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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MC34152DR2G	1.7300	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC34152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
IR2235	-	RFQ	7350	Infineon技术	-	管子	过时的	125°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2235	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
IR21362JTR	-	RFQ	1535年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21362	反转，无变形	未行业行业经验证	11.5v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IR4427pbf	3.5300	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR4427	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TC4422AVMF	2.8000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	10a，10a	38ns，33ns
LTC1623CS8 ＃PBF	4.2167	RFQ	5275	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1623	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
IXDI504SIA	-	RFQ	5492	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI504	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
IR2110-1	-	RFQ	3219	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸入0.300英寸，7.62mm），13个线索	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
ISL6614CRZA	-	RFQ	4232	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6620CBZ	-	RFQ	7956	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6620cbz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
L6569	2.5400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6569	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8微米浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
2DM150606CM	-	RFQ	2529	塔穆拉	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TA）	通过洞	34浸模块，31条线索	2DM150606	-	未行业行业经验证	15V〜24V	0502	下载	Rohs符合条件	不适用			Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	-	-
max17605asa+	2.4500	RFQ	20	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ISL6612CBZAR5214	-	RFQ	7881	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC27714D	3.8800	RFQ	4228	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	UCC27714	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	296-42629-5	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.7V	4a，4a	15ns，15ns	600 v
TC4421MJA	-	RFQ	6277	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
ISL6612CRZ-T	3.5700	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
auirs2181str	3.7000	RFQ	6284	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2181	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	15ns，15ns	600 v
ISL6700IBZ	3.1500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6700ibz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
ISL6622CRZ-TS2705	-	RFQ	4185	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6622	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	20-ISL6622CRZ-TS2705	Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
adp3611mnr2g	-	RFQ	9105	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-10°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ADP3611	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，15n
TC4426AVMF713	1.3050	RFQ	4802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AVMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
TC4429VOA	2.1300	RFQ	307	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IRS24531DSPBF	-	RFQ	1369	Infineon技术	-	管子	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS24531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	同步	全桥	1	n通道MOSFET	4.7V，9.3V	180mA，260mA	120NS，50NS	600 v
MCP14E10T-E/SN	1.9050	RFQ	7968	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
LM5100BMA	-	RFQ	2065	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
ixdd414yi	-	RFQ	8558	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDD414	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响	ixdd414yi-ndr	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	14a，14a	25ns，22ns
EL7155CSZ-T7	8.4600	RFQ	9486	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7155	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
ISL6615AIBZ	4.5500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl6615aibz	Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
E-L6386D013TR	-	RFQ	4032	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	E-L6386	反转	未行业行业经验证	（17V））	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²