SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
IR25604SPBF Infineon Technologies IR25604SPBF -
RFQ
ECAD 9432 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25604 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 SP001547306 Ear99 8542.39.0001 3,800 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IR25604STRPBF Infineon Technologies IR25604STRPBF 2.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR25604 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IR25607SPBF Infineon Technologies IR25607SPBF 4.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR25607 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 6V,9.5V 2.5a,2.5a 25ns,17ns 600 v
AUIR3200S Infineon Technologies AUIR3200S -
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIR3200 不转变 未行业行业经验证 6v〜36V 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 SP001513374 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.9V,2.7V - 1µs,1µs
IR11671ASPBF Infineon Technologies IR11671ASPBF -
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR11671 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 SP001574342 Ear99 8542.39.0001 95 - - - - - -
IR11671ASTRPBF Infineon Technologies IR11671ASTRPBF -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR11671 - 未行业行业经验证 - 8-SOIC 下载 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - - - - - -
LM5100BMAX Texas Instruments LM5100BMAX -
RFQ
ECAD 5270 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 2a,2a 570NS,430NS 118 v
LM5109BSD Texas Instruments LM5109BSD -
RFQ
ECAD 3005 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 15ns,15ns 108 v
LM5112SD Texas Instruments LM5112SD 2.4100
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 LM5112 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 6-wson(3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2.3V 3a,7a 14ns,12ns
LMD18400N Texas Instruments LMD18400N -
RFQ
ECAD 3811 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -25°C〜150°C(TJ) 通过洞 20 DIP(0.300英寸,7.62mm) LMD18400 不转变 未行业行业经验证 7v〜28V 20-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 18 独立的 高方向 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a -
LM5110-3M Texas Instruments LM5110-3M -
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5110 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM5111-1M Texas Instruments LM5111-1M -
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5111 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM5105SDX Texas Instruments LM5105SDX -
RFQ
ECAD 5042 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5105 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 10-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.8a,1.8a 15ns,15ns 118 v
LM5110-2MX Texas Instruments LM5110-2MX -
RFQ
ECAD 1785年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5110 反转 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
LM25101AM/NOPB Texas Instruments LM25101AM/NOPB 4.2000
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM25101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 100 v
LM5114BSDX/NOPB Texas Instruments LM5114BSDX/NOPB 0.7350
RFQ
ECAD 2784 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 LM5114 反转,无变形 未行业行业经验证 4v〜12.6V 6-wson(3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.3a,7.6a 82ns,12.5ns
LM5114ASDX/NOPB Texas Instruments LM5114ASDX/NOPB 0.7350
RFQ
ECAD 5655 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 LM5114 反转,无变形 未行业行业经验证 4v〜12.6V 6-wson(3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 1.3a,7.6a 82ns,12.5ns
TPS51604DSGR Texas Instruments tps51604dsgr 1.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 TPS51604 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-wson(2x2) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.6V,2.65V - 30ns,8ns 34 v
IX4428N IXYS Integrated Circuits Division IX4428N 1.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IX4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA401 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 10n,8ns
IX4426N IXYS Integrated Circuits Division IX4426N 1.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IX4426 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 CLA399 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 10n,8ns
MAX5048AAUT-T ADI/Maxim Integrated max5048aaut-t -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 Max5048 反转,无变形 未行业行业经验证 4v〜12.6V SOT-6 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET - 1.3a,7.6a 82ns,12.5ns
MAX5055BASA-T ADI/Maxim Integrated Max50555555basa-T -
RFQ
ECAD 8425 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5055 反转 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
MAX5057BASA-T ADI/Maxim Integrated max5057basa-t -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max5057 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 32ns,26ns
MAX5064AATC ADI/Maxim Integrated Max5064AATC -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 12-WQFN暴露垫 Max5064 反转,无变形 未行业行业经验证 8v〜12.6V 12-TQFN (4x4) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 65ns,65ns 125 v
LM25101CMYE/NOPB Texas Instruments LM25101CMYE/NOPB 4.2000
RFQ
ECAD 112 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) LM25101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 100 v
LM25101CSD/NOPB Texas Instruments LM25101CSD/NOPB 2.3760
RFQ
ECAD 1054 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM25101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 10-wson(4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 100 v
LM2724AMX Texas Instruments LM2724AMX -
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM2724 不转变 未行业行业经验证 4.3V〜6.8V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 3a,3.2a 17ns,12ns 28 V
LM5100MX Texas Instruments LM5100MX -
RFQ
ECAD 4279 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3V,8V 1.6a,1.6a 600NS,600NS 118 v
ZXGD3102T8TA Diodes Incorporated ZXGD3102T8TA -
RFQ
ECAD 8918 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-223-8 ZXGD3102 不转变 未行业行业经验证 5v〜15V SM8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 ZXGD3102T8TADI Ear99 8541.29.0095 1,000 单身的 高方面或低侧 1 n通道MOSFET - 2a,5a 9840NS,78NS
L6747A STMicroelectronics L6747A -
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 Stmicroelectronics - 托盘 在sic中停产 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 L6747 反转 未行业行业经验证 5v〜12v 8-vfdfpn(3x3) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3.5a, - - 41 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库