感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
TPS2813PW	-	询价	6626	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPS2813	反相、同相	未验证	4V~14V	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	300	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
IR21363STRPBF	7.1800	询价	819	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21363	反相	未验证	12V~20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
LM5106SD	-	询价	9113	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5106	非反相	未验证	8V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.2A、1.8A	15纳秒、10纳秒	118V
2SP0115T2B0-12	99.0600	询价	148	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-20℃～85℃（TA）	表面贴装	模块	2SP0115	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1041	EAR99	8473.30.1180	12	独立的	半桥	2	IGBT	-	8A、15A	5纳秒、10纳秒	1200伏
LM2724AMX	-	询价	4505	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM2724	非反相	未验证	4.3V~6.8V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、3.2A	17纳秒、12纳秒	28V
UCC37325DR	0.4500	询价	5290	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC37325	反相、同相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ISL6594ACB	1.3000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
UCC27282QDQ1	2.8300	询价	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27282	非反相	未验证	5.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	296-UCC27282QDQ1	EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.9V、2.4V	2.5A、3.5A	12纳秒、10纳秒	120V
1SD210F2-5SNA0750G650300_OPT1	-	询价	1165	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-5SNA0750G650300_OPT1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
风扇3122TMX	2.0600	询价	9664	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3122	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
MIC4424CWM	-	询价	4809	微芯片	-	大部分	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4424	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
MCP14A0305T-E/SN	1.1400	询价	17号	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0305	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
MIC4423YWM-TR	2.1800	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
TC4426VMF713	0.9600	询价	5128	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426VMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MIC4422AZN	3.2800	询价	1208	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
MAX8552EUB	1.1200	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX8552	非反相	未验证	4.5V~6.5V	10-uMAX	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	14纳秒、9纳秒
LM5110-2MX/NOPB	2.4200	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5110	反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
LTC7001MPMSE#TR	-	询价	5855	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7001	非反相	未验证	3.5V～15V	10-MSOP-EP	-		1（无限制）		161-LTC7001MPMSE#TR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
MCP1403-E/MF	2.7000	询价	280	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1403	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
ISL6612ACBZA	-	询价	7089	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4606-1YML-TR	2.1450	询价	9412	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	麦克风4606	非反相	未验证	5.25V～16V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	全桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
TPS28225TDRQ1	1.9300	询价	16	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS28225	非反相	未验证	4.5V～8.8V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	33V
HR2000GS	-	询价	3579	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HR2000	-	未验证	10V~12V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	-	600伏
LTC4444HMS8E#PBF	6.8300	询价	28	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4444HMS8E#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
SN75374D	4.1700	询价	278	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SN75374	反相	未验证	4.75V～28V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	20纳秒, 20纳秒
FAN73611MX-OP	-	询价	7305	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73611	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	250毫安、500毫安	70纳秒、30纳秒	600伏
NCP5359MNR2G	-	询价	5090	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	NCP5359	非反相	未验证	10V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-	16纳秒、11纳秒	35V
2SD300C17A1	133.8700	询价	1	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	45-DIP模块，43引脚	2SD300	-	未验证	14V~16V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8543.70.9860	12	-	半桥	2	IGBT	-	30A、30A	-
LM5111-2MYX	-	询价	6802	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5111	反相	未验证	3.5V～14V	8-HVSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
ISL6614CRZR5238	2.5100	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	-	不适用				EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²