FIXUMA1 Infineon Technologies 2ED020I12FIXUMA1 5.4700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 18-SOIC(0.295(7.50mm) 2ED020 反转 未行业行业经验证 14v〜18V PG-DSO-18-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2V 1a,2a 20N,20N 1200 v
UCC27516DRSR Texas Instruments UCC27516DRSR 0.8900
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 UCC27516 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 6(3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.4V 4a,4a 8NS,7NS
UCC27523DSDR Texas Instruments UCC27523DSDR 0.5700
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 UCC27523 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-son (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.3V 5a,5a 7NS,6NS
MAX17602AUA+ ADI/Maxim Integrated max17602aua+ 2.9200
RFQ
ECAD 397 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max17602 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX17602AUA+ Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 40ns,25ns
MAX17600AUA+T ADI/Maxim Integrated Max17600AUA+t 1.2450
RFQ
ECAD 7257 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max17600 反转 未行业行业经验证 4V〜14V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 40ns,25ns
MAX17604AUA+T ADI/Maxim Integrated max17604aua+t 1.2450
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) Max17604 不转变 未行业行业经验证 4V〜14V 8-umax-ep | 8-usop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 2V,4.25V 4a,4a 40ns,25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库