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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2130JTRPBF	9.5711	RFQ	8466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2130	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
6SD106EI	-	RFQ	5685	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TJ）	通过洞	68浸模块，58条线索	6SD106	反转	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8543.70.9860	10	同步	低侧	6	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
MCP14A0303T-E/MNY	0.9750	RFQ	4004	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
EL7104CSZ-T13	4.5591	RFQ	8262	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
ISL95808HRZ-T	3.0600	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ix6r11s6t/r	-	RFQ	1255	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	18-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	6a，6a	25ns，17ns	600 v
ISL6608CRZ	-	RFQ	9086	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
TC4420EMF713	1.3350	RFQ	1616年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
5962-0051401VEA	-	RFQ	3620	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0051401VEA			1
LT8672HDDB＃trpbf	4.3350	RFQ	2173	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	LT8672	不转变	未行业行业经验证	3v〜42v	10-DFN （3x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-LT8672HDDB＃trpbf	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
TC4424AVPA	2.5300	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
2SC0650P2A0-17	178.2600	RFQ	8091	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0650	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1033	Ear99	8473.30.1180	20	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	50a，50a	25n，25n	1700 v
ISL89162FRTBZ-T	-	RFQ	2495	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89162	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
MIC4424BWM	-	RFQ	3876	微芯片技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
MIC4125YML-TR	2.1600	RFQ	5791	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-VFDFN暴露垫，8-MLF®	MIC4125	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-MLF®（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
ISL89163FBEAZ-T	2.9559	RFQ	8342	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89163	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
MIC4605-2YM-T5	-	RFQ	2863	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4605	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
LMG1210RVRR	5.8700	RFQ	4612	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	19-WFQFN暴露垫	LMG1210	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，6v〜18V	19-wqfn （3x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.5a，3a	500PS，500PS	200 v
IXD611P7	-	RFQ	8646	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	400	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
TPS2839PWPRG4	-	RFQ	7850	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Powertssop （0.173英寸，4.40mm）	TPS2839	反转	未行业行业经验证	10v〜15V	16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
IRS23365DMTRPBF	3.8747	RFQ	2293	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	48-VFQFN暴露垫，34条线索	IRS23365	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	48-mlPQ （7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001535088	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	180mA，380mA	125ns，50ns	600 v
MIC4600YML-T5	2.2500	RFQ	450	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	MIC4600	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	16-vqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1180	500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.65V，1.4V	-	15ns，13.5ns
tps2829dbvt	2.7300	RFQ	5205	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2829	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
NCP81074BMNTBG	2.0000	RFQ	4084	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81074	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10a，10a	4NS，4NS
LM5110-1M	-	RFQ	7028	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
IR2301STR	-	RFQ	7793	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IR2301STRTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
EL7154CS-T13	-	RFQ	6660	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
MCP14A0152T-E/CH	0.9100	RFQ	7	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MCP14A0152	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
MIC4128ME-TR	1.2200	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4128	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
EL7155CSZ-T7	8.4600	RFQ	9486	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²