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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
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6EDM2003L06F06X1SA1	-	RFQ	5971	Infineon技术	-	大部分	过时的				6EDM2003		未行业行业经验证			-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000723092	Ear99	8542.39.0001	1
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ADP3416JRZ-REEL	-	RFQ	8586	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3416	不转变	未行业行业经验证	4.15V〜7.5V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	25NS，20NS	30 V
IRS2108SPBF	3.1100	RFQ	7	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2108	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
IR2112S	-	RFQ	9781	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2112	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2112S	Ear99	8542.39.0001	45	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MIC4468CWM TR	-	RFQ	1701	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
max627csa+	5.9700	RFQ	8	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX627CSA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
MIC44F18YMME-TR	1.3700	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC44F18	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	P通道MOSFET	1.607V，1.615V	6a，6a	10n，10n
IXDI504SIA	-	RFQ	5492	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI504	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
TC4426AEOA713	1.7800	RFQ	6451	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
LM25101AMX/NOPB	1.9800	RFQ	3453	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
ixdd414yi	-	RFQ	8558	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD414	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响	ixdd414yi-ndr	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	14a，14a	25ns，22ns
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HIP6602BCBZ-T	-	RFQ	8843	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HIP6602	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
TC4428VUA713	1.6200	RFQ	4811	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IRS2113MPBF	-	RFQ	4303	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫，14个线索	IRS2113	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLPQ （4x4）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	92	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	25ns，17ns	600 v
MCP14E11-E/SN	2.3900	RFQ	8558	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E11	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E11ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
UCC27523DSDT	1.8100	RFQ	104	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
TC4426AVMF	1.3050	RFQ	8953	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AVMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IR21363SPBF	-	RFQ	5339	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
max5055555aasa+	5.2510	RFQ	6267	ADI/MAXIM集成	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5055	反转	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
MIC4425YN	2.5800	RFQ	63	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1201	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ix6r11m6t/r	-	RFQ	9046	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	-	25ns，17ns	600 v
LTC1155CS8 ＃PBF	10.6700	RFQ	3	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
98-0119pbf	-	RFQ	5537	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
IHD660IC2	-	RFQ	1558年	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD660	反转	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载				1810-IHD660IC2	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
IR2181	-	RFQ	5950	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2181	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IRS2001pbf-Inf	1.7900	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²