SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
UCC27524ADGN Texas Instruments UCC27524Adgn 1.5700
RFQ
ECAD 4925 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) UCC27524 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 80 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 1V,2.3V 5a,5a 7NS,6NS
IX2113B IXYS Integrated Circuits Division IX2113B -
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IX2113 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA404 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 6V,9.5V 2a,2a 9.4ns,9.7ns 600 v
IX2113BTR IXYS Integrated Circuits Division ix2113btr -
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IX2113 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 6V,9.5V 2a,2a 9.4ns,9.7ns 600 v
UCC27201ATDA3 Texas Instruments UCC27201ATDA3 4.6298
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) - - UCC27201 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 120 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 3a,3a 8NS,7NS 120 v
HIP2104FRAANZ-T Renesas Electronics America Inc HIP2104FRAANZ-T 1.7368
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 12-VFDFN暴露垫 HIP2104 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜14V 12-DFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.63V,2.06V 1a,1a 8NS,2NS 60 V
LTC4440AIMS8E-5#PBF ADI LTC4440AIMS8E-5#pbf 6.4600
RFQ
ECAD 558 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4440 不转变 未行业行业经验证 4V〜15V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -2735-LTC4440AIMS8E-5 pbf Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.2V,1.6V 1.1a,1.1a 10n,7ns 80 V
FAN3223TMX-F085 onsemi FAN3223TMX-F085 1.3182
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3223 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 5a,5a 12ns,9ns
MIC4605-2YMT-TR Microchip Technology MIC4605-2YMT-TR 1.1200
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-UFDFN暴露垫 MIC4605 不转变 未行业行业经验证 5.5V〜16V 10-tdfn(2.5x2.5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 108 v
LM25101ASDX/NOPB Texas Instruments LM25101ASDX/NOPB 1.9800
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM25101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 100 v
HIP2103FRTAAZ-T7A Renesas Electronics America Inc HIP2103FRTAAZ-T7A 2.8600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 HIP2103 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜14V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.63V,2.06V 1a,1a 8NS,2NS 60 V
HIP2104FRAANZ-T7A Renesas Electronics America Inc HIP2104FRAANZ-T7A 3.0200
RFQ
ECAD 7486 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 12-VFDFN暴露垫 HIP2104 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜14V 12-DFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.63V,2.06V 1a,1a 8NS,2NS 60 V
BD6562FV-LBE2 Rohm Semiconductor BD6562FV-LBE2 -
RFQ
ECAD 2503 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-lssop (0.173英寸,4.40mm) BD6562 不转变 未行业行业经验证 10v〜25V 16ssop-b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet - 600mA,600mA -
BD6563FV-LBE2 Rohm Semiconductor BD6563FV-LBE2 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-lssop (0.173英寸,4.40mm) BD6563 不转变 未行业行业经验证 10v〜25V 16ssop-b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 3 Igbt,n通道,p通道Mosfet - 600mA,600mA -
FAN3268TMX-F085 onsemi FAN3268TMX-F085 2.8200
RFQ
ECAD 7626 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3268 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
IX2204NETR IXYS Integrated Circuits Division IX2204NETR -
RFQ
ECAD 7124 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) IX2204 不转变 未行业行业经验证 -10V〜25V 16-Soic - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V,2V 2a,4a - ,8ns
AUIR08152STR Infineon Technologies AUIR08152STR -
RFQ
ECAD 3688 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIR08152 不转变 未行业行业经验证 13v〜25V PG-DSO-8-907 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方面或低侧 1 IGBT - 10a,10a 50n,50n
MIC4606-2YML-TR Microchip Technology MIC4606-2Y-TR 2.6300
RFQ
ECAD 6293 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 MIC4606 不转变 未行业行业经验证 5.25V〜16V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 同步 全桥 4 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 20N,20N 108 v
FAN3121CMX-F085 onsemi FAN3121CMX-F085 2.3800
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3121 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 10.6a,11.4a 23ns,19ns
UCC27519AQDBVRQ1 Texas Instruments UCC27519AQDBVRQ1 1.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74A,SOT-753 UCC27519 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET - 4a,4a 8NS,7NS
MD1813K6-G Microchip Technology MD1813K6-G 3.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-VQFN暴露垫 MD1813 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13V 16 QFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 半桥 4 n通道,p通道MOSFET 0.3V,1.7V 2a,2a 6ns,6ns
FAN7391MX onsemi FAN7391MX 1.0333
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) Fan7391 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
MAX4420MJA/883B ADI/Maxim Integrated MAX4420MJA/883B -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) Max4420 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Q12040589 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
MAX626MJA/883B ADI/Maxim Integrated MAX626MJA/883B -
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 ADI/MAXIM集成 军事,MIL-STD-883 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) Max626 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-Cerdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Q9745732 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 25NS,20NS
MIC4414YFT-TR Microchip Technology MIC4414YFT-TR 0.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 4-UQFN MIC4414 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 4-TQFN(1.2x1.2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,3V 1.5a,1.5a 12n,12ns
PM8834M STMicroelectronics PM8834M -
RFQ
ECAD 1145 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) PM8834 不转变 未行业行业经验证 5v〜18V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 4a,4a 45ns,35ns
MAX4426CSA+T ADI/Maxim Integrated max4426csa+t 3.2700
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 20N,20N
FAN3223TMPX onsemi FAN3223TMPX 1.5400
RFQ
ECAD 5212 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 FAN3223 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-mlp (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 5a,5a 12ns,9ns
LTC4442IMS8E-1#TRPBF ADI LTC4442IMS8E-1 trpbf 2.5650
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4442 不转变 未行业行业经验证 6v〜9.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.4a,2.4a 12n,8ns 42 v
IR21362JPBF Infineon Technologies IR21362JPBF -
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IR21362 反转,无变形 未行业行业经验证 11.5v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 27 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
IR2130SPBF Infineon Technologies IR2130SPBF 13.0600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR2130 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库