RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
max17605aua+t	1.2450	RFQ	7748	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ISL89164FRTCZ	-	RFQ	9028	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL89164	反转	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
HIP2101IBZT	-	RFQ	4382	Intersil	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
FAN7392MX	2.3300	RFQ	449	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	Fan7392	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	4.5V，9.5V	3a，3a	25NS，20NS	600 v
HIP5016IS	2.0700	RFQ	892	Intersil	Synchrofet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	HIP5016	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	7鸥翼饮	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	1	n通道MOSFET	-	-	20N，20N
ISL6614IRZR5238	2.1200	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5112MYX/NOPB	-	RFQ	9478	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-msop-powerpad	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
MCP14E10T-E/SN	1.9050	RFQ	7968	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
ISL6614BCBZ	-	RFQ	6693	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	14-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5110-1SD	1.9065	RFQ	1864年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IR20153STRPBF	-	RFQ	1666年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR20153	反转	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.4V，3V	1.5a，1.5a	200NS，100NS	150 v
ISL6207CB-T	-	RFQ	4159	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6207	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	36 V
L6387E	-	RFQ	4064	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-45°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6387	反转	未行业行业经验证	（17V））	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
ISL6208BCRZ-T	3.0000	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
IR25601STRPBF	1.9200	RFQ	3696	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR25601	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	60mA，130mA	200NS，100NS	600 v
SC1301Aisktrt	-	RFQ	5921	Semtech Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	SC1301	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	SOT-23-5	-		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	20N，20N
UCC27200DDAG4	-	RFQ	8245	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27200	不转变		8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v	未行业行业经验证
ISL7844444Vavez	2.9726	RFQ	3482	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	ISL78444	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜18V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	20-isl784444444vavez	Ear99	8542.39.0001	960	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.1V	3a，4a	10n，10n	100 v
LM5101AM	-	RFQ	1338	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
SG1644Y-883B	-	RFQ	2205	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG1644	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1644Y-883B	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	500mA，500mA	35ns，30ns
LM5109AMAX/NOPB	0.7500	RFQ	410	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
A4919GLPTR-T	3.6500	RFQ	9893	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	35NS，20NS
RT9624FGQW	0.8200	RFQ	1	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	RT9624	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-wdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	-	-	25ns，12ns	15 v
UCC27532QDBVRQ1	0.7020	RFQ	8974	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27532	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	7.9V，8.8V	2.5a，5a	15ns，7ns
ISL66222BZ	-	RFQ	8288	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LTC4442EMS8E-1 trpbf	2.3100	RFQ	8535	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4442	不转变	未行业行业经验证	6v〜9.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.4a，2.4a	12n，8ns	42 v
FAN3226CMX-F085	-	RFQ	4132	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
NCP4414DR2	-	RFQ	2831	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4414		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
MCP1415T-E/OT	0.8800	RFQ	14	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1415	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
MC33151PG	1.6000	RFQ	447	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²