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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LM5101SD/NOPB	-	RFQ	3590	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
TC4422CAT	5.0100	RFQ	5283	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
MCP14A0602T-E/SN	1.2450	RFQ	6318	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	10n，10n
LM5110-3SD	3.3700	RFQ	5622	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LM5100ASD/NOPB	3.4200	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
PX3511ADDG-RA	2.2700	RFQ	160	Intersil	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IRS2101pbf	1.4159	RFQ	8917	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
TC4420EPA	2.3800	RFQ	3	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
adp3623ardz-rl	3.1500	RFQ	2	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3623	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
FAN3223CMPX	-	RFQ	3867	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3223	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	12ns，9ns
IXDN404PI	-	RFQ	1249	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDN404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载		不适用	到达不受影响	IXDN404PI-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
IRS25091STRPBF	0.6100	RFQ	17	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS25091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
2CG010DBC12N	73.2700	RFQ	2579	塔穆拉	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	模块	2CG010	不转变	未行业行业经验证	13v〜28V	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	30	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	1.65V，3.85V		500NS，500NS
ADP3417JRZ-REEL7	-	RFQ	5660	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3417					-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
MIC4126YML	-	RFQ	5503	Micrel Inc.	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MIC4126	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-DFN （3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	13ns，15ns
EL7242CSZ	5.2500	RFQ	5432	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7242	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-EL7242CSZ	Ear99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
IXDD414CI	-	RFQ	5042	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDD414	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-220-5	下载		不适用	到达不受影响	IXDD414CI-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	14a，14a	25ns，22ns
IR2101S	-	RFQ	5125	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
UCC27524A1QDGNRQ1	1.5400	RFQ	7440	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
NCP3418DR2G	-	RFQ	1362	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP3418	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	18NS，10NS	30 V
LT1336CN ＃PBF	9.3100	RFQ	8567	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1336	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
max620cpn	-	RFQ	2500	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
1SD418F2-CM800EEE2C-66H	-	RFQ	3124	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
2SB315B-CM1200DC-34N	-	RFQ	7400	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
RT9624BZQW	0.8000	RFQ	832	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	RT9624	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-wdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1028-1231-2	Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，3.2V	-	25ns，12ns	15 v
1SP0635D2S1-17	150.4100	RFQ	9832	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1Sp0635	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1015	Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	9ns，30ns	1700 v
max620epn	-	RFQ	2394	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	Max620	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	18-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	-	1.7µs，2.5µs
MCP14A0452-E/SN	1.4300	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
L6385D013TR	-	RFQ	7323	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IXBD4411SI	-	RFQ	6443	ixys	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXBD4411	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXBD4411SI-NDR	Ear99	8542.39.0001	46	单身的	高方向	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，3.65V	2a，2a	15ns，15ns	1200 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²