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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
MIC4467BWM TR	-	RFQ	8072	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
ixdd614pi	2.8800	RFQ	2	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDD614	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
ISL6614CR	1.6600	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5110-1SD	1.9065	RFQ	1864年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
UCC27423QDRQ1	1.2900	RFQ	4922	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27423	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
Max15202ete+	-	RFQ	1252	ADI/MAXIM集成	*	托盘	过时的				Max15202		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
5962-0051401QEA	-	RFQ	5473	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0051401QEA			1
MP1925HR-LF-Z	1.1382	RFQ	4577	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		8v〜15v	8-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1589-MP1925HR-LF-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，5.9a	15ns，10ns	115 v
IR2104pbf	-	RFQ	9836	国际整流器	*	大部分	积极的				IR2104					下载					Ear99	8542.39.0001	1									未行业行业经验证
ISL6614CRZR5214	-	RFQ	8876	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4627EOE	5.0100	RFQ	7672	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4627	不转变	未行业行业经验证	4V〜6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4627EOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
TDA21570AUMA1	6.1000	RFQ	5421	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	39-PowerVFQFN	TDA21570	不转变	未行业行业经验证	4.25V〜16V	PG-IQFN-39	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	同步	高侧和低侧	1	-	0.8V，2.4V	-	-	29 v
MIC4428ZM	1.4500	RFQ	9181	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
IRS2509C	-	RFQ	3597	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRS2509		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001534988	Ear99	8542.39.0001	1
El7243cm	3.5700	RFQ	1	Elantec	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
2EDL8113GXUMA1	1.1237	RFQ	2024	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	2EDL8113	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	PG-VDSON-8-4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	5a，6a	-	120 v
ISL6612IRZ	-	RFQ	2667	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UBA2032TS/N2,118	-	RFQ	4981	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm）	UBA2032	RC输入电路	未行业行业经验证	10.5v〜13.5V	28 sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	2V，4V; 3V，6V	180mA，200mA	-	550 v
ISL6614BCRZ-T	-	RFQ	9025	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5100CSDX	-	RFQ	9529	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	118 v
MCP14A0452T-E/SN	1.4300	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
IXDN509PI	-	RFQ	9381	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDN509	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
FAN73933M	-	RFQ	2211	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan73933	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.5a，2.5a	40NS，20NS	600 v
auirs2181str	3.7000	RFQ	6284	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2181	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	15ns，15ns	600 v
IR2102SPBF	4.4600	RFQ	538	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2102	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
ISL6612ACB	-	RFQ	2452	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
NCP81061MNTWG	0.7800	RFQ	5359	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C 〜150°C（TJ）	-	-	NCP81061	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
FAN3226CMX	1.1900	RFQ	8786	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3226	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
ISL6613BEIB	-	RFQ	4817	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UC2705DG4	-	RFQ	8062	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	60n，60n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²