SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
ISL6608CR-T Renesas Electronics America Inc ISL6608CR-T -
RFQ
ECAD 5277 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6608 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 22 v
ISL6613ACR Intersil ISL6613ACR -
RFQ
ECAD 2423 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
V62/07624-01XE Texas Instruments V62/07624-01XE 4.1430
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 Texas Instruments * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 296-V62/07624-01XETR 2,500
IXDI430YI IXYS ixdi430yi -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA IXDI430 反转 未行业行业经验证 8.5V〜35V TO-263-5 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3.5V 30a,30a 18NS,16NS
2EDL8014GXUMA1 Infineon Technologies 2EDL8014GXUMA1 1.1247
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 Infineon技术 eicedriver™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 2EDL8014 不转变 未行业行业经验证 8v〜17V PG-VDSON-8-4 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 n通道MOSFET - 5a,6a - 120 v
IR11662STRPBF Infineon Technologies IR11662STRPBF 2.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 高级智能整流器™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR11662 不转变 未行业行业经验证 11.4v〜18v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V,2.15V 1A,4A 21ns,10ns
FAN3223TMX onsemi FAN3223TMX 1.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3223 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 5a,5a 12ns,9ns
UCC27325DR Texas Instruments UCC27325DR 1.7900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) UCC27325 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,2V 4a,4a 20N,15n
TC4429VOA Microchip Technology TC4429VOA 2.1300
RFQ
ECAD 307 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4429 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4429VOA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 25n,25n
ISL6700IBZ Renesas Electronics America Inc ISL6700IBZ 3.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6700 不转变 未行业行业经验证 9V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -isl6700ibz Ear99 8542.39.0001 98 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.4a,1.3a 5n,5ns 80 V
ISL89162FRTAZ Renesas Electronics America Inc ISL89162FRTAZ -
RFQ
ECAD 5482 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89162 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V,2.08V 6a,6a 20N,20N
LT8672EMS#TRPBF ADI LT8672EMS#trpbf 3.5400
RFQ
ECAD 7848 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) LT8672 不转变 未行业行业经验证 3v〜42v 10-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - -
ISL6612ACB Renesas Electronics America Inc ISL6612ACB -
RFQ
ECAD 2452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
UCD7138DRST Texas Instruments UCD7138DRST 2.5700
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 6-WDFN暴露垫 UCD7138 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 6(3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1.08V,1.93V 4a,6a 4NS,3.5NS
MCP1403-E/SO Microchip Technology MCP1403-E/SO 2.5350
RFQ
ECAD 3242 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MCP1403 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 4.5a,4.5a 15NS,18NS
EL7457CU-T7 Intersil EL7457CU-T7 -
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) EL7457 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-qsop 下载 Rohs不合规 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 高方面或低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 13.5ns,13ns
UCC27221PWP Unitrode UCC27221PWP 2.1500
RFQ
ECAD 180 0.00000000 单位树 - 管子 过时的 -55°C 〜115°C(TJ) 表面安装 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) UCC27221 反转 未行业行业经验证 3.7V〜20V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 90 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.7V,2.6V 4a,4a 17ns,17ns
MAX8552EUB+T ADI/Maxim Integrated max8552eub+t 1.6800
RFQ
ECAD 1968年 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 10-tfsop,10-msop (0.118英寸,3.00mm宽度) MAX8552 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜6.5V 10-umax/usop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V - 14ns,9ns
TC4421EPA Microchip Technology TC4421EPA 4.3600
RFQ
ECAD 129 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TC4421 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4421EPA-NDR Ear99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 60n,60n
TC4468EJD Microchip Technology TC4468EJD -
RFQ
ECAD 6359 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) TC4468 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 14-Cerdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4468EJD-NDR Ear99 8542.39.0001 29 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 15ns,15ns
ISL6608IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6608IRZ-T -
RFQ
ECAD 3340 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6608 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2a,2a 8ns,8ns 22 v
IR2301SPBF Infineon Technologies IR2301SPBF 2.2200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 - 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2301 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 高方面或低侧 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.9V 200mA,350mA 130ns,50ns 600 v
LMG1020YFFT Texas Instruments LMG1020YFFT 5.7600
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 6-ufbga,DSBGA LMG1020 反转,无变形 未行业行业经验证 4.75V〜5.25V 6-DSBGA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 1.8V,1.7V 7a,5a 375ps,350ps
2ASC-17A1HP Microchip Technology 2ASC-17A1HP 193.0900
RFQ
ECAD 9395 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 模块 2ASC-17 - 经过验证 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-2ASC-17A1HP Ear99 8504.90.2000 1 单身的 半桥 1 sic mosfet - - - 1700 v
FAN7390MX onsemi FAN7390MX 1.0014
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan7390 不转变 未行业行业经验证 10v〜22v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.2V,2.5V 4.5a,4.5a 25NS,20NS 600 v
QC962-8A Mornsun America, LLC QC962-8A 5.1100
RFQ
ECAD 9960 0.00000000 Mornsun America,LLC - 托盘 积极的 -40°C〜70°C 通过洞 14 sip模块,12条线索 QC962-8A - 未行业行业经验证 -7V〜 -15V,14V〜18V 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2725-QC962-8A Ear99 8542.39.0001 60 单身的 高方向 1 IGBT - 8a,8a 600NS,400NS
ISL6612ACBZ Renesas Electronics America Inc ISL6612ACBZ 2.9200
RFQ
ECAD 369 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6612 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
TD351IDT STMicroelectronics TD351IDT 2.9100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TD351 不转变 未行业行业经验证 12v〜26V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,4.2V 1.3a,1.7a 100NS,100NS (最大)
ISL6613CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613CRZ-T -
RFQ
ECAD 8590 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6613 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IRS24531DSTRPBF International Rectifier IRS24531DSTRPBF 1.2700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -25°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) IRS24531 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.6V 14-Soic 下载 Ear99 8542.39.0001 1 同步 全桥 1 n通道MOSFET 4.7V,9.3V 180mA,260mA 120NS,50NS 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库