感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
HIP6602ACR	2.1500	询价	960	Intersil	-	大部分	的积极	0℃～85℃（TA）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	HIP6602	非反相	未验证	1.8V～13.2V	16-QFN (5x5)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	全桥	4	N沟道MOSFET	-	730毫安，-	20纳秒, 20纳秒
MIC4606-2YML-TR	2.6300	询价	6293	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	麦克风4606	非反相	未验证	5.25V～16V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	同步化	全桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
CMT-TIT8243A	189.0400	询价	1	CISSOID	-	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)		模块	CMT-TIT8243	非反相	未验证	12V~18V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	3276-CMT-TIT8243A	EAR99	8542.39.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	10A、10A	-	1200伏
SG1626Y	-	询价	7051	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	SG1626	反相	未验证	22V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1626Y	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	3A	30纳秒、30纳秒
ISL6605CR	0.7700	询价	6994	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-QFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
IR2117PBF	4.3700	询价	第536章	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2117	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
EL7222CS	-	询价	7358	伊兰泰克	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		反相、同相		4.5V～15V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-EL7222CS-600006			1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
2EDN7533GXTMA1	0.6683	询价	第1242章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极				2EDN7533		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000
DRV8300DPWR	1.6900	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	DRV8300	非反相	未验证	5V~20V	20-TSSOP	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300DPWRTR	EAR99	8542.39.0001	3,000	土耳其	高侧和低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	750毫安，1.5安	12纳秒, 12纳秒	105V
LTC7000IMSE#WPBF	8.0500	询价	7246	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	14V
UCC27211DDA	2.3500	询价	3055	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27211	非反相	未验证	8V~17V	8-SO电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
TCK401G,LF	0.6200	询价	51	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	TCK401	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPE (0.80x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	高侧	1	-	0.4V、1.6V	-	0.2毫秒、1.5微秒
ISL6613ECB	0.9400	询价	第319章	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6205CB	0.7000	询价	1	Intersil	-	大部分	的积极	-10℃～85℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6205	非反相	未验证	5V~12V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	850毫安，-	20纳秒, 20纳秒
ISL6612ACB	1.4800	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
风扇7390MX	0.9800	询价	8147	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7390	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
HIP5016IS1	1.8300	询价	第885章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40℃～85℃	通孔	7-SSIP形成的引脚	HIP5016	非反相	未验证	9.6V～14.4V	7-SIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	1	N沟道MOSFET	-	5A、5A	20纳秒, 20纳秒
NCV51705MNTWG	4.3200	询价	4469	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装，可湿侧面	24-VFQFN 裸露焊盘	NCV51705	反相、同相	未验证	10V~22V	24-QFNW (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	碳化硅MOSFET	1.2V、1.6V	6A, 6A	8纳秒，8纳秒
MIC4605-2YMVAO	-	询价	1699	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4605	非反相	未验证	5.5V～16V	8-SOIC	下载			REACH 不出行	150-MIC4605-2YMVAO	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	20纳秒, 20纳秒	108V
1SD210F2-5SNA0600G650100	-	询价	5814	电源集成	规模™-2	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-5SNA0600G650100	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
IRS21858SPBF	-	询价	5459	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21858	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001546310	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	高侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	290毫安、600毫安	60纳秒、20纳秒	600伏
EL7156CN	-	询价	3751	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
1SP0335V2M1C-5SNA1200G450300	271.3117	询价	5836	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-5SNA1200G450300	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	4500伏
ADP3417JR	0.7000	询价	11	模拟器件公司	ADP3417	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3417	反相、同相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	-
2SP0430T2B0C-XXXX (2)(3)(4)	297.4233	询价	6641	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-2SP0430T2B0C-XXXX(2)(3)(4)			3
MAX5063BASA+T	7.1700	询价	8725	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
LM2726M	2.0600	询价	5398	国家安全委员会	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM2726	非反相	未验证	4V~7V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.25V、2.4V	3A、3.2A	17纳秒、12纳秒	42V
LM5100MX/NOPB	-	询价	2792	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
L6386ADTR	1.7700	询价	2	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6386	反相	未验证	17V（最大）	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-8320-2	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
ADP3412JR	0.8700	询价	15	模拟器件公司	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3412	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒	30V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²