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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
ISL6612ACB Renesas Electronics America Inc ISL6612ACB -
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
NCP81061MNTWG onsemi NCP81061MNTWG 0.7800
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -10°C 〜150°C（TJ） - - NCP81061 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET 1V，2V - 16ns，11ns 35 v
FAN3226CMX onsemi FAN3226CMX 1.1900
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FAN3226 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET - 3a，3a 12ns，9ns
ISL6613BEIB Renesas Electronics America Inc ISL6613BEIB -
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6613 不转变 未行业行业经验证 7v〜13.2v 8-SOIC-EP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
UC2705DG4 Texas Instruments UC2705DG4 -
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 Texas Instruments - 管子 在sic中停产 -25°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UC2705 反转，无变形 未行业行业经验证 5V〜40V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 1.5a，1.5a 60n，60n
IXDN402SI IXYS IXDN402SI -
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDN402 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 8ns，8ns
IRS2007MTRPBFXUMA1 Infineon Technologies IRS2007MTRPBFXUMA1 1.8300
RFQ
 ECAD 9043 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14-VFQFN暴露垫 IRS2007 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-MLPQ （4x4） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 70NS，30NS 200 v
UCC27200D Unitrode UCC27200D -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UCC27200D-600018 1
ISL6605CBZA-T Renesas Electronics America Inc ISL6605CBZA-T -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V，2V 2a，2a 8ns，8ns 33 V
ISL6610IRZ-T Intersil ISL6610IRZ-T 1.9300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 16 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - ，4A 8ns，8ns 36 V
RAA2261104GNP#AA0 Renesas Electronics America Inc RAA2261104GNP ＃AA0 4.9100
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-VQFN暴露垫 RAA2261104 不转变 未行业行业经验证 6.5v〜18V 16 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 20-RAA222261104GNP ＃AA0 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.6V，2.3V 2a，1.2a 30ns，31ns
MIC44F19YMME Microchip Technology MIC44F19MME 1.3700
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） MIC44F19 反转 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 576-1502 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 P通道MOSFET 1.607V，1.615V 6a，6a 10n，10n
HIP2101IRZ Intersil HIP2101IRZ 2.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 HIP2101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 16 QFN（5x5） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 2a，2a 10n，10n 114 v
IR21844PBF Infineon Technologies IR21844pbf 6.2200
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IR21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
LM5101CMYE/NOPB Texas Instruments LM5101CMYE/NOPB 4.2000
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
NCP4425P onsemi NCP4425P 0.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NCP4425 未行业行业经验证 下载 Rohs不合规 3（168）） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
UCC27712QDQ1 Texas Instruments UCC27712QDQ1 1.5120
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27712 - 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 独立的 半桥 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 1.8a，2.8a 16ns，10ns 600 v
FAN3229TMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3229TMX-F085 -
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 Fairchild半导体 汽车，AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FAN3229 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2V 3a，3a 12ns，9ns
LM5101BMA National Semiconductor LM5101BMA -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 国家半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 2a，2a 570NS，430NS 118 v
MPQ6531GVE-AEC1-Z Monolithic Power Systems Inc. MPQ6531GVE-AEC1-Z 1.9551
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. 汽车，AEC-Q100，MPQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-VFQFN暴露垫 不转变 5v〜60V 28-qfn （4x5） 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 1589-MPQ6531GVE-AEC1-ZTR 5,000 3相 半桥 3 n通道MOSFET 0.8V，2V 800mA，1a -
HIP6602BCR Renesas Electronics America Inc HIP6602BCR -
RFQ
 ECAD 2742 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 HIP6602 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 16 QFN（5x5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 同步 半桥 4 n通道MOSFET - - 20N，20N 15 v
LM5100CMY/NOPB Texas Instruments LM5100CMY/NOPB -
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度） LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-msop PowerPad 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V， - 1a，1a 990NS，715NS 118 v
IRS2004PBF Infineon Technologies IRS2004pbf 4.0900
RFQ
 ECAD 881 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IRS2004 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 290mA，600mA 70ns，35ns 200 v
AUIRS21844S Infineon Technologies AUIRS21844S -
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） Auirs2184 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001512188 Ear99 8542.39.0001 55 同步 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 15ns，12ns 600 v
SC530ATETRT Semtech Corporation SC530 PATTRT -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Semtech Corporation - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 SC530 未行业行业经验证 - 3（168）） Ear99 8542.39.0001 3,000
MIC44F18YMME-TR Microchip Technology MIC44F18YMME-TR 1.3700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） MIC44F18 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 P通道MOSFET 1.607V，1.615V 6a，6a 10n，10n
DGD21904MS14-13 Diodes Incorporated DGD21904MS14-13 0.9455
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） DGD21904 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 4.5a，4.5a 25NS，20NS 600 v
FAN7081MX Fairchild Semiconductor FAN7081MX 0.9500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild半导体 汽车，AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Fan7081 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 不适用 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 8V，12.6V 250mA，500mA 15ns，10ns 600 v
1EDN7136UXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7136UXTSA1 0.9700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 1EDN7136 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,500
LM5111-1M National Semiconductor LM5111-1M -
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） LM5111 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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