感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC即时
IR2135JTRPBF	6.6700	询价	301	国际校正器公司	-	大部分	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2135	反相		10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载					EAR99	8542.39.0001	46	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	600伏	未验证
IR2118PBF	-	询价	4755	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2118	反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MPQ1925HR-LF-P	3.2500	询价	500	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		非反相		8V~15V	8-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5.9A	15纳秒、10纳秒	115V
EL7156CNZ	-	询价	1519	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
1SD418F2-CM800HB-66H	-	询价	2757	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
IRS21084SPBF	-	询价	2846	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		反相、同相		10V～20V	14-SOIC	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-IRS21084SPBF-600047			1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
TDA21106	-	询价	6129	英飞凌科技	核心控制™	卷带式 (TR)	过时的	-25°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TDA21106	非反相	未验证	10.8V～13.2V	PG-DSO-8-3	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A, 4A	20纳秒、15纳秒	45V
ISL89165FBEBZ-T	2.9559	询价	9809	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL89160FBEBZ	-	询价	1390	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89160	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89160FBEBZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
IR21814PBF	2.0300	询价	9	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21814	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
2SP0115T2D0-17	104.6683	询价	8016	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块		非反相		14.5V～15.5V	模块	-				596-2SP0115T2D0-17			12	独立的	半桥	2	IGBT	-	15A, 15A	5纳秒、10纳秒	1700伏
2SP0320T2B0C-XXXX (2)(3)(4)	239.4533	询价	3707	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0320T2B0C-XXXX(2)(3)(4)			3
HIP2100IBZT7A	4.5800	询价	132	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
风扇3228CMPX	0.5900	询价	17号	仙童	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3228	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
HIP5015IS	2.0700	询价	第864章	Intersil	同步场效应晶体管™	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	HIP5015	非反相	未验证	10.8V～13.2V	7-鸥翼SIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	1	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒
DGD0215WT-7	0.7700	询价	57	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	DGD0215	反相、同相	未验证	4.5V~18V	TSOT-25（TH型）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.9A、1.8A	15纳秒，15纳秒
2EDN8523RXTMA1	0.6683	询价	4417	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	2EDN8523	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-TSSOP-8	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
IRS2607DSTRPBF	1.0800	询价	2	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2607	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
IXRFD615X2	-	询价	9100	IXYS-RF	-	管子	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	8-SMD，写入	IXRFD615	非反相	未验证	8V~18V	8贴片	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	15A, 15A	4纳秒、4纳秒
AUIRS2128S	-	询价	5720	国际校正器公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2128	反相	未验证	12V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
ISL6613ACBZ-T	-	询价	1093	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
NCP1053XP136	0.4000	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极				NCP1053		未验证			-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IVCR1401DR	2.6600	询价	3	发明芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IVCR1401	非反相	未验证	19V~25V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）			EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	IGBT、碳化硅MOSFET	1.7V、1.6V	4A, 4A	13纳秒, 13纳秒
ISL6613IB	3.2000年	询价	630	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
DHP0050N10N5AUMA1	3.7168	询价	2223	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	36电源VFQFN	DHP0050	非反相	未验证	8V~17V	PG-IQFN-36-1	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、6A	-	90V
FAN3223CMX-F085	1.2900	询价	2	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3223	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
DGD2104AS8-13	-	询价	8264	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2104	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
MCP14A1202-E/MSVAO	-	询价	5977	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A1202	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载			REACH 不出行	150-MCP14A1202-E/MSVAO	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	12A, 12A	25纳秒, 25纳秒
TSC427MJA/883B	-	询价	6950	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TSC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
ISL6614IBZR5238	2.5600	询价	3	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	-	不适用				EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²