感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
EL7252CS-T7	-	询价	5033	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7252	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
IXDI502PI	-	询价	8823	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI502	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
TC1411NEUA	1.2200	询价	7137	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1411	非反相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1411NEUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
IX2204NE	-	询价	6336	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX2204	非反相	未验证	-10V～25V	16-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行	CLA410	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	2A、4A	-，8纳秒
风扇3213TMX	1.5600	询价	9172	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3213	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
LT1160CS#PBF	9.5100	询价	9	模拟器件公司	-	管子	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LT1160	非反相	未验证	10V~15V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
MCP14E3-E/SL	-	询价	9467	微芯片	-	管子	的积极		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E3	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50		低侧	2
MCP14E10-E/MF	2.0850	询价	4221	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E10	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E10EMF	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	25纳秒, 25纳秒
LM5100AM/NOPB	3.1000	询价	263	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
ISL2111ABZ	5.3500	询价	6	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL2111	非反相	未验证	8V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	3A、4A	9纳秒、7.5纳秒	114V
风扇3223CMPX	-	询价	3867	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3223	反相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
AUIRS2334S	-	询价	3633	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS2334	非反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001512442	EAR99	8542.39.0001	36	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
EL7457CU-T7	-	询价	3847	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-QSOP	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
L6388E	-	询价	1628	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	L6388	非反相	未验证	17V（最大）	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.8V	400毫安、650毫安	70纳秒、40纳秒	600伏
UCC27201DRMT	2.8300	询价	8534	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27201	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
MIC4427YMM-TR	1.4500	询价	71	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
TPS51601ADRBT	1.6700	询价	126	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 105°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPS51601	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、4V	-	15纳秒、10纳秒
DGD2304S8-13	1.2200	询价	9	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2304	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.7V、2.3V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	600伏
LTC7000MPMSE#TRPBF	20.9900	询价	5696	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
MIC44F20YMME-TR	1.5400	询价	2473	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	麦克风44F20	反相	未验证	4.5V～13.2V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.607V、1.615V	6A, 6A	10纳秒，10纳秒
VLA553-01R	267.1720	询价	8977	动力克斯公司	-	大部分	的积极	-25°C ~ 70°C (TA)	安装结构	模块	VLA553	非反相	未验证	14.2V～15.8V	奥克塔PAK 7+1	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		835-1188	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	24A, 24A	-
MIC4420BN	-	询价	1314	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
NCP81071AMNTXG	1.4700	询价	4281	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	NCP81071	反相	未验证	4.5V～20V	8-WDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.8V	5A、5A	8纳秒，8纳秒
LM5100ASD	2.2920	询价	1932年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
MIC4468BWM	-	询价	3041	微芯片	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4468	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
DHP1070N10N5AUMA1	3.3535	询价	1922年	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	不适合新设计				DHP1070		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000
IRS2109STRPBF	2.5900	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2109	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
TC4424MJA	42.6600	询价	1205	微芯片	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4424MJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
IR2109STRPBF	-	询价	第1153章	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2109	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
MAX5063AASA+T	-	询价	8311	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²