感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LT1162CN	-	询价	4097	模拟器件公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-PDIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
ISL6608CBZ	2.4200	询价	967	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6608	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
1EDB6275FXUMA1	2.6000	询价	7888	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	1EDB6275	非反相	未验证	3V～15V	PG-DSO-8-51	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	5A、9A	8.3纳秒、5纳秒
LM5101ASDX/NOPB	-	询价	9189	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
DHP1050N10N5AUMA1	6.8100	询价	2363	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	36电源VFQFN	DHP1050	非反相	未验证	8V~17V	PG-IQFN-36-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A, 4A	-	90V
FAN3223TMX-F085	1.2900	询价	5	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3223	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	245	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
UCC27800DRMR	-	询价	8517	Texas Instruments	-	大部分	的积极									-	符合ROHS3标准	2（1年）		296-UCC27800DRMR			1
AMT49101KJPTR-B-3	6.2800	询价	6379	快板微系统公司	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40℃～150℃（TA）	表面贴装	48-LQFP 裸露焊盘		非反相		5V～80V	48-LQFP-EP (7x7)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	620-AMT49101KJPTR-B-3			1,500人	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.99V、2.1V	2.4A、4.2A	-
ISL6613IRZ	2.3200	询价	185	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MAX628ESA+T	3.7650	询价	6852	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
LTC4446IMS8E#PBF	6.1800	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4446	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
LTC1982ES6#TRMPBF	5.3400	询价	160	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6	LTC1982	反相	未验证	1.8V～5.5V	TSOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	500	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.6V、1.4V	-	-
MPQ1923GR-AEC1-P	-	询价	1268	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		非反相		5V~17V	8-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	7A、8A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
ISL89167FRTAZ	3.2600	询价	第830章	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89167	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
1SD418F2-FX800R33KF2	-	询价	5901	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	100纳秒，100纳秒
EL7412CM	-	询价	9305	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	EL7412	反相	未验证	4.5V～15V	20-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
UCC27321PE4	-	询价	2198	尤尼罗德	*	大部分	的积极				UCC27321		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
MAX5063AASA+	11.4200	询价	4455	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX5063AASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
ISL6208CIRZ-T	-	询价	6660	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6208	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
1SP0335S2M1-XXXX (2)(3)(4)	269.6700	询价	9643	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0335S2M1-XXXX(2)(3)(4)			6
FAN3268TMX-F085	2.8200	询价	7626	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3268	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
MAX4429EPA	-	询价	2787	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
QP12W05S-37A	-	询价	8298	金升阳美国有限公司	-	托盘	过时的	-40℃～70℃	通孔	16-SIP模块，13接口		非反相		11.6～12.4V	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		2725-QP12W05S-37A	过时的		60	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	5A、5A	300纳秒、300纳秒
U6084B-MFPG3Y	-	询价	1738	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	U6084B	非反相	未验证	25V（最大）	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
FAN3227CMX-F085	-	询价	3916	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3227	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
SG1626J-DESC	-	询价	4882	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	14-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	SG1626	反相	未验证	22V	14-CERDIP	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1626J-DESC	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	3A	30纳秒、30纳秒
IRS2330JPBF	3.6800	询价	2	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	国税局2330	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
LM5111-4MYX/NOPB	-	询价	8020	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5111	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
HIP2104FRAANZ-T	1.7368	询价	4349	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2104	非反相	未验证	4.5V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.63V、2.06V	1A、1A	8纳秒、2纳秒	60V
UCD7100APWPR	12.0000	询价	2641	Texas Instruments	*	卷带式 (TR)	的积极									-	符合ROHS3标准	2（1年）		296-UCD7100APWPRTR			2,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²