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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
HT0440LG-G	2.4600	RFQ	6313	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HT0440	不转变	未行业行业经验证	3.15V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.5V，3.15V	-	650µs，3ms（3ms）	400 v
IR2105STR	-	RFQ	4277	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2105	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
HIP6603BECBZ-T	-	RFQ	3177	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6603	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
MC34151p	-	RFQ	5506	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34151	反转	未行业行业经验证	6.5v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	31ns，32ns
EL7154CS-T13	-	RFQ	6660	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
LM25101ASDX-1/NOPB	1.9800	RFQ	7783	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
IR2125	-	RFQ	8863	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2125	不转变	未行业行业经验证	0v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns	500 v
max627csa+	5.9700	RFQ	8	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX627CSA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
MCP14A0151T-E/CH	0.9100	RFQ	9519	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	MCP14A0151	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	11.5NS，10NS
MCP14E5-E/SN	2.4500	RFQ	9477	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E5	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E5ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
ISL6594ACR	-	RFQ	5178	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4424亿	-	RFQ	8085	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
1SP0335D2S1-65	138.8400	RFQ	2	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1008	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	6500 v
MCP14628-E/MF	2.1000	RFQ	5984	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14628	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	120	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	10n，10n	36 V
FAN73833M	-	RFQ	2342	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73833	不转变	未行业行业经验证	11V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
TC4429EOA	2.1300	RFQ	8926	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL89165FBEBZ	4.9700	RFQ	759	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89165fbebz	Ear99	8542.39.0001	980	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
UCC27524AQDGNRQ1	2.7600	RFQ	5952	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
ISL6610ACBZ	1.4400	RFQ	2	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
TC4424VMF	1.9350	RFQ	3454	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424VMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
ISL6612AECB	-	RFQ	6195	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
1SD210F2-FZ250R65KE3_OPT1	-	RFQ	7865	电源集成	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1SD210F2	-	未行业行业经验证	15.5v〜16.8V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SD211F2-FZ250R65KE3_OPT1	过时的		20	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	6a，10a	100NS，100NS	1200 v
5962-0051401VEA	-	RFQ	3620	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-0051401VEA			1
TC4467COE713	4.1600	RFQ	4853	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4467COE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	15ns，15ns
TC4428COA713	1.7800	RFQ	4315	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IR2118SPBF	2.6900	RFQ	5	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
LT1336CS ＃PBF	10.1200	RFQ	6	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	LT1336	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
LTC3900ES8 ＃PBF	7.6200	RFQ	110	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC3900	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns
ISL6613AECBZ	-	RFQ	9508	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC27523D	1.5400	RFQ	569	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²