RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UC3707QG3	-	RFQ	9219	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	20-lcc（j-lead）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	20-PLCC （9x9）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	92	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n
MCP14A0303T-E/MNY	0.9750	RFQ	4004	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
2SD315AI-25	-	RFQ	8719	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	2SD315	-	未行业行业经验证	15V	模块	下载		不适用			Ear99	8473.30.1180	1	-	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	18a，18a	-
FAN3213TMX-F085	-	RFQ	5831	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3213	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
TC4420EMF713	1.3350	RFQ	1616年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
FAN7171M-F085	3.3800	RFQ	1372	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7171	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
1SP0635V2M1-CM1200HC-66H	303.3133	RFQ	4785	电源集成	Scale™-2	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1Sp0635	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	6	-	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns
FAN5009MPX	0.6400	RFQ	167	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-MLP（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
TPS2815DG4	-	RFQ	4865	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS2815	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
LM9061MX/NOPB	2.8600	RFQ	4	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM9061	不转变	未行业行业经验证	7v〜26V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.5V，3.5V	-	-
64-9093pbf	-	RFQ	5759	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	4,800
ISL89161FBEAZ-T	-	RFQ	3567	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89161	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
PM8841D	1.1200	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	PM8841	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	-	800mA，1a	20n，20n （最大）
DGD21904MS14-13	0.9455	RFQ	4466	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	DGD21904	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4.5a，4.5a	25NS，20NS	600 v
MIC4127ME	1.1300	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	576-1186	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
TC426EOA713	1.9000	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
NCP5355DG	-	RFQ	4005	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5355	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	15ns，15ns	26 V
UCC27201ADDA	2.5400	RFQ	5	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
IXBD4410PI	-	RFQ	7909	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	IXBD4410	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16二滴	下载		不适用	到达不受影响	IXBD4410PI-NDR	Ear99	8542.39.0001	25	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v
TC4424COE713	3.4100	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
IR2113-1PBF	-	RFQ	8840	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸入0.300英寸，7.62mm），13个线索	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
ISL95808WR5999	-	RFQ	7334	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	-	-	ISL95808	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	-	-				20-ISL95808WR5999	过时的		1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
MIC4428CN	-	RFQ	2087	微芯片技术	-	大部分	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
UCC37322DGN	1.5600	RFQ	9133	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
tps2812p	2.5500	RFQ	573	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2812	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IXDF404SIA	-	RFQ	5653	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF404	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
TC1410NEUA	1.7600	RFQ	2641	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
LTC1165CS8＃trpbf	-	RFQ	8786	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1165	反转	未行业行业经验证	1.8V〜6V	8-so	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	3	n通道MOSFET	-	-	-
NCP81074BMNTBG	2.0000	RFQ	4084	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81074	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10a，10a	4NS，4NS
MIC4426YN	1.9300	RFQ	150	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1203	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²