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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UCC27424DGN	2.4200	RFQ	13	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27424	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LTC4441EMSE ＃PBF	6.1500	RFQ	83	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4441EMSE ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
ISL6612ACBZA-TR5214	-	RFQ	4624	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL89160FRTBZ-T	-	RFQ	9865	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89160	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.85V，3.15V	6a，6a	20N，20N
max5078batt-t	-	RFQ	3016	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	Max5078	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜15V	6-TDFN （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
UCC27210DDAR	2.3600	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27210	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.4V，5.9V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
max8702etp+	-	RFQ	8267	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-WFQFN暴露垫	Max8702	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜28V	20-TQFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	16ns，14ns
UCC27524DSDR	2.1000	RFQ	19	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
LM2724LD	-	RFQ	1370	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM2724	不转变	未行业行业经验证	4.3V〜6.8V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	3a，3.2a	17ns，12ns	35 v
UC2706DW	5.7280	RFQ	3599	Texas Instruments	-	管子	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC2706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
TC1412EOA	1.8900	RFQ	339	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
IR2128	-	RFQ	2677	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2128	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2128	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
TPS2831PWP	-	RFQ	4006	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2831	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
ZXGD3004E6TA	0.7800	RFQ	113	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3004	不转变	未行业行业经验证	（40V））	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	8a，8a	13.4ns，12.4ns
FAN3122CMX-F085	2.3800	RFQ	9007	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3122	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns
LM5111-1MX/NOPB	2.4200	RFQ	7029	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LM5104SDX	-	RFQ	8017	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5104	反转，无变形	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
麦克风5014亿	-	RFQ	7529	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
IXDN514D1T/r。	-	RFQ	1580	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDN514	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
ISL6700IB-T	-	RFQ	9490	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
TC4424AVMF713-VAO	-	RFQ	1020	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
UCC27532QDBVRQ1	0.7020	RFQ	8974	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27532	不转变	未行业行业经验证	10v〜32v	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	7.9V，8.8V	2.5a，5a	15ns，7ns
IR2301STR	-	RFQ	7793	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IR2301STRTR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
DGD0506AFN-7	0.8700	RFQ	13	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0506	CMOS/TTL	未行业行业经验证	8v〜14V	W-DFN3030-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，2a	17ns，12ns	50 V
IR2113-2	-	RFQ	4816	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
Adp3110akrz	-	RFQ	9041	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3110	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，11n	35 v
ISL6615CRZ	-	RFQ	4357	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
isl662222crz	-	RFQ	5554	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
Auirs2301str	2.6000	RFQ	4679	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2301	-	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
UC3707QG3	-	RFQ	9219	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	20-lcc（j-lead）	UC3707	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	20-PLCC （9x9）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	92	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，40n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²