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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UCC27531DR	1.3800	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27531	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.2V	2.5a，5a	15ns，7ns
TPS28225TDRQ1	1.9300	RFQ	16	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS28225	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜8.8V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	2a，2a	10n，10n	33 V
MAQ4123ME-TRVAO	2.8800	RFQ	464	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	（CT）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）			MAQ4123	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V		下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
MIC4608YM-T5	-	RFQ	8797	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	MIC4608	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MIC4608YMT5	Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	31ns，31ns	600 v
2EDN8524FXTMA1	1.4500	RFQ	6	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	2EDN8524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-TSSOP-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.9V	5a，5a	5.3NS，4.5NS
MCP14A0153T-E/SN	0.9450	RFQ	7437	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0153	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
MCP14A0154T-E/MS	0.9450	RFQ	8944	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
MCP14A0155T-E/MS	0.9450	RFQ	5091	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0155	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
DGD2104AS8-13	-	RFQ	8264	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
DGD2190S8-13	0.8204	RFQ	7416	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2190	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
ix2120btr	-	RFQ	6437	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2120	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	28-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	9.4ns，9.7ns	1200 v
2ED020I12FAXUMA2	11.4200	RFQ	1	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	36-Bessop （0.295英寸，7.50mm宽度），32条线索	2ED020	反转，无变形	未行业行业经验证	13v〜20V	PG-DSO-36-58	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.5V，3.5V	2.4a，2.4a	30ns，50ns	1200 v
ISL6620ACRZ	-	RFQ	5997	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620Acrz	Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
ISL6620CRZ-T	-	RFQ	7551	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
IR2114SSTRPBF	7.9400	RFQ	5536	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR2114	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	600 v
IR2135pbf	-	RFQ	2375	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001538126	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
IR2131JTRPBF	7.0862	RFQ	5845	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2131	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR21368STRPBF	-	RFQ	6724	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21368	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR21365STRPBF	-	RFQ	7191	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21365	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001538510	Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR1167ASTRPBF	3.2900	RFQ	7110	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1167	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	2a，7a	18NS，10NS
IRS21834pbf	-	RFQ	8329	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21834	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IRS2109pbf	-	RFQ	4366	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001545440	Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2304pbf	3.1800	RFQ	6	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	60mA，130mA	200NS，100NS	600 v
IRS21091pbf	-	RFQ	5144	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2213pbf	8.8400	RFQ	2	Infineon技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2213	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2.5a	25ns，17ns	1200 v
IR2235pbf	-	RFQ	6014	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001533290	Ear99	8542.39.0001	494	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IRS21952SPBF	-	RFQ	4820	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21952	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001548840	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	半桥，低侧	3	n通道MOSFET	0.6V，3.5V	500mA，500mA	25n，25n	600 v
IR2138QPBF	-	RFQ	8612	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	64-BQFP	IR2138	反转，无变形	未行业行业经验证	12.5v〜20V	64-mqfp （20x14）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	66	3相	半桥	6	IGBT	0.8V，2V	350mA，200mA	80n，25ns	600 v
IRS2336DSTRPBF	8.6100	RFQ	5723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IRS2124STRPBF	-	RFQ	3953	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2124	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	500mA，500mA	80n，80n	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²