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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
Max15024Datb+t	-	RFQ	7250	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15024	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	24ns，16ns
ixdd409ci	-	RFQ	8339	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDD409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
UCC5870QDWJQ1	8.5620	RFQ	7048	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100，FUSA）	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	36-Bessop（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UCC5870	反转	未行业行业经验证	3v〜5.5V，15V〜30V	36-SSOP	-	不适用	3（168））		296-UCC5870QDWJQ1	Ear99	8542.39.0001	37	单身的	低侧	1	IGBT，SIC MOSFET	1.5V，3V	15a，15a	150NS，150NS
LT1162CN ＃PBF	-	RFQ	2364	模拟设备公司	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-PDIP	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
MCP14A0304-E/SN	1.1400	RFQ	159	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IR2135JPBF	12.6300	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	上次购买	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2135	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	90NS，40NS	600 v
ISL6208CBZ	2.1300	RFQ	96	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6208cbz	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TC4426AVUA	2.0500	RFQ	2827	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
TDA21570AUMA1	6.1000	RFQ	5421	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	39-PowerVFQFN	TDA21570	不转变	未行业行业经验证	4.25V〜16V	PG-IQFN-39	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	同步	高侧和低侧	1	-	0.8V，2.4V	-	-	29 v
MIC4422AYN	3.2800	RFQ	4164	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
MCP1403T-E/MF	2.6400	RFQ	9474	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1403	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1403T-E/MFTR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
TC4451VMF	3.4700	RFQ	3609	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
UCC27800DRMT	-	RFQ	6277	Texas Instruments	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	2（1年）		296-UCC27800DRMT			1
DGD0211CWTQ-7	0.9300	RFQ	3	二极管合并	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5		反转，无变形		4.5V〜18V	TSOT-25	-		（1 （无限）		31-DGD0211CWTQ-7	Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.9a，1.8a	15ns，15ns
max627csa	-	RFQ	5862	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max627	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
EL7252CS-T7	-	RFQ	5033	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7252	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
TC4423AVOE713	1.9200	RFQ	6757	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4627MJA	35.5602	RFQ	9861	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4627	不转变	未行业行业经验证	4V〜6V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4627MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
MCP14E11-E/p	2.5600	RFQ	35	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP14E11	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E11EP	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
max17605aua+	2.4500	RFQ	7590	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17605	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX17605AUA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT，SIC MOSFET	2V，4.25V	4a，4a	40ns，25ns
ISL6612CBZ	-	RFQ	7977	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LTC7063RMSE＃wpbf	5.6200	RFQ	212	模拟设备公司	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	12-tssop （0.118英寸，3.00mm宽）				6v〜14V	12-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	505-LTC7063RMSE＃wpbf	Ear99	8542.39.0001	222
LTC1154CN8 ＃PBF	4.5681	RFQ	5604	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
ISL6596IBZ-T	-	RFQ	5203	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6596	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ISL6614CBZ-TR5238	2.4400	RFQ	2	Intersil	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
SG1626T-883B	-	RFQ	3135	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-99-8金属罐	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	到99	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626T-883B	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
MIC4452ABM	-	RFQ	2056	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	570	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
FAN3224TMX	1.3300	RFQ	14	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
IR2117	-	RFQ	5536	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
FAN3225TMX-F085	2.7200	RFQ	1066	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²