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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
SNCV5700DR2G	1.7200	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SNCV5700	反转	未行业行业经验证	12.5v〜20V	16-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	2	IGBT	0.75V，4.3V	7.8a，6.8a	9.2NS，7.9NS
IR2132	-	RFQ	4475	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2132	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
TC4427MJA	40.9000	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
1SP0335V2M1C-5SNA0600G650100	271.3117	RFQ	9017	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	1Sp0335	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	-		（1 （无限）		1810-1SP0335V2M1C-5SNA0600G650100	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	6500 v
TPS2814PG4	-	RFQ	8645	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2814	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
TPS2835DRG4	-	RFQ	5563	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2835	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
麦克风5014亿	-	RFQ	7529	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
TC4432EOA	3.8400	RFQ	375	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4432EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
LTC4441EMSE＃trpbf	3.2850	RFQ	9970	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
ADP3416JR-REEL7	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3416					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
IR2103STR	-	RFQ	2166	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TC1411NEOA	1.5600	RFQ	6830	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1411NEOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
El7158is	-	RFQ	9745	Elantec	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	97	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
MCP14A1201-E/MSVAO	-	RFQ	9440	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A1201	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载			到达不受影响	150-MCP14A1201-E/MSVAO	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2V	12a，12a	25n，25n
IXDF404SIA	-	RFQ	5653	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF404	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
LTC4440IS6＃trpbf	3.6000	RFQ	4341	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	8v〜15v	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.3V，1.6V	2.4a，2.4a	10n，7ns	80 V
2SP0320V2A0-17	190.0000	RFQ	10	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SP0320	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1052	Ear99	8473.30.1180	3	独立的	半桥	2	IGBT	-	20a，20a	7ns，25ns	1700 v
MC33152PG	1.6000	RFQ	1818年	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	MC33152PGO	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
MIC4427BM-TR	-	RFQ	2225	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
NCP51705MNTXG	4.8100	RFQ	9467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	NCP51705	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜22v	24 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	sic mosfet	1.2V，1.6V	6a，6a	8ns，8ns
IR2101STR	-	RFQ	8263	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
FAN3122TM1X-F085	3.2900	RFQ	2	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3122	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns
IR2113-1PBF	-	RFQ	8840	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14浸入0.300英寸，7.62mm），13个线索	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14-PDIP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
ISL6605IRZ	-	RFQ	6734	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
IXDN402SI	-	RFQ	4688	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN402	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	8ns，8ns
NCP81061MNTWG	0.7800	RFQ	5359	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C 〜150°C（TJ）	-	-	NCP81061	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
IR2121pbf	4.4600	RFQ	8	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2121	不转变	未行业行业经验证	12v〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns
DGD2104S8-13	-	RFQ	9490	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD2104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
LF2136BTR	3.6900	RFQ	2	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LF2136	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	212-LF2136BTRDKR	Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	半桥	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	200mA，350mA	90NS，35NS	600 v
HIP2100IBZ	4.4500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²