RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IR2110-2	-	RFQ	7577	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62毫米），14个线索	IR2110	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	16-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	500 v
MIC5015BM-TR	-	RFQ	4534	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5015	反转	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MP1925HR-LF-P	1.7098	RFQ	9513	Monolithic Power Systems Inc.	MP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		不转变		8v〜15v	8-qfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1589-MP1925HR-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	-	4a，5.9a	15ns，10ns	115 v
TSC427CBA+	6.9300	RFQ	3217	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-TSC427CBA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
98-0036	-	RFQ	9035	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
FAN73933M	-	RFQ	2211	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan73933	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	54	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.5a，2.5a	40NS，20NS	600 v
IRS26320JPBF	-	RFQ	2630	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装		IRS26320	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540932	Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	200mA，350mA	-	600 v
ISL89165Frtaz-T	-	RFQ	4910	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
IR21363SPBF	-	RFQ	5339	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TPIC44L02DB	1.9440	RFQ	5498	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	TPIC44L02	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs
IR7184STRPBF	-	RFQ	5673	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR7184	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	700 v
IR2154S	-	RFQ	6953	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2154	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
MCP14A0052T-E/5月	0.7350	RFQ	5865	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	MCP14A0052	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	6-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	-	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	40ns，28ns
IR2113PBF	4.7900	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IR2113	不转变	未行业行业经验证	3.3v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001539158	Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2a，2a	25ns，17ns	600 v
ISL6208IRZ-T	1.2525	RFQ	7817	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6597CRZ	-	RFQ	3468	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6597	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
5962-8877003PA	-	RFQ	6571	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	5962-8877003	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
FAN7085CMX_F085	-	RFQ	7223	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7085	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	450mA，450mA	65ns，25ns	300 v
LM5109MA/NOPB	-	RFQ	7951	国家半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
IRS21814pbf	-	RFQ	2934	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21814	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
FAN7385MX	0.8479	RFQ	8175	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	Fan7385	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14分	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高方向	2	IGBT，N通道MOSFET	1.3V，2.5V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
5962-9579801VPA	-	RFQ	6250	Texas Instruments	*	管子	积极的									下载	rohs3符合条件	不适用		296-5962-9579801VPA			1
IRS21281STRPBF	-	RFQ	1329	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS21281	反转	未行业行业经验证	9v〜20V	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
DRV8300NIPWR	1.6900	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DRV8300	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	20-tssop	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300NIPWRTR	Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	高侧和低侧	3	n通道MOSFET	0.8V，2V	750mA，1.5a	12n，12ns	105 v
TC4427MJA	40.9000	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MIC4420ZM	2.0600	RFQ	6298	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1191	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ADP3650JCPZ-RL	2.8100	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFDFN暴露垫，CSP	ADP3650	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-lfcsp-vd（（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，16NS
ISL6612CBZ-TR5214	-	RFQ	7620	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
NCV81071CZR2G	-	RFQ	2331	Onmi	*	大部分	积极的						未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
Max4427esa+TGA7	-	RFQ	7690	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Max4427		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²