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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
DGD0506AM10-13	0.5200	RFQ	7530	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）	DGD0506	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-msop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	17ns，12ns	50 V
TPS2812PWR	0.9615	RFQ	9688	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2812	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TC1412NEOA713	1.4300	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1412	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412NEOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
ixdd408yi	-	RFQ	6967	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD408	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜25V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXDD408YI-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	8a，8a	14ns，15ns
IR2110	-	RFQ	3488	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
UC3715DP	-	RFQ	2670	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
NCP51705MNTXG	4.8100	RFQ	9467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	NCP51705	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜22v	24 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	sic mosfet	1.2V，1.6V	6a，6a	8ns，8ns
NCV5183DR2G	2.7500	RFQ	7582	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCV5183	不转变	未行业行业经验证	9v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.3a，4.3a	12n，12ns	600 v
MC33883HEG	-	RFQ	1888年	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	MC33883	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜55V	20-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935311765574	Ear99	8542.39.0001	38		半桥	4
ISL6622AIBZ	-	RFQ	8033	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4426VUA713	1.6200	RFQ	8948	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
LTC1255CS8 ＃PBF	9.6600	RFQ	6176	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1255	不转变	未行业行业经验证	9V〜24V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4123ME	2.0100	RFQ	1722年	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4123	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	576-1447	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
MIC44690亿	-	RFQ	2841	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
TC4425AVOA713	1.8300	RFQ	9387	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4421VAT	4.1600	RFQ	2069	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421VAT-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
max628csa	-	RFQ	9569	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
MIC44F18YMME-TR	1.3700	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC44F18	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	P通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
TC4422EPA	4.3600	RFQ	2242	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
ISL6608IB	-	RFQ	6650	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6608	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	22 v
ISL89411IBZ-T13	1.6366	RFQ	1893年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
2SC0108T2D0-12	64.3700	RFQ	4117	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1026	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1200 v
IX2R11S3	-	RFQ	8645	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IX2R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	276	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	2a，2a	8NS，7NS	500 v
LMG1020YFFT	5.7600	RFQ	36	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	LMG1020	反转，无变形	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	6-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.8V，1.7V	7a，5a	375ps，350ps
EL7457CUZ	6.5900	RFQ	9371	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
MIC5013BM	-	RFQ	4488	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5013	不转变	未行业行业经验证	7v〜32v	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
EL7156CSZ-T13	5.7615	RFQ	6905	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
max5048caut+t	1.8000	RFQ	12	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max5048	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，7a	28ns，13ns
IR2103PBF	2.8700	RFQ	533	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
MCP14A0601T-E/MS	1.2450	RFQ	6883	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0601	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	10n，10n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²